[發(fā)明專利]一種二次電池的充電裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210024001.0
• 申請日: 2012-02-03
• 公開（公告）號: CN103248074A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 樊曉微;周湘魯
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H02J7/00
• 分類號: H02J7/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 唐立;王忠忠

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于二次電池充電技術(shù)領(lǐng)域，涉及二次電池的充電裝置，尤其涉及帶恒溫充電模塊和/或恒流充電模塊的充電裝置。

背景技術(shù)

????二次電池在各種便攜式電子裝置（例如，筆記本電腦、手機、數(shù)字音樂播放器等等）中廣泛應(yīng)用，例如，各種可充電式的鎳鎘（Ni-Cd）電池、鎳氫（Ni-H）電池、鋰（lithium-ion）電池、鎳金屬氫化物（Nickel?Metal-Hydride，Ni-H）電池等，因此，一般地，對應(yīng)二次電池配置有相應(yīng)的充電裝置。

????充電裝置的控制驅(qū)動部分通常通過集成電路（IC）芯片實現(xiàn)，其用于控制充電過程。在設(shè)計該集成電路芯片時，通常必須考慮充電過程對電池性能以及芯片本身的影響，同時必須兼顧充電效率。當(dāng)前，業(yè)界在不停地追求提高充電效率、減小充電過程對二次電池和充電裝置壽命的影響、以及提高充電裝置和二次電池的安全可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

為解決現(xiàn)有技術(shù)中二次電池的充電裝置中的不足，本發(fā)明的目的之一在于基本實現(xiàn)對二次電池的恒溫充電控制以提高二次電池和充電裝置的使用壽命、提高充電效率。

本發(fā)明的還一目的在于，提高充電裝置和二次電池的安全可靠性。

為實現(xiàn)以上目的或者其他目的，本發(fā)明提供一種二次電池的充電裝置，包括充電控制電路主模塊和邏輯控制電路主模塊，其特征在于，還包括：恒溫充電模塊和/或恒流充電模塊；

其中，所述恒溫充電模塊耦接于所述充電控制電路主模塊，并且，在充電過程中，所述充電裝置的溫度超過預(yù)定溫度值后，所述恒溫充電模塊用于調(diào)節(jié)控制充電電流以使充電裝置基本地維持在一預(yù)定溫度值；

所述恒流充電模塊耦接于所述充電控制電路主模塊，并且，在充電過程中，所述充電電流超過預(yù)定電流值后，所述恒流充電模塊用于調(diào)節(jié)控制充電電流以使其基本地維持在一預(yù)定電流值。

按照本發(fā)明一實施例的充電裝置，其中，所述二次電池為手機中使用的二次電池，所述充電裝置是適應(yīng)于為多種手機中使用的二次電池進行充電的萬能充電器。

按照本發(fā)明又一實施例的充電裝置，其中，所述充電裝置包括所述二次電池的充電回路，所述充電回路中設(shè)置有用于控制二次電池的充電電流的驅(qū)動MOS晶體管；

所述恒溫充電模塊包括：

用于采樣反饋溫度信號的三極管；

用于執(zhí)行比較運算的第一運算放大器；以及

第一選通管，其受所述第一運算放大器的輸出端控制以選擇性地輸出溫度反饋信號至所述驅(qū)動MOS晶體管的柵極。

在之前所述任意實施例的充電裝置中，較佳地，所述三極管為PNP型三極管，所述三極管的發(fā)射極被接入恒流源，所述三極管的基極和集電極接地，具有負溫度系數(shù)的所述三極管的發(fā)射極基極電壓被輸入至所述第一運算放大器的第一輸入端。

在之前所述任意實施例的充電裝置中，較佳地，所述第一運算放大器的第二輸入端被接入第一參考電壓，通過設(shè)定所述第一參考電壓的大小以確定所述預(yù)定溫度值。

在之前所述任意實施例的充電裝置中，較佳地，所述第一選通管為PMOS/NMOS晶體管，所述PMOS/NMOS晶體管的柵極和漏極耦接于所述第一運算放大器的輸出端，所述PMOS/NMOS晶體管的源極耦接至所述驅(qū)動MOS晶體管的柵極。

按照本發(fā)明還一實施例的充電裝置，其中，所述充電裝置包括所述二次電池的充電回路，所述充電回路中設(shè)置有用于控制二次電池的充電電流的驅(qū)動MOS晶體管；

所述恒流充電模塊包括：

用于采樣所述充電回路中的充電電流的采樣MOS晶體管；

與所述采樣MOS晶體管串聯(lián)連接的電阻；?

用于執(zhí)行比較運算的第二運算放大器；以及

第二選通管，其受所述第二運算放大器的輸出端控制以選擇性地輸出充電電流反饋信號至所述驅(qū)動MOS晶體管和所述采樣MOS晶體管的柵極。

在之前所述任意實施例的充電裝置中，較佳地，所述恒流充電模塊還包括：

第三運算放大器，以及

第三MOS晶體管；

其中，所述驅(qū)動MOS晶體管的漏極連接所述第三運算放大器的第一輸入端，所述采樣MOS晶體管的漏極同時連接所述第三運算放大器的第二輸入端和所述第三MOS晶體管的源極，所述第三運算放大器的輸出端連接所述第三MOS晶體管的柵極。

在之前所述任意實施例的充電裝置中，較佳地，所述采樣MOS晶體管是相對于所述驅(qū)動MOS晶體管按比例縮小的MOS晶體管。