[發明專利]Mn-Co-Ni-O熱敏薄膜的濕法刻蝕方法有效
| 申請號: | 201210026626.0 | 申請日: | 2012-02-07 |
| 公開(公告)號: | CN102592983A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發明(設計)人: | 黃志明;周煒;張雷博;侯云;吳敬;褚君浩 | 申請(專利權)人: | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號: | H01L21/306 | 分類號: | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
| 地址: | 200083 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | mn co ni 熱敏 薄膜 濕法 刻蝕 方法 | ||
1.一種Mn-Co-Ni-O熱敏薄膜的濕法刻蝕方法,其特征在于包括以下步驟:
1)清洗:分別取在氧化鋁襯底上生長的MCN樣品片數片,置于盛有丙酮的玻璃培養皿中超聲清洗,用鑷子取出實驗片,置于盛有酒精的玻璃培養皿中超聲清洗,去離子水、酒精沖洗,干凈的氮氣將試驗片吹干待用;
2)甩膠光刻:在暗室中進行甩膠操作,使用正性光刻膠甩膠,預烘干,曝光,顯影,得到所需保護的圖形,去離子水清洗后吹干,后烘,取出備用;
3)配制刻蝕液:使用碘化鉀的還原性完成Mn-Co-Ni-O熱敏薄膜的腐蝕;使用鹽酸提供酸性環境,以提高刻蝕速率,在2mol/L鹽酸中加入碘化鉀粉末,按照每10毫升酸溶液加5克到8.3克的比例加入碘化鉀粉末,搖勻,得到淡黃色澄清刻蝕液;
4)取樣品,進行濕法刻蝕,根據刻蝕速率及膜厚估計刻蝕時間,用聚四氟乙烯鑷子夾住樣品片,將其放入刻蝕液中來回輕輕搖動,同時按下秒表計時,參考預估的刻蝕時間,待透明的氧化鋁基底片肉眼可辨時,用鑷子將樣品片取出,用去離子水沖洗干凈;
5)去膠、清洗,使用超聲清洗機對樣片進行丙酮超聲清洗、酒精超聲清洗各2-5分鐘,去除光刻膠;使用去離子水將樣品片沖洗干凈,用干凈的氮氣吹干。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





