[發(fā)明專利]一種超材料的制備方法及超材料有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210028257.9 | 申請日: | 2012-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN103247860B | 公開(公告)日: | 2017-08-25 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉若鵬;趙治亞;郭潔;楊學龍 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳光啟創(chuàng)新技術有限公司 |
| 主分類號: | H01Q15/00 | 分類號: | H01Q15/00 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務所44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市福田*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 材料 制備 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及超材料領域,具體地涉及一種超材料的制備方法及超材料。
背景技術
目前,國際社會對磁導率方面已有大量的研究,其中對于正磁導率的研究已經(jīng)趨于成熟,對于負磁導率超材料的研究是現(xiàn)在國內(nèi)外研究的熱點,負磁導率具有量子極化作用,可以對入射波產(chǎn)生極化作用,因此作用范圍很大,如在醫(yī)學成像領域中的磁共振成像技術,負磁導率材料能夠加強電磁波的成像效果,另外負磁導率材料在透鏡研究方面亦有重要作用,在工程領域,磁導率通常都是指相對磁導率,為物質(zhì)的絕對磁導率μ與磁性常數(shù)μ0(又稱真空磁導率)的比值,μr=μ/μ0,無量綱值。通常“相對”二字及符號下標r都被省去。磁導率是表示物質(zhì)受到磁化場H作用時,內(nèi)部的真磁場相對于H的增加(μ>1)或減少(μ<1)的程度。至今發(fā)現(xiàn)的自然界已存在的材料中,μ都是大于0的。
超材料是指一些具有天然材料所不具備的超常物理性質(zhì)的人工復合結(jié)構(gòu)或復合材料。通過在材料的關鍵物理尺度上的結(jié)構(gòu)有序設計,可以突破某些表觀自然規(guī)律的限制,從而獲得超出自然界固有的普通性質(zhì)的超常材料功能。超材料的性質(zhì)和功能主要來自于其內(nèi)部的結(jié)構(gòu)而非構(gòu)成它們的材料。超材料包括基板及附著在基板上的人造微結(jié)構(gòu)。只有通過設計具有特殊幾何圖形的人造微結(jié)構(gòu)和與其相匹配的基板,才能使得該人工電磁材料在特定頻段內(nèi)達到磁導率μ值小于0,并具有較低的諧振頻率。
基板的性能大大影響超材料的整體性能,特別是基板的介電常數(shù)、介電損耗、磁導率等參數(shù)直接影響制得超材料的功能,目前,一般采用印制電路板(PCB)工藝實現(xiàn)超材料的人造微結(jié)構(gòu)和介質(zhì)基板的復合體系,在使用印制電路板工藝制造超材料的過程中,通常選用FR-4等級的覆銅板充當基板,這種基板的介電常數(shù)約為4.5,介電損耗正切值約為0.02。但是一些應用于較低頻段(幾兆赫茲到幾十兆赫茲)的具有特定功能的磁性超材料,需要介電常數(shù)較高、介電損耗較低、質(zhì)地較輕薄且電容較大的材料充當基板,F(xiàn)R-4等級的覆銅板明顯不能滿足上述要求。
綜上所述,應提供一種超材料,其基板質(zhì)地輕薄、介電常數(shù)較高、介電損耗較低且電容較大,能有效降低超材料板的諧振頻率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題在于,提供一種超材料及其制備方法,其基板為埋容材料基板,埋容材料基板更輕薄、介電常數(shù)較高、介電損耗較低且電容較大,有效降低超材料板的諧振頻率,增強了超材料的性能。
本發(fā)明實現(xiàn)發(fā)明目的采用的技術方案是,提供一種超材料及其制備方法的制備方法,本發(fā)明超材料的基板為埋容基板,本發(fā)明超材料的制備方法包括以下步驟,101.在埋容材料上刻制出多個人造微結(jié)構(gòu),埋容材料包括相對的第一側(cè)和第二側(cè),在埋容材料的第一側(cè)周期性陣列排布有多個人造微結(jié)構(gòu)組成的第一人造微結(jié)構(gòu)層,第二側(cè)周期性陣列排布有多個人造微結(jié)構(gòu)組成的第二人造微結(jié)構(gòu)層,102.將第一人造微結(jié)構(gòu)層與第二人造微結(jié)構(gòu)層分別與半固化片固定,得到所述超材料。
優(yōu)選地,所述埋容材料的介質(zhì)層厚度為8-12μm。
優(yōu)選地,所述埋容材料的介電常數(shù)為14-20。
優(yōu)選地,所述埋容材料的介質(zhì)損耗為0.003-0.006。
優(yōu)選地,通過蝕刻、電鍍、鉆刻、光刻、電子刻或離子刻的方法刻制出所述多個人造微結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明還提供一種超材料,包括基板及多個周期性陣列排布在基板上的人造微結(jié)構(gòu),所述超材料的基板為埋容材料,所述埋容材料基板包括相對的第一側(cè)和第二側(cè),第一側(cè)固定有多個人造微結(jié)構(gòu)組成的第一人造微結(jié)構(gòu)層,第二側(cè)固定有多個人造微結(jié)構(gòu)組成的第二人造微結(jié)構(gòu)層,第一人造微結(jié)構(gòu)層、第二人造微結(jié)構(gòu)層上覆蓋有半固化片。
優(yōu)選地,所述半固化片為FR-4級的半固化片。
優(yōu)選地,所述人造微結(jié)構(gòu)為金屬人造微結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的有益效果在于,埋容材料具有介質(zhì)層薄、介電常數(shù)高、介電損耗低的特點,經(jīng)過特殊設計的人造微結(jié)構(gòu)具有理想的降頻效果,埋容材料基板與經(jīng)過特殊設計的人造微結(jié)構(gòu)結(jié)合制成的超材料,使超材料更加輕薄、介電常數(shù)較高、介電損耗較低且電容較大,有效降低了超材料板的諧振頻率,增強了超材料的性能。
附圖說明
圖1是本發(fā)明超材料一優(yōu)選實施例結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明超材料一優(yōu)選實施例埋容材料結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3是本發(fā)明超材料一優(yōu)選實施例人造微結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4是本發(fā)明超材料一優(yōu)選實施例制備方法流程圖;
圖5是現(xiàn)有技術超材料磁導率仿真效果圖;
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