[發明專利]半導體器件制造方法

有效

• 申請號: 201210027892.5
• 申請日: 2012-02-09
• 公開（公告）號: CN102637705A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發明（設計）人: 鈴木健太郎;岡部剛士;佐野博晃;巖田旬史
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 曹瑾

1.一種半導體器件制造方法，包含：

在制備包括第一區域和第二區域的半導體襯底之后，在第二區域上形成第一導電構件的第一步驟；

在第一區域和第二區域上形成第一絕緣體的第二步驟，其中，第一絕緣體在第一導電構件的較遠離半導體襯底的較遠側上形成；

在第一絕緣體的第一部分中形成第一開口的第三步驟，所述第一部分被設置于第一區域上，而第一絕緣體位于要設置連接到第一導電構件的插頭的位置；

在第一開口內部以及第一絕緣體的第二部分上形成第二絕緣體的第四步驟，第二絕緣體由和第一絕緣體的材料不同的材料制成，所述第二部分設置在第二區域上；

去除第二絕緣體的第一和第二部分以使第一絕緣體暴露的第五步驟，第二絕緣體的所述第一和第二部分都設置在第二區域上，第二絕緣體的第一部分在要形成插頭處，并且第二絕緣體的第二部分在距第二絕緣體的第一部分預先確定的距離內；

在第五步驟之后，在第一絕緣體中要設置插頭的位置處形成第二開口的第六步驟；和

在第二開口中形成插頭的第七步驟，

其中，第二開口的面積小于第二絕緣體的在第五步驟中被去除的第一和第二部分的面積。

2.如權利要求1所述的方法，還包含：

在第五步驟之后，在第二絕緣體上和設置在第二區域上的第一絕緣體的第二部分上形成第三絕緣體，

其中，在第六步驟中，在第三絕緣體中要設置插頭的位置處形成第二開口。

3.如權利要求2所述的方法，其中，第一絕緣體和第三絕緣體由相同材料制成。

4.如權利要求1所述的方法，還包含：

在第四步驟和第五步驟之間，在第二絕緣體上形成第四絕緣體，

其中，在第五步驟中，第四絕緣體的第一和第二部分被去除以使第一絕緣體暴露，所述第一和第二部分都設置在距離半導體襯底比第一導電構件更遠的位置，第四絕緣體的第一部分在要設置插頭處，并且第四絕緣體的第二部分在距第四絕緣體的第一部分預先確定的距離內。

5.如權利要求1所述的方法，其中，第二區域上的第二絕緣體的全部在第四步驟中被去除，以使第二區域上的第一絕緣體的全部被暴露。

6.如權利要求1所述的方法，其中，在第四步驟之后，第二絕緣體的除第一和第二部分之外的至少第三部分被留在第一絕緣體上。

7.如權利要求1所述的方法，其中，第一絕緣體包括多個絕緣膜，并且

在第三步驟中，將第一開口形成為穿透所述多個絕緣膜。

8.如權利要求1所述的方法，還包含：

形成第二導電構件的步驟，第二導電構件連接到插頭，并且被設置在第一導電構件的和半導體襯底相對的一側上，

其中，形成第二導電構件的步驟包括：形成構成第二導電構件的材料的膜的步驟、以及通過使用用于蝕刻的掩模圖案蝕刻所述膜的步驟，所述掩模圖案被設置在所述膜上。

9.一種半導體器件制造方法，包含：

在制備包括第一區域和第二區域的半導體襯底之后，在第二區域上形成第一導電構件的第一步驟，在第一區域中設置有多個光電轉換部，并且在第二區域中設置有用于處理來自所述多個光電轉換部的信號的電路；

在第一區域和第二區域上形成第一絕緣體的第二步驟，其中，第一絕緣體在第一導電構件的較遠離半導體襯底的較遠側上形成；

在第一絕緣體的第一部分中形成多個第一開口，以使得所述多個第一開口分別和所述多個光電轉換部重疊的第三步驟，而第一絕緣體位于要設置連接到第一導電構件的插頭的位置；

在所述多個第一開口的每一個的內部以及第一絕緣體的第二部分上形成第二絕緣體的第四步驟，第二絕緣體由和第一絕緣體的材料不同的材料制成，所述第二部分設置在第二區域上；

去除第二絕緣體的第一和第二部分以使第一絕緣體暴露的第五步驟，第二絕緣體的所述第一和第二部分都設置在第二區域上，第二絕緣體的第一部分在要設置插頭之處，并且第二絕緣體的第二部分在距第二絕緣體的第一部分預先確定的距離內；

在第五步驟之后，在第一絕緣體中要設置插頭的位置處形成第二開口的第六步驟；和

在第二開口中形成插頭的第七步驟，

其中，第二開口的面積小于第二絕緣體的在第五步驟中被去除的第一和第二部分的面積。