[發(fā)明專利]磁頭噪聲測試過程中的頻譜模擬方法及磁頭噪聲測試方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210027288.2 | 申請日： | 2012-02-08 |
| 公開（公告）號： | CN103247300B | 公開（公告）日： | 2017-07-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林浩基;雷卓文;梁釗明;張啟超;陳華俊;丁菊仁;倪榮光 | 申請（專利權(quán)）人： | 新科實業(yè)有限公司 |
| 主分類號： | G11B5/455 | 分類號： | G11B5/455 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 中國香港新界沙田香*** | 國省代碼： | 香港;81 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 磁頭 噪聲 測試 過程 中的 頻譜 模擬 方法 | ||
1.一種用于磁頭噪聲測試的頻譜模擬方法，其特征在于，包括以下步驟：
(11)，采用一動態(tài)測試機(jī)在第一頻率帶寬范圍內(nèi)對若干磁頭進(jìn)行檢測，從而獲得多個第一噪聲觀測圖；
(22)，在一預(yù)定頻率帶寬上將每一所述噪聲觀測圖劃分成至少兩段噪聲曲線，其包括第一噪聲曲線和第二噪聲曲線，其中每一所述第一噪聲曲線的頻率帶寬低于每一所述第二噪聲曲線的頻率帶寬；
(33)，將每一所述第二噪聲曲線擬合成數(shù)學(xué)方程；以及
(44)，在多個所述數(shù)學(xué)方程之間建立一相關(guān)方程，從而模擬出每一磁頭的所述第二噪聲曲線。
2.如權(quán)利要求1所述的頻譜模擬方法，其特征在于：步驟(33)中的所述數(shù)學(xué)方程和步驟(44)中的所述相關(guān)方程均為線性函數(shù)。
3.如權(quán)利要求2所述的頻譜模擬方法，其特征在于：所述步驟(33)包括子步驟(331)：將每一所述第二噪聲曲線擬合成直線，從而根據(jù)多個所述直線計算出多個斜率和多個截距；所述步驟(44)包括子步驟(441)：根據(jù)多個所述斜率和多個所述截距建立第一線性函數(shù)。
4.如權(quán)利要求3所述的頻譜模擬方法，其特征在于：所述步驟(44)還包括子步驟(442)：在不同的預(yù)定頻率帶寬上重復(fù)所述步驟(22)，從而獲得多個所述第二噪聲曲線；重復(fù)所述子步驟(331)和(441)，從而建立多個不同的第一線性函數(shù)并獲得一個固定截距。
5.如權(quán)利要求4所述的頻譜模擬方法，其特征在于：所述步驟(44)還包括子步驟(443)：根據(jù)不同的所述第一線性函數(shù)建立第二線性函數(shù)，從而獲得所述預(yù)定頻率帶寬和所述第一線性函數(shù)的斜率之間的關(guān)系。
6.如權(quán)利要求5所述的頻譜模擬方法，其特征在于：所述步驟(44)還包括子步驟(444)：根據(jù)在所述子步驟(443)中建立的所述第二線性函數(shù)和在所述子步驟(442)中計算出的所述固定截距建立一顯示噪聲水平和所述預(yù)定頻率帶寬之間關(guān)系的通式。
7.如權(quán)利要求1所述的頻譜模擬方法，其特征在于：所述第一頻率帶寬范圍是0Hz～1GHz，其中不包括端點值0Hz。
8.如權(quán)利要求7所述的頻譜模擬方法，其特征在于：所述第一頻率帶寬范圍是0Hz～300MHz，其中不包括端點值0Hz。
9.如權(quán)利要求1所述的頻譜模擬方法，其特征在于：所述預(yù)定頻率帶寬的取值范圍是0Hz～200MHz，其中不包括端點值0Hz。
10.如權(quán)利要求1所述的頻譜模擬方法，其特征在于：所述預(yù)定頻率帶寬為80MHz。
11.一種采用如權(quán)利要求1所述的頻譜模擬方法的磁頭噪聲測試方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)，采用一靜態(tài)測試機(jī)在0Hz至所述預(yù)定頻率帶寬之間的范圍內(nèi)對一磁頭進(jìn)行檢測，從而獲得第二噪聲觀測圖的第三噪聲曲線；
(2)，放大所述第三噪聲曲線，從而使得所述第三噪聲曲線的增益與所述第一噪聲觀測圖的所述第一噪聲曲線的增益相一致；以及
(3)，根據(jù)所述相關(guān)方程模擬出高于所述預(yù)定頻率帶寬的頻率帶寬上的所述第二噪聲觀測圖的第四噪聲曲線。
12.如權(quán)利要求11所述的磁頭噪聲測試方法，其特征在于：所述步驟(33)中的所述數(shù)學(xué)方程和步驟(44)中的所述相關(guān)方程均為線性函數(shù)。
13.如權(quán)利要求12所述的磁頭噪聲測試方法，其特征在于：所述步驟(33)包括子步驟(331)：將每一所述第二噪聲曲線擬合成直線，從而根據(jù)多個所述直線計算出多個斜率和多個截距；所述步驟(44)包括子步驟(441)：根據(jù)多個所述斜率和多個所述截距建立第一線性函數(shù)。
14.如權(quán)利要求13所述的磁頭噪聲測試方法，其特征在于：所述步驟(44)還包括子步驟(442)：在不同的預(yù)定頻率帶寬上重復(fù)所述步驟(22)，從而獲得多個所述第二噪聲曲線；重復(fù)所述子步驟(331)和(441)，從而建立多個不同的第一線性函數(shù)并獲得一個固定截距。
15.如權(quán)利要求14所述的磁頭噪聲測試方法，其特征在于：所述步驟(44)還包括子步驟(443)：根據(jù)不同的所述第一線性函數(shù)建立第二線性函數(shù)，從而獲得所述預(yù)定頻率帶寬和所述第一線性函數(shù)的斜率之間的關(guān)系。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于新科實業(yè)有限公司，未經(jīng)新科實業(yè)有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210027288.2/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：改進(jìn)的包裝完整性指示封閉物
- 下一篇：一種繪本的視頻播放方法和裝置
