[發明專利]保證膜層沉積質量的方法、膜層沉積設備的每日監控方法

有效

• 申請號: 201210024584.7
• 申請日: 2012-02-03
• 公開（公告）號: CN102560405A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 趙高輝;李春雷;牟善勇;張永剛
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: C23C14/54
• 分類號: C23C14/54;C23C16/52
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

技術領域

本發明涉及半導體膜層沉積工藝，尤其涉及保證膜層沉積質量的方法。

背景技術

膜層沉積是一種極其重要的半導體加工工藝。在膜層沉積過程中，通常認為比較重要的因素有反應氣體、各反應氣體的流量比、輔助氣體(如惰性氣體)、反應室溫度、反應室預定壓力等等。當沉積的膜層達不到要求時，通常也會從這幾個因素著手對工藝進行改進。但是，這種改進費時費力，并且也不是總能達到要求。

因而，有必要對先前的技術進行改進，以解決上述問題。

發明內容

本發明的目的是提供一種保證膜層沉積質量的方法。

本發明的另一目的是提供一種膜層沉積設備的每日監控方法，以保證沉積膜層的質量。

為實現上述目的，本發明提供一種保證膜層沉積質量的方法，其包括每天進行對膜層沉積設備進行氣密性檢測的步驟；其中，所述氣密性檢測的步驟包括：

對所述膜層沉積設備進行抽真空；

抽真空結束后的給定時間段內，使所述膜層沉積設備處于氣密狀態，檢測膜層沉積設備的氣壓變化狀況，記錄下該時間段內的氣壓最大值；

若所述氣壓最大值大于預定值，則將所述膜層沉積設備歸為需維修設備。

可選的，所述膜層沉積設備為CVD設備或PVD設備。

可選的，所述給定時間段為60秒。

可選的，所述預定值根據經驗或實驗設定。

可選的，所述保證膜層沉積質量的方法另包括：

將根據氣密性檢測步驟獲得的每日的氣壓最大值制作成圖表。

可選的，若連續兩天的檢測得的氣壓最大值均大于所述預定值的80％，則將所述膜層沉積設備歸為需重點監控設備。

可選的，所述氣密性檢測的步驟在日常的Daily?Monitor步驟中進行。

為實現上述目的，本發明另提供一種膜層沉積設備的每日監控方法，所述每日監控方法在每天的正式量產前進行，其利用空白晶片在膜層沉積設備中進行試生產以驗證效果，其中，所述每日監控方法包括對膜層沉積設備進行氣密性檢測的步驟，所述氣密性檢測的步驟包括：

對所述膜層沉積設備進行抽真空；

抽真空結束后的給定時間段內，使所述膜層沉積設備處于氣密狀態，檢測膜層沉積設備的氣壓變化狀況，記錄下該時間段內的氣壓最大值；

若所述氣壓最大值大于預定值，則將所述膜層沉積設備歸為需維修設備。

可選的，所述膜層沉積設備為CVD設備。

可選的，所述給定時間段為60秒。

可選的，所述預定值根據經驗或實驗設定。

可選的，所述氣密性檢測的步驟另包括：

將根據氣密性檢測步驟獲得的每日的氣壓最大值制作成圖表。

可選的，所述氣密性檢測的步驟另包括：

若連續兩天的檢測得的氣壓最大值均大于所述預定值的80％，則將所述膜層沉積設備歸為需重點監控設備。

與現有技術相比，本發明的方法改善了沉積膜層的質量，提高了產品合格率，且簡單易行，幾乎不需增加成本。

附圖說明

通過參照附圖更詳細地描述示范性實施例，以上和其它的特征以及優點對于本領域技術人員將變得更加明顯，附圖中：

圖1是本發明實施例所應用的CVD設備的結構示意圖。

圖2是本發明保證膜層沉積質量的方法的實施例的流程圖。

具體實施方式

發明人提出了一種保證或改進膜層沉積質量的方法一每天對膜層沉積設備的反應腔室進行氣密性檢測，若檢測合格，則進行膜層沉積步驟，若檢測不合格，則將所述膜層沉積設備歸為需維修設備，并安排維修人員對設備氣密性進行改進。

在具體實施中，所述氣密性檢測的步驟可以包括：

對膜層沉積設備進行抽真空；

抽真空結束后的給定時間段內，使所述膜層沉積設備處于氣密狀態，檢測膜層沉積設備的氣壓變化狀況，記錄下該時間段內的氣壓最大值；

若所述氣壓最大值大于預定值，則將所述膜層沉積設備歸為需維修設備。

所述的膜層沉積設備可以為CVD設備或PVD設備。

所述的給定時間段可以根據具體應用環境進行設定，例如可以為60秒、120秒、10分鐘、30分鐘等等。當然，設定的時間越長，測量結果越準確，只是過長的測量時間不利于生產進度，因而測量時間盡量不超過2小時。實踐表明，同樣一臺CVD設備，每天都進行氣密性檢測的狀況下，其半年內所產生的廢品與半個月檢測一次的狀況下相比，減少了20％到30％。