[發明專利]磁頭噪聲測試過程中的頻譜模擬方法及磁頭噪聲測試方法有效
| 申請號: | 201210027288.2 | 申請日: | 2012-02-08 |
| 公開(公告)號: | CN103247300B | 公開(公告)日: | 2017-07-07 |
| 發明(設計)人: | 林浩基;雷卓文;梁釗明;張啟超;陳華俊;丁菊仁;倪榮光 | 申請(專利權)人: | 新科實業有限公司 |
| 主分類號: | G11B5/455 | 分類號: | G11B5/455 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司44202 | 代理人: | 郝傳鑫 |
| 地址: | 中國香港新界沙田香*** | 國省代碼: | 香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁頭 噪聲 測試 過程 中的 頻譜 模擬 方法 | ||
技術領域
本發明涉及記錄磁盤驅動單元,尤其涉及磁盤驅動單元中的磁頭的噪聲測試方法,以及其中使用的頻譜模擬方法。更具體地,本發明涉及一種在較高頻率帶寬下利用靜態測試機測試磁頭噪聲的方法。
背景技術
隨著磁盤驅動裝置的容量逐漸增加、尺寸逐漸縮小,當前需要更高靈敏度和高分辨率的薄膜型磁頭迎合此需求。例如,現廣泛應用的巨磁效應(GMR)薄膜型磁頭,其具有的GMR讀頭元件包括由磁化固定層和磁化自由層等的多層結構;又如現正投入實際應用的隧道磁阻效應(TMR)薄膜型磁頭,其具有更高靈敏度和更高分辨率的TMR讀頭元件。
在具有MR讀頭元件的薄膜型磁頭中,可能包含在其輸出中產生噪聲,如巴克豪森噪聲的不良磁頭。巴克豪森噪聲的產生主要是由于當磁疇墻移動時,磁疇墻在由MR讀頭元件組成的磁性薄膜上發生損壞,并被施加于MR讀頭元件上的壓力影響。由于該噪聲的產生,磁頭的性能會降低,例如,磁頭的飛行高度不穩定,使得穩定性下降,進而讀取數據的性能也降低。
因此,在磁頭產品投入使用之前必須進行噪聲測試。其中一種常用的方法是通過測量相應于流過磁頭的具有變化頻率帶寬的感應電流而產生的噪聲從而判斷磁頭是否合格或不良。由此,可獲得磁頭的噪聲觀測圖并能測量出該磁頭的噪聲水平,從而判斷該磁頭是否合格。具體地,傳統的噪聲測試方法包括準靜態測試和動態測試方法。
相應地,在測試過程中分別使用的是準靜態測試機和動態測試機。其中,準靜態測試機省時,效率高,但其只能在0~80MHz的頻率帶寬上測量磁頭噪聲。即,其電流頻率帶寬只能擴展至80MHz,準靜態測試機很難測試在高于80MHz的頻率帶寬上磁頭表現出來的噪聲。而動態測試機則能在較寬的頻率帶寬上測試磁頭噪聲,當前,其能檢測噪聲的頻率帶寬能擴展得很高,如1GHz,甚至依測試裝置的設定而擴展得更高頻率帶寬。一般地,頻率帶寬和噪聲的關系可在噪聲觀測圖中呈現,其展示了磁頭的噪聲特征,從噪聲觀測圖則可計算出磁頭的噪聲水平。與準靜態測試方法對比,動態測試方法的精度更高,能檢測到磁頭在更高頻率帶寬上產生的噪聲。然而,動態測試方法花費的時間很長,因此測試效率十分低,不符合批量磁頭的大批量測試。
因此,亟待一種具有改進的準靜態測試方法,其能利用準靜態測試機在更寬的頻率帶寬下測試磁頭的噪聲,以克服上述缺陷。
發明內容
本發明的一個目的在于提供一種磁頭噪聲測試過程中的頻譜模擬方法,其能模擬噪聲觀測圖的在較高頻率帶寬范圍下的第二噪聲曲線,并根據該第二噪聲曲線建立相關方程。
本發明的另一目的在于提供一種使用頻譜模擬方法進行的磁頭噪聲測試方法,其能用準靜態測試機檢測磁頭在較高頻率帶寬下產生的噪聲,從而節省測試時間,提高測試效率并提高測試精度。
為實現上述目的,本發明提供一種用于磁頭噪聲測試的頻譜模擬方法,其特征在于,包括以下步驟:
(11),采用一動態測試機在第一頻率帶寬范圍內對若干磁頭進行檢測,從而獲得多個第一噪聲觀測圖;
(22),在一預定頻率帶寬上將每一所述噪聲觀測圖劃分成至少兩段噪聲曲線,其包括第一噪聲曲線和第二噪聲曲線,其中每一所述第一噪聲曲線的頻率帶寬低于每一所述第二噪聲曲線的頻率帶寬;
(33),將每一所述第二噪聲曲線擬合成數學方程;以及
(44),在多個所述數學方程之間建立一相關方程,從而模擬出每一磁頭的所述第二噪聲曲線。
較佳地,步驟(33)中的所述數學方程和步驟(44)中的所述相關方程均為線性函數。
作為一個優選實施例,所述步驟(33)包括子步驟(331):將每一所述第二噪聲曲線擬合成直線,從而根據多個所述直線計算出多個斜率和多個截距;所述步驟(44)包括子步驟(441):根據多個所述斜率和多個所述截距建立第一線性函數。
較佳地,所述步驟(44)還包括子步驟(442):在不同的預定頻率帶寬上重復所述步驟(22),從而獲得多個所述第二噪聲曲線;重復所述子步驟(331)和(441),從而建立多個不同的第一線性函數并獲得一個固定截距。
較佳地,所述步驟(44)還包括子步驟(443):根據不同的所述第一線性函數建立第二線性函數,從而獲得所述預定頻率帶寬和所述第一線性函數的斜率之間的關系。
較佳地,所述步驟(44)還包括子步驟(444):根據在所述子步驟(443)中建立的所述第二線性函數和在所述子步驟(442)中計算出的所述固定截距建立一顯示噪聲水平和所述預定頻率帶寬之間關系的通式。
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