[發(fā)明專利]固態(tài)圖像拾取裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210024578.1 | 申請日: | 2012-02-06 |
| 公開(公告)號: | CN102637753A | 公開(公告)日: | 2012-08-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 小林昌弘 | 申請(專利權(quán))人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/0352 | 分類號: | H01L31/0352;H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 楊小明 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固態(tài) 圖像 拾取 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及固態(tài)圖像拾取裝置,并且特別涉及固態(tài)圖像拾取裝置的元件隔離結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
日本專利公開No.2009-016810公開了光電轉(zhuǎn)換部分和像素晶體管(有源元件)之間的元件隔離結(jié)構(gòu)。特別地,公開了具有以下特性的元件隔離結(jié)構(gòu)。首先,在導(dǎo)電類型與像素晶體管的源極區(qū)域和漏極區(qū)域相反的半導(dǎo)體區(qū)域中形成元件隔離區(qū)域。第二,在不具有段差(level?differences)的平坦?fàn)顟B(tài)中形成設(shè)置在從像素晶體管的溝道區(qū)域到元件隔離區(qū)域的區(qū)域中的絕緣膜。根據(jù)日本專利公開No.2009-016810,可通過這種元件隔離結(jié)構(gòu)減少由像素晶體管占據(jù)的面積。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的固態(tài)圖像拾取裝置具有:包含有源區(qū)的半導(dǎo)體基板;第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)域;第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)域;浮動擴(kuò)散區(qū)域;被設(shè)置在半導(dǎo)體基板上的絕緣體;和通過絕緣體被設(shè)置在半導(dǎo)體基板上并被配置為控制從第一半導(dǎo)體區(qū)域到浮動擴(kuò)散區(qū)域的電荷的傳送的傳送柵電極,其中,第一半導(dǎo)體區(qū)域、第二半導(dǎo)體區(qū)域和浮動擴(kuò)散區(qū)域被設(shè)置在有源區(qū)中,第一半導(dǎo)體區(qū)域的一部分被設(shè)置為與傳送柵電極的一部分重疊,第一半導(dǎo)體區(qū)域的一部分和第二半導(dǎo)體區(qū)域被設(shè)置為在沿半導(dǎo)體基板和絕緣體的界面的方向上相互鄰近,并且,從所述界面到第一半導(dǎo)體區(qū)域的所述一部分的雜質(zhì)濃度峰的位置的距離不同于從所述界面到第二半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置的距離。
從參照附圖對示例性實施例進(jìn)行的以下描述,本發(fā)明的其它特征將變得清晰。
附圖說明
圖1是根據(jù)本發(fā)明的例子1的固態(tài)圖像拾取裝置的平面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的例子1的固態(tài)圖像拾取裝置的等價電路圖。
圖3A是根據(jù)本發(fā)明的例子1的固態(tài)圖像拾取裝置的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖3B是根據(jù)本發(fā)明的例子1的固態(tài)圖像拾取裝置的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖3C是根據(jù)本發(fā)明的例子1的固態(tài)圖像拾取裝置的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖4A是示出根據(jù)本發(fā)明的例子1的固態(tài)圖像拾取裝置的雜質(zhì)分布的示圖。
圖4B是示出根據(jù)本發(fā)明的例子1的固態(tài)圖像拾取裝置的雜質(zhì)分布的示圖。
圖5A是根據(jù)本發(fā)明的例子2的固態(tài)圖像拾取裝置的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖5B是根據(jù)本發(fā)明的例子2的固態(tài)圖像拾取裝置的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖5C是根據(jù)本發(fā)明的例子2的固態(tài)圖像拾取裝置的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖6A是示出根據(jù)本發(fā)明的例子2的固態(tài)圖像拾取裝置的雜質(zhì)分布的示圖。
圖6B是示出根據(jù)本發(fā)明的例子2的固態(tài)圖像拾取裝置的雜質(zhì)分布的示圖。
圖7A是根據(jù)本發(fā)明的例子3的固態(tài)圖像拾取裝置的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖7B是根據(jù)本發(fā)明的例子3的固態(tài)圖像拾取裝置的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖7C是根據(jù)本發(fā)明的例子3的固態(tài)圖像拾取裝置的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖8A是示出根據(jù)本發(fā)明的例子3的固態(tài)圖像拾取裝置的雜質(zhì)分布的示圖。
圖8B是示出根據(jù)本發(fā)明的例子3的固態(tài)圖像拾取裝置的雜質(zhì)分布的示圖。
圖9是根據(jù)本發(fā)明的例子4的固態(tài)圖像拾取裝置的平面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖10是根據(jù)本發(fā)明的例子4的固態(tài)圖像拾取裝置的等價電路圖
圖11是根據(jù)本發(fā)明的例子5的固態(tài)圖像拾取裝置的平面結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實施方式
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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