[發(fā)明專利]一種二次電池的充電裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210024001.0 | 申請日： | 2012-02-03 |
| 公開（公告）號： | CN103248074A | 公開（公告）日： | 2013-08-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 樊曉微;周湘魯 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H02J7/00 | 分類號： | H02J7/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;王忠忠 |
| 地址： | 214028 中國無錫*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 二次 電池 充電 裝置 | ||
1.一種二次電池的充電裝置，包括充電控制電路主模塊（110）和邏輯控制電路主模塊（120），其特征在于，還包括：恒溫充電模塊（330）和/或恒流充電模塊（540）；
其中，所述恒溫充電模塊（330）耦接于所述充電控制電路主模塊（110），并且，在充電過程中，所述充電裝置的溫度超過預(yù)定溫度值后，所述恒溫充電模塊（330）用于調(diào)節(jié)控制充電電流以使充電裝置基本地維持在預(yù)定溫度值；
所述恒流充電模塊（540）耦接于所述充電控制電路主模塊（110），并且，在充電過程中，所述充電電流超過預(yù)定電流值后，所述恒流充電模塊（540）用于調(diào)節(jié)控制充電電流以使其基本地維持在預(yù)定電流值。
2.如權(quán)利要求1所述的充電裝置，其特征在于，所述二次電池為手機中使用的二次電池，所述充電裝置是適應(yīng)于為多種手機中使用的二次電池進行充電的萬能充電器。
3.如權(quán)利要求1或2所述的充電裝置，其特征在于，所述充電裝置包括所述二次電池的充電回路，所述充電回路中設(shè)置有用于控制二次電池的充電電流的驅(qū)動MOS晶體管（M1）；
所述恒溫充電模塊（330）包括：
用于采樣反饋溫度信號的三極管（Q1）；
用于執(zhí)行比較運算的第一運算放大器（OA1）；以及
第一選通管（M3），其受所述第一運算放大器（OA1）的輸出端控制以選擇性地輸出溫度反饋信號至所述驅(qū)動MOS晶體管（M1）的柵極。
4.如權(quán)利要求3所述的充電裝置，其特征在于，所述三極管為PNP/NPN型三極管，所述三極管（Q1）的發(fā)射極被接入恒流源（Ib），所述三極管（Q1）的基極和集電極接地，具有負(fù)溫度系數(shù)的所述三極管的發(fā)射極基極電壓（Vbe）被輸入至所述第一運算放大器（OA1）的第一輸入端。
5.如權(quán)利要求3所述的充電裝置，其特征在于，所述第一運算放大器（OA1）的第二輸入端被接入第一參考電壓，通過設(shè)定所述第一參考電壓的大小以確定所述預(yù)定溫度值。
6.如權(quán)利要求3所述的充電裝置，其特征在于，所述第一選通管（M3）為PMOS/NMOS晶體管，所述PMOS/NMOS晶體管的柵極和漏極耦接于所述第一運算放大器（OA1）的輸出端，所述PMOS/NMOS晶體管的源極耦接至所述驅(qū)動MOS晶體管的柵極。
7.如權(quán)利要求1或2所述的充電裝置，其特征在于，所述充電裝置包括所述二次電池的充電回路，所述充電回路中設(shè)置有用于控制二次電池的充電電流的驅(qū)動MOS晶體管（M1）；
所述恒流充電模塊（540）包括：
用于采樣所述充電回路中的充電電流的采樣MOS晶體管（M2）；
與所述采樣MOS晶體管（M2）串聯(lián)連接的電阻（R）；?
用于執(zhí)行比較運算的第二運算放大器（OA2）；以及
第二選通管（M5），其受所述第二運算放大器（OA2）的輸出端控制以選擇性地輸出充電電流反饋信號至所述驅(qū)動MOS晶體管（M1）和所述采樣MOS晶體管（M2）的柵極。
8.如權(quán)利要求7所述的充電裝置，其特征在于，所述恒流充電模塊（540）還包括：
第三運算放大器（OA3），以及
第三MOS晶體管（M4）；
其中，所述驅(qū)動MOS晶體管（M1）的漏極連接所述第三運算放大器（OA3）的第一輸入端，所述采樣MOS晶體管（M2）的漏極同時連接所述第三運算放大器（OA3）的第二輸入端和所述第三MOS晶體管（M4）的源極，所述第三運算放大器（OA3）的輸出端連接所述第三MOS晶體管（M4）的柵極。
9.如權(quán)利要求7所述的充電裝置，其特征在于，所述采樣MOS晶體管（M2）是相對于所述驅(qū)動MOS晶體管（M1）按比例縮小的MOS晶體管。
10.如權(quán)利要求9所述的充電裝置，其特征在于，所述采樣MOS晶體管（M2）和所述驅(qū)動MOS晶體管（M1）均為PMOS晶體管。
11.如權(quán)利要求7所述的充電裝置，其特征在于，所述電阻（R）兩端的電壓信號被反饋輸入至所述第二運算放大器（OA2）的二輸入端，所述第二運算放大器（OA1）的第一輸入端被接入第二參考電壓，通過設(shè)定所述第二參考電壓的大小以確定所述預(yù)定電流值。
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