[發(fā)明專利]結(jié)晶化裝置、結(jié)晶化方法和制造有機發(fā)光顯示裝置的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210025087.9 | 申請日: | 2012-02-01 |
| 公開(公告)號: | CN102637717A | 公開(公告)日: | 2012-08-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李權(quán)炯 | 申請(專利權(quán))人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;B23K26/00 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艷春 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 結(jié)晶 化裝 方法 制造 有機 發(fā)光 顯示裝置 | ||
1.有機發(fā)光顯示裝置,包括:
襯底;
薄膜晶體管,包括在所述襯底上以預(yù)定間隔構(gòu)圖的有源層、柵電極、源電極以及漏電極;
反射層,位于所述襯底和所述有源層之間;以及
有機發(fā)光設(shè)備,所述有機發(fā)光設(shè)備中順序堆疊有與所述薄膜晶體管電連接的像素電極、包括發(fā)光層的中間層、以及相對電極。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述反射層包括非晶硅。
3.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述有源層包括激光結(jié)晶化的晶體硅,所述激光結(jié)晶化的晶體硅通過使用用于結(jié)晶化的激光使非晶硅結(jié)晶化而形成。
4.如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述有源層的厚度相對于用于結(jié)晶化的激光的焦點處于所允許的裕度范圍內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,還包括位于所述有源層與所述反射層之間的緩沖層。
6.如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述有源層和所述緩沖層的厚度之和相對于用于結(jié)晶化的激光的焦點處于所允許的裕度范圍內(nèi)。
7.如權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述有源層和所述緩沖層的厚度之和小于0.3μm。
8.有機發(fā)光顯示裝置,包括:
襯底,包括區(qū)域,多個面板以與所述區(qū)域相互間隔開第一預(yù)定間隔的關(guān)系形成;
薄膜晶體管,包括在所述襯底上以第二預(yù)定間隔構(gòu)圖的有源層、柵電極、源電極以及漏電極;以及
有機發(fā)光設(shè)備,所述有機發(fā)光設(shè)備中順序堆疊有與所述薄膜晶體管電連接的像素電極、包括發(fā)光層的中間層、以及相對電極,
所述有源層位于所述多個面板中的一個面板的區(qū)域中,并且所述有源層的邊緣部分的至少一部分向所述一個面板的區(qū)域外延伸預(yù)定長度。
9.如權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述有源層包括激光結(jié)晶化的晶體硅,所述激光結(jié)晶化的晶體硅通過使用用于結(jié)晶化的激光使非晶硅結(jié)晶化而形成。
10.使用包括激光生成裝置和一個或多個自動/聚焦傳感器的結(jié)晶化裝置使半導(dǎo)體材料結(jié)晶化的方法,包括:
在襯底上順序形成反射層、緩沖層、以及非晶硅層;
對所述非晶硅層構(gòu)圖,以形成面板;
當(dāng)所述激光生成裝置和所述一個或多個自動/聚焦傳感器一起運動時,通過使用所述一個或多個自動/聚焦傳感器所測量的所述結(jié)晶化裝置與所述反射層之間的距離或所述結(jié)晶化裝置與所述非晶硅層之間的距離作為焦點值來使所述非晶硅層結(jié)晶化,
其中所述結(jié)晶化裝置與所述反射層之間的距離之間的差或所述結(jié)晶化裝置與所述非晶硅層之間的距離之間的差處于所述激光生成裝置所照射的激光的焦點所允許的裕度范圍內(nèi)。
11.用于使形成于襯底上的非晶硅層結(jié)晶化的結(jié)晶化裝置,包括:
激光生成裝置,用于將激光照射至所述襯底上;以及
一個或多個自動/聚焦傳感器,在一個方向上與所述激光生成裝置一起運動,
其中,當(dāng)所述一個或多個自動/聚焦傳感器周期性地測量所述結(jié)晶化裝置與所述非晶硅層之間的距離以進行結(jié)晶化時,如果所述一個或多個自動/聚焦傳感器中的一個自動/聚焦傳感器的先前測量距離值與當(dāng)前測量距離值之間的差大于預(yù)定水平,則所述一個自動/聚焦傳感器將從所述激光生成裝置照射的激光的焦點位置保持在與所述先前測量距離值相對應(yīng)的狀態(tài)。
12.如權(quán)利要求11所述的結(jié)晶化裝置,如果所述一個自動/聚焦傳感器的先前測量距離值與當(dāng)前測量距離值之間的差等于或大于所述襯底的厚度,則從所述激光生成裝置照射的激光的焦點位置被保持在與所述先前測量距離值相對應(yīng)的狀態(tài)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





