[發明專利]晶體管的操作方法

無效

• 申請號: 201210025729.5
• 申請日: 2012-02-07
• 公開（公告）號: CN103187302A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 張鼎張;陳德智;簡富彥;謝天宇
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;G06F3/041
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

技術領域

本發明涉及一種操作方法，且特別是涉及一種晶體管的操作方法。

背景技術

觸控面板普遍應用在智慧型手機、平板電腦、工業電腦以及商業電腦上，產值與市場相當龐大。現有的觸控面板技術，按感測器工作原理和信號傳輸方式，可分為電容型、電阻型、紅外線型和聲波型。上述的觸控式面板都必須在現有的顯示器上附加額外的觸控物件，因此會降低顯示器的光穿透度，以及增加外界光的反射，而附加的觸控物件更會增加觸控式顯示器的成本。

其中，若利用光檢測器在面板上作成觸控熒幕，可減少上述外界光反射、制作成本等問題，然而光檢測器會犧牲像素的開口率，顯示器的光穿透度仍無法有效提升。而一般的薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor，TFT)用來控制像素的灰階，需以遮光(black?matrix)或減少照光敏感度(例如透明TFT)等方式，來減少光線的影響，因此一般的薄膜晶體管無法同時作為光檢測器以及像素開關，做成觸控熒幕需在面板上單獨制作光檢測器，會犧牲像素的開口率并增加制作成本。

發明內容

本發明的目的在于提供一種晶體管的操作方法，同時作為光檢測器以及像素開關。

為達上述目的，本發明一實施例提供一種晶體管的操作方法，適用于一晶體管，此晶體管包含第一柵極、第一柵極絕緣層、半導體層、源極、漏極、第二柵極絕緣層以及第二柵極。其中第一柵極絕緣層位于第一柵極上，半導體層位于第一柵極絕緣層上，源極與漏極相互分離地位于半導體層的兩側上，第二柵極絕緣層位于半導體層上，第二柵極位于第二柵極絕緣層上，晶體管的操作方法，包含：可將第一柵極與源極接地，施加負偏壓至第二柵極并施加正偏壓至漏極，以使晶體管作為光檢測器。

或者，在本發明一實施例中另提供一晶體管的操作方法，包含：可將源極接地，第二柵極接地或浮接，施加偏壓至第一柵極并施加正偏壓至漏極，以使晶體管作為像素晶體管。

運用本發明的特點之一在于：使具有兩個柵極的晶體管可作為像素開關之外，也可作為光檢測器使用；同時還可利用此晶體管對光的敏感度的特性而能夠作為觸控式元件。

附圖說明

圖1為本發明一實施例晶體管的操作方法其晶體管的結構示意圖；

圖2A為本發明一實施例晶體管的操作方法的流程圖；

圖2B為本發明另一實施例晶體管的操作方法的流程圖；

圖3為以圖1的第二柵極當作控制柵極的操作下照光與暗態環境的電性示意圖；

圖4為以圖1的第一柵極當作控制柵極的操作下照光與暗態環境的電性示意圖；

圖5為以圖1的第二柵極當作控制柵極的操作下照光與暗態環境的能帶示意圖；

圖6為以圖1的第一柵極當作控制柵極的操作下照光與暗態環境的能帶示意圖；以及

圖7為本發明一實施例晶體管的操作方法其所施加的光源的光譜圖。

主要元件符號說明

1?????晶體管

11????第一柵極

12????第一柵極絕緣層

13????半導體層

14????源極

15????漏極

16????第二柵極絕緣層

17????第二柵極

L?????光源

T1??????第一通道

T2??????第二通道

步驟????S110～140

具體實施方式

為讓本發明的上述特征能更明顯易懂，茲配合附圖將本發明相關實施例詳細說明如下。

請參閱圖1，圖1為本發明一實施例晶體管的操作方法其晶體管的結構示意圖。

如圖1所示，晶體管1包含第一柵極11、第一柵極絕緣層12、半導體層13、源極14、漏極15、第二柵極絕緣層16以及第二柵極17。

詳言之，第一柵極絕緣層12位于第一柵極11上；半導體層13位于第一柵極絕緣層12上；源極14與漏極15相互分離地位于半導體層13的兩側上；第二柵極絕緣層16位于半導體層13上；第二柵極17而位于第二柵極絕緣層16上。

較佳地，第一柵極11為金屬柵極。所述第一柵極11還可用以控制半導體層13的導電率。第一柵極絕緣層12用以隔絕第一柵極11與半導體層13、源極14以及漏極15的接觸。其中，第一柵極絕緣層12還包含二氧化硅(SiO₂)或氮化硅(SiN₄)。