[發明專利]結晶化裝置、結晶化方法和制造有機發光顯示裝置的方法

有效

• 申請號: 201210025087.9
• 申請日: 2012-02-01
• 公開（公告）號: CN102637717A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發明（設計）人: 李權炯
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;B23K26/00
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

相關申請的交叉引用

本申請要求2011年2月11日向韓國知識產權局提交的第10-2011-0012457號韓國專利申請的權益，其全部內容通過引用并入本文。

背景技術

有源矩陣(AM)型有機發光顯示裝置在每個像素中均可包括像素驅動電路。像素驅動電路可以包括利用例如硅形成的薄膜晶體管(TFT)。可以使用非晶硅或多晶硅作為TFT中的硅。

發明內容

可通過提供有機發光顯示裝置實現實施方式，該裝置包括：襯底；薄膜晶體管(TFT)，包括在所述襯底上以預定間隔構圖的有源層、柵電極、源電極以及漏電極；反射層，位于所述襯底和所述有源層之間；以及有機發光設備，所述有機發光設備中順序堆疊有與所述TFT電連接的像素電極、包括發光層的中間層、以及相對電極。

所述反射層可包括非晶硅。

所述有源層可包括晶體硅，所述晶體硅通過使用激光使非晶硅結晶化而形成。

所述有源層的厚度可相對于用于結晶化的激光的焦點處于所允許的裕度范圍內。

該有機發光顯示裝置還可包括位于所述有源層與所述反射層之間的緩沖層。

所述有源層和所述緩沖層的厚度之和可相對于用于結晶化的激光的焦點處于所允許的裕度范圍內。

所述有源層和所述緩沖層的厚度之和可小于0.3μm

還可通過提供有機發光顯示裝置實現實施方式，該裝置包括：襯底，包括區域，多個面板以與所述區域相互間隔開第一預定間隔的關系形成；薄膜晶體管(TFT)，包括在所述襯底上以第二預定間隔構圖的有源層、柵電極、源電極以及漏電極；以及有機發光設備，所述有機發光設備中順序堆疊有與所述TFT電連接的像素電極、包括發光層的中間層、以及相對電極，所述有源層位于所述多個面板中的一個面板的區域中，并且所述有源層的邊緣部分的至少一部分向所述一個面板的區域外延伸預定長度。

所述有源層可包括晶體硅，所述晶體硅通過使用激光使非晶硅結晶化而形成。

可通過提供使用包括激光生成裝置和一個或多個自動/聚焦(A/F)傳感器的結晶化裝置使半導體材料結晶化的方法實現實施方式，該方法包括：在襯底上順序形成反射層、緩沖層、以及非晶硅層；對所述非晶硅層構圖，以形成面板；當所述激光生成裝置和所述一個或多個A/F傳感器一起運動時，通過使用所述一個或多個A/F傳感器所測量的所述結晶化裝置與所述反射層之間的距離或所述結晶化裝置與所述非晶硅層之間的距離作為焦點值來使所述非晶硅層結晶化，其中所述結晶化裝置與所述反射層之間的距離之間的差或所述結晶化裝置與所述非晶硅層之間的距離之間的差處于所述激光生成裝置所照射的激光的焦點所允許的裕度范圍內。

可通過提供用于使形成于襯底上的非晶硅層結晶化的結晶化裝置實現實施方式，該裝置包括：激光生成裝置，用于將激光照射至所述襯底上；以及一個或多個A/F傳感器，在一個方向上與所述激光生成裝置一起運動，其中，當所述一個或多個A/F傳感器周期性地測量所述結晶化裝置與所述非晶硅層之間的距離以進行結晶化時，如果先前測量距離值與當前測量距離值之間的差大于預定水平，則A/F傳感器將從所述激光生成裝置照射的激光的焦點位置保持在與所述先前測量距離值相對應的狀態。

如果先前測量距離值與當前測量距離值之間的差約等于或大于所述襯底的厚度，則從所述激光生成裝置照射的激光的焦點位置可被保持在與所述先前測量距離值相對應的狀態。

附圖說明

通過在詳細的示例性實施方式中參照附圖進行描述，特征對于本領域技術人員來說將變得顯而易見，其中：

圖1示出根據示例性實施方式的結晶化裝置和使用該結晶化裝置制造的有機發光顯示裝置的一部分的示意性平面圖；

圖2A至2C示出根據示例性實施方式的結晶化方法的順序的側截面圖；

圖3示出使用圖2A至2C所示的結晶化方法制造的有機發光顯示裝置的截面圖；

圖4示出根據示例性實施方式的結晶化裝置和使用該結晶化裝置制造的有機發光顯示裝置的一部分的示意性平面圖；以及

圖5示出根據示例性實施方式的結晶化裝置和使用該結晶化裝置制造的有機發光顯示裝置的一部分的示意性側截面圖。

具體實施方式

下面將參照附圖更加詳細地描述示例性實施方式；然而，這些示例性實施方式還可以具體化為其他形態，而不應被解釋為限于文中所述的實施方式。恰恰相反，提供這些實施方式將使本公開的內容徹底和完整，并被充分傳達至本領域技術人員。