[發(fā)明專利]固態(tài)圖像拾取裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210024578.1
• 申請(qǐng)日: 2012-02-06
• 公開（公告）號(hào): CN102637753A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小林昌弘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佳能株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L31/0352
• 分類號(hào): H01L31/0352;H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 楊小明

1.一種固態(tài)圖像拾取裝置，包括：

包含有源區(qū)的半導(dǎo)體基板；

第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)域；

第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)域；

浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域；

被設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板上的絕緣體；和

第一傳送柵電極，所述第一傳送柵電極通過所述絕緣體被設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板上并被配置為控制從第一半導(dǎo)體區(qū)域到浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域的電荷的傳送，

其中，第一半導(dǎo)體區(qū)域、第二半導(dǎo)體區(qū)域和浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域被設(shè)置在有源區(qū)中，

其中，第一半導(dǎo)體區(qū)域的一部分被設(shè)置為與第一傳送柵電極的第一部分重疊，

其中，第一半導(dǎo)體區(qū)域的所述部分和第二半導(dǎo)體區(qū)域被設(shè)置為在沿所述半導(dǎo)體基板和所述絕緣體的界面的方向上相互鄰近，并且，

其中，從所述界面到第一半導(dǎo)體區(qū)域的所述部分的雜質(zhì)濃度峰的位置的距離不同于從所述界面到第二半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置的距離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的固態(tài)圖像拾取裝置，還包括：

第一導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體區(qū)域；和

第二傳送柵電極，所述第二傳送柵電極通過所述絕緣體被設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板上并被配置為控制從第三半導(dǎo)體區(qū)域到浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域的電荷的傳送，

其中，第三半導(dǎo)體區(qū)域被設(shè)置在有源區(qū)中，

其中，第三半導(dǎo)體區(qū)域的一部分被設(shè)置為與第二傳送柵電極的一部分重疊，并且，

其中，第三半導(dǎo)體區(qū)域的所述部分和第二半導(dǎo)體區(qū)域被設(shè)置為沿所述方向相互鄰近。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，

從所述界面到第三半導(dǎo)體區(qū)域的所述部分的雜質(zhì)濃度峰的位置的距離不同于從所述界面到第二半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置的距離，并且，

第一半導(dǎo)體區(qū)域和第三半導(dǎo)體區(qū)域的排列方向與從第一半導(dǎo)體區(qū)域到浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域的電荷傳送方向以及從第三半導(dǎo)體區(qū)域到浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域的電荷傳送方向均不同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，第一半導(dǎo)體區(qū)域的面積比浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域的面積大。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，第一傳送柵電極的第二部分與第二半導(dǎo)體區(qū)域的一部分重疊。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的固態(tài)圖像拾取裝置，還包括：

被設(shè)置為與第一半導(dǎo)體區(qū)域重疊的第一導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體區(qū)域，其中，

第四半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置與第二半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置在以所述界面為基準(zhǔn)的深度上相互不同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的固態(tài)圖像拾取裝置，還包括：

被設(shè)置為與第二半導(dǎo)體區(qū)域重疊的第二導(dǎo)電類型的第五半導(dǎo)體區(qū)域，其中，

第五半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置與第一半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置在以所述界面為基準(zhǔn)的深度上相互不同。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的固態(tài)圖像拾取裝置，還包括：

被設(shè)置為與第一半導(dǎo)體區(qū)域重疊的第一導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體區(qū)域；和

被設(shè)置為與第二半導(dǎo)體區(qū)域重疊的第二導(dǎo)電類型的第五半導(dǎo)體區(qū)域，其中，

第一半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置、第二半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置、第四半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置和第五半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度峰的位置在以所述界面為基準(zhǔn)的深度上相互不同。

9.根據(jù)權(quán)利要求7的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，第一半導(dǎo)體區(qū)域和第四半導(dǎo)體區(qū)域以不同的雜質(zhì)形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求1的固態(tài)圖像拾取裝置，還包括：

第二導(dǎo)電類型的第六半導(dǎo)體區(qū)域，其中，

第六半導(dǎo)體區(qū)域被設(shè)置為與第一半導(dǎo)體區(qū)域和第二半導(dǎo)體區(qū)域重疊并被設(shè)置在比第一半導(dǎo)體區(qū)域和第二半導(dǎo)體區(qū)域更接近所述界面的位置處。

11.根據(jù)權(quán)利要求1的固態(tài)圖像拾取裝置，還包括：

光電轉(zhuǎn)換部分，其中，

第一半導(dǎo)體區(qū)域構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換部分的一部分。

12.根據(jù)權(quán)利要求1的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，第二半導(dǎo)體區(qū)域是對(duì)于第一半導(dǎo)體區(qū)域的電荷的勢壘。

13.根據(jù)權(quán)利要求1的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，第二半導(dǎo)體區(qū)域是用于電氣隔離第一半導(dǎo)體區(qū)域與另一元件的隔離區(qū)域。