[發明專利]獲得NVM位元的I-V曲線的數字方法

有效

• 申請號: 201210029471.6
• 申請日: 2012-02-10
• 公開（公告）號: CN102682850A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 何晨;理查德·K·埃谷奇
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: G11C29/04
• 分類號: G11C29/04
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

技術領域

本發明一般涉及非易失性存儲器(NVM)和用于操作非易失性存儲器的方法。在一個方面，本發明涉及用于獲得閃存或電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)內的存儲器單元的電流-電壓(I-V)曲線的方法和裝置。

背景技術

閃存和電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)是用于數據處理系統，諸如微控制器、微處理器、計算機和其它電子設備(諸如汽車的嵌入控制器)的信息的非易失性存儲器存儲的非易失性存儲器(NVM)類型，其存儲當去除設備的電源時需要保存的數據。EEPROM單元和閃存存儲器單元的特性可被以位元(bitcell)電流-電壓(I-V)曲線描述，電流-電壓(I-V)曲線繪出了EEPROM基于施加到其字線上的電壓(將字線設置為特定電壓)傳輸的漏極電流(drain?current)。NVM位元I-V曲線是用于故障分析、研究位元問題和潛在地識別即將發生的與位元有關的故障的有用的診斷工具。例如，當位元的繪制的I-V曲線的斜率偏離正常時，可以使用位元的I-V曲線確定具有不良跨導(GM)的位，從而可以在其成為現場應用中的故障之前檢測該位。另外，位元I-V曲線可以幫助識別其它類型的潛在問題，例如，泄漏的位元，以及確定短路和開路的位元。隨著NVM存儲器單元的尺寸持續減小，從而產生了可能導致NVM的失效狀態的可靠性和性能問題，這些問題日益受到關注。用于產生多個位元的位元電流-電壓(I-V)曲線的常規診斷技術使用參數測量單元(PMU)硬件，以便在掃描柵極電壓時獲得多個電流測量結果，但是這些技術慢，并且需要在大部分用戶應用環境中不能容易地獲得的測試硬件(例如，PMU硬件或等同的裝置)。另外，漏極電流輸出管腳通常不能被嵌入NVM應用在用戶模式下訪問。

附圖說明

當結合下列附圖考慮下列的詳細描述時，可以理解本發明，并且獲得其多個目的、特征和優點，其中：

圖1是具有用于產生位元I-V曲線的診斷電路的NVM的框圖；

圖2是示出了示例位元的位元I-V曲線的圖；

圖3是一個簡化示意流程圖，示出了在生產測試流程期間產生參考電流和相關聯的數字寄存器設置值的校準表的方法；

圖4是一個簡化示意流程圖，示出了在用戶測試模式期間產生位元I-V曲線的方法；

圖5是一個電流-電壓曲線，示出了被在每個Vg和每個參考測試的位元的感測放大器輸出。

具體實施方式