[發明專利]通過蒸餾純化氯硅烷的方法

有效

• 申請號: 201210025073.7
• 申請日: 2012-02-01
• 公開（公告）號: CN102627282A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: U·佩措爾德;W·黑克爾;J·普羅哈斯卡
• 申請（專利權）人: 瓦克化學股份公司
• 主分類號: C01B33/107
• 分類號: C01B33/107
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 過曉東;譚邦會

1.通過蒸餾來純化氯硅烷的方法，其包括提供包含TCS、DCS和STC的氯硅烷的含硼的混合物，并通過在多個蒸餾塔中進行蒸餾來純化氯硅烷的混合物，其中通過包含富含硼的DCS的塔頂料流從蒸餾塔分流出低沸點的硼化合物，并通過包含高沸點物的富含硼的塔底料流分流出高沸點的硼化合物。

2.權利要求1的方法，其中提供的氯硅烷的混合物是通過冶金硅與HCl在流化床反應器中在350-400℃下反應制得的。

3.權利要求1或2的方法，其中提供的氯硅烷的混合物被進料至分離塔(2)，其中選擇塔參數，以使小于10ppm的STC存在于來自分離塔(2)的第一級分(3)中，且小于10ppm的TCS存在于來自分離塔(2)的第二級分(4)中。

4.權利要求3的方法，其中來自分離塔(2)的第二級分(4)被進料至第二塔(5)，并通過蒸餾被分離成包含STC的塔頂料流(5a)，和包含高沸點物的富含硼的塔底料流(5b)。

5.權利要求3的方法，其中來自分離塔(2)的第一級分(3)被進料至第三塔(6)，并通過蒸餾被分離成包含TCS的塔底料流(6b)，和包含TCS和低沸點物如DCS的富含硼的塔頂料流(6a)。

6.權利要求5的方法，其中來自第三塔(6)的塔頂料流(6a)被進料至第四塔(7)中，并向其供入惰性氣體，來自第四塔(7)的包含富含硼的DCS的塔頂料流(7a)被排出，來自第四塔(7)的塔底料流(7b)被再循環至分離塔(2)，且來自第四塔(7)的包含廢氣的第二料流(7c)被除掉。

7.權利要求6的方法，其中第四塔(7)在超大氣壓下進行操作。

8.權利要求6或7的方法，其中來自第三塔(6)的塔頂料流(6a)被液化，然后被進料至第四塔(7)中。

9.權利要求8的方法，其中利用水冷卻器6w將塔頂料流(6a)冷卻至溫度約10-30℃，將形成的冷凝物(6wk)再循環至第三塔(6)，將未冷凝的材料(6wnk)進料至鹽水冷卻器(6s)，鹽水冷卻器(6s)將產物料流冷卻至約-7℃，將在鹽水冷卻器(6s)中未冷凝的材料(6snk)進料至低溫冷卻段(6t)，并在低溫冷卻段(6t)中冷凝形成冷凝物(6tk)，然后將冷凝物(6tk)和來自鹽水冷卻器的冷凝物(6sk)進料至第四塔(7)。