[發明專利]薄膜太陽能電池

無效

• 申請號: 201210028190.9
• 申請日: 2012-01-12
• 公開（公告）號: CN103187460A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 彭振維;黃昭雄;曹耀中
• 申請（專利權）人: 聯相光電股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0376
• 分類號: H01L31/0376;H01L31/075
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 張靜潔;徐雯瓊

1.一種薄膜太陽能電池，其特征在于，包含：

一電極層；以及

一半導體層，其包含：

一P型層，位于所述電極層上；

一I型層，包含一I型非晶硅層以及一I型短程有序非晶硅層，所述I型非晶硅層位于所述P型層上，所述I型短程有序非晶硅層位于所述I型非晶硅層上；及

一N型層，位于所述I型短程有序非晶硅層上；

其中，所述I型非晶硅層占所述I型層的厚度比例大于所述I型短程有序非晶硅層所占的比例。

2.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，更包含一基板，所述電極層位于所述基板上。

3.如權利要求2所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述基板的材質是包含金屬或不透光的玻璃。

4.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述電極層是一透明導電薄膜，其是由摻雜氟的二氧化錫或氧化鋅摻硼構成。

5.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述I型非晶硅層的厚度為2300埃。

6.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述I型短程有序非晶硅層的厚度為200埃。

7.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述I型非晶硅層占所述I型層的厚度比例為92％，所述I型短程有序非晶硅層占所述I型層的厚度比例為8％。

8.如權利要求7所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述I型短程有序非晶硅層占所述I型層的厚度比例進一步調整至9％～92％，而所述I型非晶硅層則相對調整至91％～8％。

9.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述I型層在經由電漿輔助化學氣相沉積制程中，通過調整一制程參數，以改變所述I型層中氫原子與硅原子的排列，從而在所述I型層中形成有所述短程有序非晶硅層；其中，所述制程參數的調整包含壓力調整至大于80pa，溫度調整至小于200℃。

10.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，對于所述I型層中的所述非晶硅層及所述短程有序非晶硅層的辨別，通過一穿透式電子顯微鏡拍攝所述I型層的繞射圖形來達成。

11.一種薄膜太陽能電池，其特征在于，包含：

一電極層；以及

一半導體層，其包含：

一P型層，位于該電極層上；

一I型層，包含一I型非晶硅層以及一I型短程有序非晶硅層，所述I型非晶硅層位于所述P型層上，所述I型短程有序非晶硅層位于所述I型非晶硅層上；及

一N型層，位于所述I型短程有序非晶硅層上；

其中，所述I型非晶硅層占所述I型層的厚度比例小于所述I型短程有序非晶硅層所占的比例。

12.如權利要求11所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，更包含一基板，所述電極層位于所述基板上。

13.如權利要求12所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述基板的材質包含金屬或不透光的玻璃。

14.如權利要求11所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述電極層為一透明導電薄膜，其是由摻雜氟的二氧化錫或氧化鋅摻硼構成。

15.如權利要求11所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述I型非晶硅層的厚度為200埃。

16.如權利要求11所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述I型短程有序非晶硅層的厚度為2300埃。

17.如權利要求11所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述I型非晶硅層占所述I型層的厚度比例為8％，所述I型短程有序非晶硅層占所述I型層的厚度比例為92％。

18.如權利要求17所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述I型短程有序非晶硅層占所述I型層的厚度比例進一步調整至91％～8％，而所述I型非晶硅層則相對調整至9％～92％。