[發明專利]發光器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210022698.8
• 申請日: 2012-01-20
• 公開（公告）號: CN102623481A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 丁煥熙
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;鄭小軍

技術領域

本發明實施例涉及一種與晶體管關聯形成的發光器件。

背景技術

由于薄膜生長技術和器件材料的發展，使用III-V族或II-VI族化合物半導體材料的發光器件(例如發光二極管或激光二極管)可以生成各種顏色的光，例如紅光、綠光、藍光和紫外光。此外，發光器件可以使用磷光劑材料或通過顏色混合而生成具有高效率的白光。與傳統光源(例如熒光燈和白熾燈)相比，這些發光器件具有如下優點，例如，功耗低、半永久性壽命、響應時間快、穩定以及對環境友好。

因此，這些發光器件越來越多地應用于光通信單元的傳輸模塊、用來替代構成液晶顯示器(LCD)器件背光單元的冷陰極熒光燈(CCFL)的發光二極管背光單元、使用白光發光二極管(用來替代熒光燈或白熾燈)的照明裝置、車輛頭燈以及交通燈。

發明內容

為改善晶體管單元和發光器件單元的制造工藝并方便地控制發光器件單元，本發明實施例提供一種與晶體管關聯形成的發光器件。

在一個實施例中，一種發光器件包括：接合層，設置在支撐襯底上；絕緣層，設置在所述接合層的一側；晶體管單元，設置在所述絕緣層上；以及發光器件單元，設置在所述接合層的另一側，并且包括第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層，其中，所述晶體管單元和所述發光器件單元通過所述絕緣層彼此隔離。

所述晶體管單元可以作為所述發光器件單元的開關來運行。

所述晶體管單元可以包括：第三導電類型半導體層，設置在所述絕緣層上；未摻雜半導體層，設置在所述第三導電類型半導體層上；第四導電類型半導體層，設置在所述未摻雜半導體層上；第五導電類型半導體層，設置在所述第四導電類型半導體層上；柵絕緣膜，設置在所述未摻雜半導體層上；柵電極，設置在所述柵絕緣膜上；源電極，設置在所述第五導電類型半導體層上；以及漏電極，設置在所述第三導電類型半導體層上。

所述源電極與漏電極之間的電流可以通過所述柵電極與源電極之間的電壓來控制，并且所述源電極與漏電極之間的電流可以被施加到設置在所述發光器件單元的第一導電類型半導體層上的電極或第二導電類型半導體層上的電極至少之一。

所述第三導電類型半導體層通過所述絕緣層與所述第一導電類型半導體層電隔離。

在另一個實施例中，一種發光器件包括：接合層，設置在支撐襯底上；絕緣層，設置在所述接合層上的一側；以及晶體管單元，設置在所述絕緣層上，其中，所述晶體管單元包括：第三導電類型半導體層，設置在所述絕緣層上；未摻雜半導體層，設置在所述第三導電類型半導體層上；第四導電類型半導體層，設置在所述未摻雜半導體層上；第五導電類型半導體層，設置在所述第四導電類型半導體層上；柵絕緣膜，設置在所述未摻雜半導體層上；柵電極，設置在所述柵絕緣膜上；源電極，設置在所述第五導電類型半導體層上；以及漏電極，設置在所述第三導電類型半導體層上。

該發光器件單元還可以包括：發光器件單元，設置在所述接合層上的另一側，并且包括第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層，并且所述晶體管單元和所述發光器件單元可以通過所述絕緣層彼此隔離。

所述第三導電類型半導體層可以通過所述絕緣層與所述第一導電類型半導體層電隔離。

在另一個實施例中，一種發光器件包括：支撐襯底；晶體管單元，設置在所述支撐襯底上表面的一側；發光器件單元，設置在所述支撐襯底上表面的另一側；以及絕緣層，設置在所述晶體管單元與所述發光器件單元之間以及所述支撐襯底與所述晶體管單元之間，用于將所述晶體管單元與所述發光器件單元隔離。

所述發光器件還可以包括：接合層，設置在所述支撐襯底與所述絕緣層之間以及所述支撐襯底與所述發光器件單元之間；以及至少一個溝道層，設置在所述接合層與所述發光器件單元下表面的邊緣之間。

所述至少一個溝道層可以設置在所述接合層與所述絕緣層之間。

所述發光器件單元可以包括依次設置在所述支撐襯底的上表面另一側的第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層。

所述晶體管單元可以包括：第三導電類型半導體層，設置在所述絕緣層上；未摻雜半導體層，設置在所述第三導電類型半導體層上；第四導電類型半導體層，設置在所述未摻雜半導體層上；第五導電類型半導體層，設置在所述第四導電類型半導體層上；柵絕緣膜，設置在所述未摻雜半導體層上；柵電極，設置在所述柵絕緣膜上；源電極，設置在所述第五導電類型半導體層上；以及漏電極，設置在所述第三導電類型半導體層上。