[發明專利]半導體器件制造方法有效
| 申請號: | 201210027892.5 | 申請日: | 2012-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN102637705A | 公開(公告)日: | 2012-08-15 |
| 發明(設計)人: | 鈴木健太郎;岡部剛士;佐野博晃;巖田旬史 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 曹瑾 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體器件制造方法。
背景技術
關于作為一種類型的半導體器件的固態圖像拾取器件,近來已經提出一種包括光波導的固態圖像拾取器件以提高入射在光電轉換部(portion)上的光的量。
日本特開No.2010-103458公開了一種包括波導的固態圖像拾取器件,所述波導由具有低折射率的包覆層和具有高折射率并掩埋在被所述包覆層包圍的槽中的芯層構成。作為制造這種固態圖像拾取器件的一種示范性方法,公開了一種在包覆層的整個表面上形成芯層的方法,在所述包覆層中,與光電轉換部對應地形成開口。可用作芯層的材料的例子包括氮化硅膜(SiN)、氮氧化硅膜(SiON)、以及碳化硅膜(SiC)。
制造該固態圖像拾取器件的現有技術方法在形成波導后形成用于電氣上互連組成布線的導電構件的插頭(plug)時有困難。更具體地,當形成了氮化硅膜(SiN)、氮氧化硅膜(SiON)、或者碳化硅膜(SiC)作為波導的芯層時,形成通孔以提供插頭的步驟可能變得復雜。因此,利用現有技術形成通孔很困難。
發明內容
本發明的一個實施例提供了一種半導體器件制造方法。所述方法包括:在制備包括第一區域和第二區域的半導體襯底之后,在第二區域上形成導電構件的第一步驟。所述方法包括在第一區域和第二區域上形成第一絕緣體的第二步驟,其中,第一絕緣體在導電構件的較遠側(距半導體襯底的較遠側)上形成。所述方法包括在第一絕緣體的第一部分中形成第一開口的第三步驟,其中,所述第一部分被設置于第一區域上,而第一絕緣體處于要設置連接到導電構件的插頭的位置。所述方法包括在第一開口內以及第一絕緣體的第二部分上形成第二絕緣體的第四步驟,其中,所述第二部分設置在第二區域上。第二絕緣體由和第一絕緣體的材料不同的材料制成。所述方法包括去除第二絕緣體的第一和第二部分以使第一絕緣體暴露的第五步驟。第二絕緣體的第一部分和第二部分都被設置在第二區域上。插頭要設置在要設置第二絕緣體的第一部分的區域中。第二絕緣體的第二部分是其在距第二絕緣體的第一部分預先確定的距離內的部分。所述方法包括在第五步驟之后,在第一絕緣體中要設置插頭的位置處形成第二開口的第六步驟。所述方法包括在第二開口中形成插頭的第七步驟。第二開口的面積小于第二絕緣體的在第五步驟中被去除的第一和第二部分的面積。
本發明的另一實施提供了一種半導體器件制造方法。所述方法包括:在制備包括第一區域和第二區域的半導體襯底之后,在第二區域上形成導電構件的第一步驟,在第一區域設置多個光電轉換部,并且在第二區域設置用于處理來自所述多個光電轉換部的信號的電路。所述方法包括在第一區域和第二區域上形成第一絕緣體的第二步驟,其中,第一絕緣體在導電構件的較遠側(距半導體襯底更遠側)上形成。所述方法包括在第一絕緣體的第一部分中形成多個第一開口,以使所述多個第一開口分別和所述多個光電轉換部重疊的第三步驟,而第一絕緣體還位于要設置連接到導電構件的插頭的位置。所述方法包括在所述多個第一開口的內部以及第一絕緣體的第二部分上形成第二絕緣體的第四步驟,其中第二部分設置在第二區域上。第二絕緣體由和第一絕緣體的材料不同的材料制成。所述方法包括去除第二絕緣體的第一和第二部分以使第一絕緣體暴露的第五步驟。第二絕緣體的第一和第二部分都設置在第二區域上。插頭要設置在設置第二絕緣體的第一部分的區域中。第二絕緣體的第二部分在距第二絕緣體的第一部分預先確定的距離內。所述方法包括在第五步驟之后,在要設置插頭的位置處的第一絕緣體中形成第二開口的第六步驟。所述方法包括在第二開口中形成插頭的第七步驟。第二開口的面積小于第二絕緣體的在第五步驟中被去除的第一和第二部分的面積。
參考附圖,從下列示范性實施例的描述,本發明進一步的特征將變得清晰。
附圖說明
圖1A根據第一實施例示出了制造固態圖像拾取器件的方法。
圖1B根據第一實施例示出了制造固態圖像拾取器件的方法。
圖1C根據第一實施例示出了制造固態圖像拾取器件的方法。
圖2A根據第一實施例示出了制造固態圖像拾取器件的方法。
圖2B根據第一實施例示出了制造固態圖像拾取器件的方法。
圖2C根據第一實施例示出了制造固態圖像拾取器件的方法。
圖3A根據第一實施例示出了制造固態圖像拾取器件的方法。
圖3B根據第一實施例示出了制造固態圖像拾取器件的方法。
圖3C根據第一實施例示出了制造固態圖像拾取器件的方法。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于佳能株式會社,未經佳能株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210027892.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





