[發明專利]畫素結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201210029635.5
• 申請日: 2012-02-10
• 公開（公告）號: CN102543996A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 吳國偉;高金字
• 申請（專利權）人: 福建華映顯示科技有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學俊

1.一種畫素結構，其特征在于，包括：

一基板；

一閘極線，設置于該基板上；

一資料線，設置于該基板上；

一半導體圖案，設置于該閘極在線，且該半導體圖案是于一垂直投影方向上與該閘極線的兩相對的邊緣重疊；

一非金屬源極圖案與一非金屬汲極圖案，設置于該半導體圖案上，其中該非金屬源極圖案與該非金屬汲極圖案是分別設置于該閘極線的兩相對的該等邊緣上，且該非金屬源極圖案是部分設置于該資料線與該閘極線之間以與該資料線電性連結；以及

一畫素電極，設置于該基板上，且該畫素電極是與該非金屬汲極圖案電性連結。

2.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于：該非金屬源極圖案與該非金屬汲極圖案是為一半導體摻雜層。

3.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于：更包括一導電圖案設置于該非金屬汲極圖案之上，其中該非金屬汲極圖案是透過該導電圖案與該畫素電極電性連結。

4.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于：該非金屬源極圖案與該閘極線的一上表面于該垂直投影方向上不互相重疊，且該非金屬汲極圖案與該閘極線的該上表面于該垂直投影方向上不互相重疊。

5.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于：該畫素電極是直接與該非金屬汲極圖案相連以形成電性連結。

6.一種畫素結構的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在該基板上形成一閘極線；

在該閘極在線形成一閘極介電層；

在該閘極介電層上依序形成一半導體層以及一歐姆接觸層；

對該半導體層進行一圖案化制程，以形成一半導體圖案，其中該半導體圖案是于一垂直投影方向上與該閘極線的兩相對的邊緣重疊；

在該歐姆接觸層與該閘極介電層上形成一資料線，其中該資料線是與該閘極線于該垂直投影方向上部分重疊；

對該歐姆接觸層進行一蝕刻制程，以在該閘極線的兩相對的該等邊緣上分別形成一非金屬源極圖案與一非金屬汲極圖案；以及

在該基板上形成一畫素電極，其中該畫素電極是與該非金屬汲極圖案電性連結。

7.根據權利要求6所述的畫素結構的制作方法，其特征在于：該歐姆接觸層是為一非金屬導電層。

8.根據權利要求6所述的畫素結構的制作方法，其特征在于：對該歐姆接觸層進行的該蝕刻制程是在該資料線形成之后進行，以形成該非金屬源極圖案與該非金屬汲極圖案。

9.根據權利要求6所述的畫素結構的制作方法，其特征在于：對該歐姆接觸層進行的該蝕刻制程是在該資料線形成之前進行，以在該資料線形成之前先形成該非金屬源極圖案與該非金屬汲極圖案。

10.根據權利要求6所述的畫素結構的制作方法，其特征在于：更包括在該非金屬汲極圖案上形成一導電圖案，其中該非金屬汲極圖案是透過該導電圖案與該畫素電極電性連結。

11.根據權利要求6所述的畫素結構的制作方法，其特征在于：對該歐姆接觸層進行的該蝕刻制程是用以使該非金屬源極圖案與該非金屬汲極圖案于該垂直投影方向上與該閘極線的一上表面不互相重疊。

12.根據權利要求6所述的畫素結構的制作方法，其特征在于：該畫素電極是直接與該非金屬汲極圖案相連以形成電性連結。