[發明專利]具有其中形成有透鏡的透明襯底的光傳感器有效
| 申請號: | 201210025792.9 | 申請日: | 2012-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN102623468B | 公開(公告)日: | 2017-03-01 |
| 發明(設計)人: | 尼科爾·D·謝內斯;阿爾卡迪·V·薩莫伊洛夫;王至海;喬伊·T·瓊斯 | 申請(專利權)人: | 馬克西姆綜合產品公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G02B5/20 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司72002 | 代理人: | 鄔少俊,王英 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 其中 形成 透鏡 透明 襯底 傳感器 | ||
相關申請案的交叉參考
本申請案根據35U.S.C.§119(e)主張以下各項的權益:2011年1月26日申請的標題為“具有形成于玻璃襯底上的IR截止干涉濾光片的光傳感器(LIGHT?SENSOR?HAVING?IR?CUT?INTERFERENCE?FILTER?FORMED?ON?A?GLASS?SUBSTRATE)”的第61/436,507號美國臨時申請案;2011年5月26目申請的標題為“具有其中形成有透鏡的玻璃襯底的光傳感器(LIGHT?SENSOR?HAVING?GLASS?SUBSTRATE?WITH?LENS?FORMED?THEREIN)”的第61/490,568號美國臨時申請案;以及2011年5月31日申請的標題為“具有其內形成有透鏡的玻璃襯底的光傳感器(LIGHT?SENSOR?HAVING?GLASS?SUBSTRATE?WITH?LENS?FORMED?THEREIN)”的第61/491,805號美國臨時申請案;第61/436,507號;第61/490,568號以及第61/491,805號美國臨時申請案以全文引用的方式并入本文中。
技術領域
本發明涉及光傳感器,特定來說,涉及具有其中形成有透鏡的透明襯底的光傳感器。
背景技術
電子裝置(例如智能電話、平板計算機、數字媒體播放器等等)越來越多地使用光傳感器來控制所述裝置所提供的多種功能的操縱。舉例來說,光傳感器常由電子裝置用來檢測周圍光照條件,以便控制裝置的顯示屏的亮度。典型的光傳感器使用光電檢測器(例如光電二極管、光電晶體管等),其將接收到的光轉換為電信號(例如電流或電壓)。
光傳感器通常用于手勢感測裝置中。手勢感測裝置在無需用戶實際觸摸手勢感測裝置駐留在其中的裝置的情況下實現對物理移動(例如“手勢”)的檢測。隨后可將檢測到的移動用作對所述裝置的輸入命令。在實施方案中,電子經編程以辨識截然不同的非接觸手部運動,例如從左到右、從右到左、從上到下、從下到上、從里到外、從外到里等等。手勢感測裝置已普遍用于手持式電子裝置(例如平板計算裝置和智能電話)以及其它便攜式電子裝置(例如膝上型計算機、視頻游戲控制臺等等)中。
發明內容
本發明描述一種光傳感器,其包含IR抑制濾光片(例如,任何類型的基于IR干涉的濾光片)以及與透明襯底集成在芯片上(即,集成在光傳感器的裸片上)的至少一個光電檢測器。在一個或一個以上實施方案中,光傳感器包括半導體裝置(例如,裸片),其包含半導體襯底。光電檢測器(例如光電二極管、光電晶體管等)形成于襯底中,接近襯底的表面。將IR抑制濾光片定位在光電檢測器上方。IR抑制濾光片經配置以過濾來自入射在光傳感器上的光的紅外光,以至少大體上阻擋紅外光使其無法到達光電檢測器。緩沖層形成于襯底的表面上方。在一實施方案中,透明襯底耦合到IR抑制濾光片,以向IR抑制濾光片提供支撐。在另一實施方案中,透明襯底可通過另一緩沖(例如粘合)層附接到晶片(例如,襯底晶片)。在又一實施方案中,可將IR抑制濾光片定位在襯底的表面上方,使得緩沖層位于玻璃晶片與襯底晶片之間。光電檢測器還可包括經配置以檢測周圍光環境的一個或一個以上透明光電檢測器(clear?photodetector)。
提供此發明內容是為了以簡化形式介紹下文在具體實施方式中進一步描述的一組概念。本發明內容無意確定所主張的標的物的關鍵特征或本質特征,也無意用作確定所主張的標的物的范圍的輔助物。
附圖說明
參考附圖來描述詳細描述內容。相同參考編號在描述中的不同例子和圖中的使用可致使類似或相同項目。
圖1A是說明根據本發明的實例實施方案的具有形成于透明襯底上的IR抑制濾光片、多個色通濾光片(color?pass?filter)以及緩沖層的光傳感器的圖解局部橫截面側視圖。
圖1B是說明圖1A中所說明的光傳感器的另一實施方案的圖解局部橫截面側視圖,其中將IR抑制濾光片安置在所述多個色通濾光片上方。
圖1C是說明圖1A中所說明的光傳感器的另一實施方案的圖解局部橫截面側視圖,其中所述光傳感器進一步包含穿襯底通孔。
圖1D是說明圖1B中所說明的光傳感器的另一實施方案的圖解局部橫截面側視圖,其中所述光傳感器進一步包含安置在IR抑制濾光片上方的暗邊緣。
圖2A是說明圖1A中所描繪的光傳感器的實施方案的圖解局部橫截面側視圖,其中所述光傳感器還包含暗電流傳感器。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





