[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210025868.8
• 申請日: 2012-02-07
• 公開（公告）號: CN102543864A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賈沛;楊流洋
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 歐陽啟明

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及液晶生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法。

【背景技術(shù)】

隨著液晶顯示器的不斷推廣和普及，對液晶顯示器的顯示性能提出了很高的要求。

邊界電場切換技術(shù)(Fringe?Field?Switching，F(xiàn)FS)由于具有高穿透性以及大視角的特征，被越來越多地應(yīng)用在液晶顯示領(lǐng)域。

在FFS型液晶顯示器的薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor，TFT)陣列基板制程中，需使用多道光罩來進行光刻制程(Photo-litho?graphy)，然而，光罩相當(dāng)昂貴，光罩次數(shù)越多則薄膜晶體管制程所需的成本越高，且增加制程時間及復(fù)雜度。

因此，現(xiàn)有技術(shù)中通過多道光罩(譬如四道光罩)形成FFS型液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板的工藝制程較為復(fù)雜，制作難度和制作成本較高，增加了液晶顯示器的生產(chǎn)難度。

【發(fā)明內(nèi)容】

本發(fā)明的一個目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中通過多道光罩形成FFS型液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板的工藝制程較為復(fù)雜，制作難度和制作成本較高，增加了液晶顯示器的生產(chǎn)難度的技術(shù)問題。

為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，所述方法包括以下步驟：

提供基板；

在所述基板上依次沉積透明導(dǎo)電層和第一金屬層，利用第一多段式調(diào)整光罩對所述透明導(dǎo)電層和第一金屬層進行圖案化形成柵極和共通電極，所述柵極包括透明導(dǎo)電層和第一金屬層，所述共通電極由所述透明導(dǎo)電層形成；

在所述基板上繼續(xù)沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體層和第二金屬層，利用第二多段式調(diào)整光罩對半導(dǎo)體層和第二金屬層進行圖案化，在所述共通電極對應(yīng)的柵絕緣層上由半導(dǎo)體層和第二金屬層形成像素電極，同時保留位于所述柵極上方的半導(dǎo)體層，并在保留的半導(dǎo)體層上由第二金屬層形成源極和漏極。

在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，在形成所述源極、漏極和像素電極后，所述方法還包括以下步驟：

在所述像素電極、以及構(gòu)成薄膜晶體管的所述源極、漏極和半導(dǎo)體層上沉積一平坦化層，所述平坦化層由透明絕緣材質(zhì)形成。

在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，所述第一多段式調(diào)整光罩和所述第二多段式調(diào)整光罩為灰階色調(diào)光罩、堆棧圖層光罩或半色調(diào)光罩。

在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，所述透明導(dǎo)電層和所述第一金屬層通過濺射法依次沉積形成。

在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，所述柵絕緣層和所述半導(dǎo)體層通過化學(xué)氣相沉積法依次沉積形成。

在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，所述第二金屬層通過濺射法依次沉積形成。

在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，所述第一金屬層依次由第一鋁金屬層和第一鉬金屬層組合形成，所述第二金屬層依次由第二鉬金屬層、第二鋁金屬層以及第三鉬金屬層組合形成。

在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，利用所述第一多段式調(diào)整光罩對所述透明導(dǎo)電層和第一金屬層進行圖案化形成柵極和共通電極的過程中，使用硝酸、磷酸以及醋酸的混合液對所述第一金屬層進行濕法刻蝕，使用草酸對所述透明導(dǎo)電層進行濕法刻蝕。

在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，利用所述第二多段式調(diào)整光罩形成源極、漏極以及像素電極的過程中，使用硝酸、磷酸以及醋酸的混合液對所述第二金屬層進行濕法刻蝕，使用反應(yīng)離子刻蝕對所述半導(dǎo)體層進行干法刻蝕。

本發(fā)明的另一個目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板，以解決現(xiàn)有技術(shù)中通過多道光罩形成FFS型液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板的工藝制程較為復(fù)雜，制作難度和制作成本較高，增加了液晶顯示器的生產(chǎn)難度的技術(shù)問題。

為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括：

基板；

多個薄膜晶體管，設(shè)置于所述基板上，其中每一所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源極及漏極，所述柵極、所述柵絕緣層、所述半導(dǎo)體層、所述源極及漏極是依序形成于所述基板上；所述柵極包括透明導(dǎo)電層和第一金屬層，所述源極及所述漏極由半導(dǎo)體層上的第二金屬層形成；

共通電極，由所述基板上的透明導(dǎo)電層形成；

多個像素電極，由所述共通電極對應(yīng)的柵絕緣層上的半導(dǎo)體層和第二金屬層形成，并與所述薄膜晶體管的所述漏極連接。