[發明專利]獲得NVM位元的I-V曲線的數字方法

有效

• 申請號: 201210029471.6
• 申請日: 2012-02-10
• 公開（公告）號: CN102682850A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 何晨;理查德·K·埃谷奇
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: G11C29/04
• 分類號: G11C29/04
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

1.一種用于產生非易失性存儲器位元的電流-電壓特性信息的方法，包括：

產生與選擇的數字寄存器設置值對應的選擇的參考電流；

對所述選擇的參考電流和在給非易失性存儲器位元施加掃描柵極電壓時由所述非易失性存儲器位元產生的漏極電流進行比較，直到識別出轉變柵極電壓為止；和

將所述轉變柵極電壓和選擇的參考電流存儲為所述非易失性存儲器位元的電流-電壓特性信息。

2.如權利要求1的方法，還包括從測試閃存存儲器中獲得校準表，所述校準表包括多個參考電流值和對應的多個數字寄存器設置值。

3.如權利要求2的方法，其中獲得校準表包括：

將可數字微調參考電流電路的數字寄存器設置值設置為第一值；

測量由所述可數字微調參考電流電路產生的參考電流；和

將所測量的參考電流和所述第一值保存為所述校準表內的值對。

4.如權利要求1的方法，其中產生選擇的參考電流包括：將選擇的數字寄存器設置值應用于可數字微調參考電流電路，以便產生所述選擇的參考電流。

5.如權利要求1的方法，其中對所述選擇的參考電流和所述非易失性存儲器位元的漏極電流進行比較包括：將所述選擇的參考電流和所述非易失性存儲器位元的漏極電流施加于感測放大器電路。

6.如權利要求1的方法，其中對所述選擇的參考電流和所述非易失性存儲器位元的漏極電流進行比較包括：在多個柵極電壓下執行所述非易失性存儲器位元的單個地址讀取。

7.如權利要求1的方法，其中通過從低到高增加柵極電壓給所述非易失性存儲器位元施加所述掃描柵極電壓，直到由所述非易失性存儲器位元產生的漏極電流大于所述選擇的參考電流，從而所述位元的感測放大器輸出從邏輯0改變為1。

8.如權利要求1的方法，其中通過從高到低減小柵極電壓給所述非易失性存儲器位元施加所述掃描柵極電壓，直到由所述非易失性存儲器位元產生的漏極電流小于所述選擇的參考電流，從而所述位元的感測放大器輸出從邏輯1改變為0。

9.如權利要求1的方法，還包括：

產生與不同的數字寄存器設置值對應的第二參考電流；

對所述第二參考電流和在給非易失性存儲器位元施加掃描柵極電壓時由所述非易失性存儲器位元產生的漏極電流進行比較，直到識別出第二轉變柵極電壓為止；和

將第二轉變柵極電壓和第二參考電流存儲為所述非易失性存儲器位元的電流-電壓特性信息，從而定義所述非易失性存儲器位元的多個電流-電壓曲線點。

10.如權利要求1的方法，其中存儲轉變柵極電壓和選擇的參考電流包括：將所述轉變柵極電壓和選擇的參考電流存儲為所述非易失性存儲器位元的電流-電壓曲線上的點。

11.一種存儲器設備，包括：

布置在行和列的陣列內的多個非易失性存儲器位元；

存儲對應于多個參考電流值的多個數字寄存器設置值的校準表存儲器；

參考電流產生器電路，用于產生與從所述校準表存儲器選擇的數字寄存器設置值對應的選擇的參考電流；

柵極電壓產生器電路，用于產生多個掃描柵極電壓；

行解碼器，用于將所述多個掃描柵極電壓施加于選擇的非易失性存儲器位元；和

感測放大器電路，用于對所述選擇的參考電流和在給非易失性存儲器位元施加所述多個掃描柵極電壓時由所述非易失性存儲器位元產生的漏極電流進行比較，直到識別出轉變柵極電壓為止。

12.如權利要求11的存儲器設備，還包括：用于存儲包括第一選擇的參考電流值和對應的第一轉變柵極電壓的多個電流-電壓值對的存儲器。

13.如權利要求11的存儲器設備，還包括：一個或更多個數據輸出端口，用于輸出包括第一選擇的參考電流值和對應的第一轉變柵極電壓的多個電流-電壓值對。

14.如權利要求11的存儲器設備，其中所述多個非易失性存儲器位元包括布置在行和列內的多個非易失半導體存儲器晶體管，每個所述存儲器晶體管包括源極、漏極和柵極，所述柵極是可注入電子并且可被放電的浮動柵極，其中半導體存儲器晶體管的每行內的所有晶體管的柵極被連接到對應的字線，其中每列內的所有晶體管的漏極被連接到對應的位線，并且其中每行內的所有晶體管的源極被連接到對應的源極控制線。