[發明專利]晶體管的操作方法

無效

• 申請號: 201210025729.5
• 申請日: 2012-02-07
• 公開（公告）號: CN103187302A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 張鼎張;陳德智;簡富彥;謝天宇
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;G06F3/041
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種晶體管的操作方法，適用于一晶體管，該晶體管包含第一柵極、第一柵極絕緣層、半導體層、源極、漏極、第二柵極絕緣層以及第二柵極，其中該第一柵極絕緣層位于該第一柵極上，該半導體層位于該第一柵極絕緣層上，該源極與該漏極相互分離地位于該半導體層的兩側上，該第二柵極絕緣層位于該半導體層上，該第二柵極位于該第二柵極絕緣層上，該晶體管的操作方法，包含：

將該第一柵極與該源極接地；以及

施加負偏壓至該第二柵極并施加正偏壓至該漏極，以使該晶體管作為一光檢測器。

2.如權利要求1所述的晶體管的操作方法，其中該第一柵極絕緣層隔絕該第一柵極與該半導體層、該源極以及該漏極的接觸。

3.如權利要求1所述的晶體管的操作方法，其中該半導體層包含金屬氧化物。

4.如權利要求1所述的晶體管的操作方法，其中該第二柵極絕緣層隔絕該第二柵極與該半導體層、該源極以及該漏極的接觸。

5.如權利要求1所述的晶體管的操作方法，其中該第二柵極為包含氧化銦錫的一透明柵極。

6.一種晶體管的操作方法，適用于一晶體管，該晶體管包含第一柵極、第一柵極絕緣層、半導體層、源極、漏極、第二柵極絕緣層以及第二柵極，其中該第一柵極絕緣層位于該第一柵極上，該半導體層位于該第一柵極絕緣層上，該源極與該漏極相互分離地位于該半導體層的兩側上，該第二柵極絕緣層位于該半導體層上，該第二柵極位于該第二柵極絕緣層上，該晶體管的操作方法，包含：

將該源極接地，該第二柵極接地或浮接(floating)；以及

施加偏壓至該第一柵極并施加正偏壓至該漏極，以使該晶體管作為一像素晶體管。

7.如權利要求6所述的晶體管的操作方法，其中該第一柵極絕緣層隔絕該第一柵極與該半導體層、該源極以及該漏極的接觸。

8.如權利要求6所述的晶體管的操作方法，其中該半導體層包含金屬氧化物。

9.如權利要求6所述的晶體管的操作方法，其中該第二柵極絕緣層隔絕該第二柵極與該半導體層、該源極以及該漏極的接觸。

10.如權利要求6所述的晶體管的操作方法，其中該第二柵極為包含氧化銦錫的一透明柵極。