[發明專利]具有其中形成有透鏡的透明襯底的光傳感器有效
| 申請號: | 201210025792.9 | 申請日: | 2012-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN102623468B | 公開(公告)日: | 2017-03-01 |
| 發明(設計)人: | 尼科爾·D·謝內斯;阿爾卡迪·V·薩莫伊洛夫;王至海;喬伊·T·瓊斯 | 申請(專利權)人: | 馬克西姆綜合產品公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G02B5/20 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司72002 | 代理人: | 鄔少俊,王英 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 其中 形成 透鏡 透明 襯底 傳感器 | ||
1.一種光傳感器,其包括:
襯底,其具有表面;
光電檢測器,其形成于所述襯底中接近所述表面,所述光電檢測器經配置以檢測從單個照明源產生的光,且響應于所述光而提供信號;以及
透明襯底,其安置于所述襯底上方,所述透明襯底包含透鏡,所述透鏡經配置以使入射在所述透鏡上的光準直,且使所述經準直的光通過到至少一個彩色濾光片。
2.根據權利要求1所述的光傳感器,其進一步包括穿襯底通孔,所述穿襯底通孔經配置以與所述光電檢測器電連接。
3.根據權利要求1所述的光傳感器,至少一個彩色濾光片安置于所述光電檢測器上方,所述至少一個彩色濾光片經配置以使在有限波長譜內的光通過到所述光電檢測器。
4.根據權利要求3所述的光傳感器,其中所述至少一個彩色濾光片至少大體上對在第一波長譜內的光透明,且至少大體上對在第二波長譜內的光不透明。
5.根據權利要求1所述的光傳感器,其中所述透鏡配置為菲涅耳透鏡、球形透鏡、衍射透鏡、衍射光學元件或梯度指數光學透鏡中的至少一者。
6.根據權利要求1所述的光傳感器,其中所述透明襯底包括玻璃襯底。
7.根據權利要求1所述的光傳感器,其進一步包括安置于所述表面上方的IR抑制濾光片,所述IR抑制濾光片經配置以過濾紅外光,以至少大體上阻擋紅外光使其無法到達所述光電檢測器。
8.一種光傳感器,其包括:
襯底,其具有表面;
光電檢測器,其形成于所述襯底中接近所述表面,所述光電檢測器經配置以檢測從單個照明源產生的光,且響應于所述光而提供信號;
第一彩色濾光片,其安置于所述光電檢測器上方,且經配置以過濾到所述光電檢測器的在第一有限波長譜內的光;
第二彩色濾光片,其安置于所述光電檢測器上方,且經配置以過濾到所述光電檢測器的在第二有限波長譜內的光;
第三彩色濾光片,其安置于所述光電檢測器上方,且經配置以過濾到所述光電檢測器的在第三有限波長譜內的光;以及
透明襯底,其安置于所述襯底上方,所述透明襯底包含透鏡,所述透鏡經配置以使入射在所述透鏡上的光準直,且使所述經準直的光通過到所述第一彩色濾光片、所述第二彩色濾光片或所述第三彩色濾光片中的至少一者。
9.根據權利要求8所述的光傳感器,其進一步包括第一導電層和第二導電層以及穿襯底通孔,所述穿襯底通孔經配置以提供與所述光電檢測器的電互連。
10.根據權利要求8所述的光傳感器,其中所述光電檢測器包括光電二極管或光電晶體管中的至少一者。
11.根據權利要求8所述的光傳感器,其中所述第一彩色濾光片堆疊在所述第二彩色濾光片上方或鄰近于所述第二彩色濾光片,且所述第二彩色濾光片堆疊在所述第三彩色濾光片上方或鄰近于所述第三彩色濾光片。
12.根據權利要求8所述的光傳感器,其中所述透鏡配置為菲涅耳透鏡、球形透鏡、衍射透鏡、衍射光學元件或梯度指數光學透鏡中的至少一者。
13.根據權利要求8所述的光傳感器,其中所述透明襯底包括玻璃襯底。
14.一種方法,其包括:
將一個或一個以上彩色濾光片形成于晶片的鈍化層上方,所述鈍化層形成于所述晶片的表面上方,所述晶片包含形成于其中的至少一個光電檢測器,所述至少一個光電檢測器經配置以檢測從單個照明源產生的光,且響應于所述光而提供信號;
將粘合材料形成于所述鈍化層和所述一個或一個以上彩色濾光片上方;
通過所述粘合材料將透明襯底接合到所述晶片,所述透明襯底包含透鏡,所述透鏡經配置以使入射在所述透鏡上的光準直;以及
在所述晶片中形成穿襯底通孔,以提供與所述至少一個光電檢測器的電互連。
15.根據權利要求14所述的方法,其中形成一個或一個以上彩色濾光片進一步包括將第一彩色濾光片形成于第二彩色濾光片上方或鄰近于第二彩色濾光片,其中所述第二彩色濾光片形成于第三彩色濾光片上方或鄰近于第三彩色濾光片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





