[發明專利]發光器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210022698.8
• 申請日: 2012-01-20
• 公開（公告）號: CN102623481A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 丁煥熙
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;鄭小軍

1.一種發光器件，包括：

接合層，設置在支撐襯底上；

絕緣層，設置在所述接合層上的一側；

晶體管單元，設置在所述絕緣層上；以及

發光器件單元，設置在所述接合層上的另一側，并且包括第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層，

其中，所述晶體管單元和所述發光器件單元通過所述絕緣層彼此隔離。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述晶體管單元作為所述發光器件單元的開關來運行。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述晶體管單元包括：

第三導電類型半導體層，設置在所述絕緣層上；

未摻雜半導體層，設置在所述第三導電類型半導體層上；

第四導電類型半導體層，設置在所述未摻雜半導體層上；

第五導電類型半導體層，設置在所述第四導電類型半導體層上；

柵絕緣膜，設置在所述未摻雜半導體層上；

柵電極，設置在所述柵絕緣膜上；

源電極，設置在所述第五導電類型半導體層上；以及

漏電極，設置在所述第三導電類型半導體層上。

4.根據權利要求3所述的發光器件，其中，所述源電極與漏電極之間的電流是通過所述柵電極與源電極之間的電壓來控制的，并且所述源電極與漏電極之間的電流被施加到設置在所述發光器件單元的第一導電類型半導體層上的電極或第二導電類型半導體層上的電極至少之一。

5.根據權利要求3所述的發光器件，其中，所述第三導電類型半導體層通過所述絕緣層與所述第一導電類型半導體層電隔離。

6.一種發光器件，包括：

接合層，設置在支撐襯底上；

絕緣層，設置在所述接合層上的一側；以及

晶體管單元，設置在所述絕緣層上，

其中，所述晶體管單元包括：

第三導電類型半導體層，設置在所述絕緣層上；

未摻雜半導體層，設置在所述第三導電類型半導體層上；

第四導電類型半導體層，設置在所述未摻雜半導體層上；

第五導電類型半導體層，設置在所述第四導電類型半導體層上；

柵絕緣膜，設置在所述未摻雜半導體層上；

柵電極，設置在所述柵絕緣膜上；

源電極，設置在所述第五導電類型半導體層上；以及

漏電極，設置在所述第三導電類型半導體層上。

7.根據權利要求6所述的發光器件，還包括：

發光器件單元，設置在所述接合層上的另一側，并且包括第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層，

其中，所述晶體管單元和所述發光器件單元通過所述絕緣層彼此隔離。

8.根據權利要求7所述的發光器件，其中，所述第三導電類型半導體層通過所述絕緣層與所述第一導電類型半導體層電隔離。

9.一種發光器件，包括：

支撐襯底；

晶體管單元，設置在所述支撐襯底上表面的一側；

發光器件單元，設置在所述支撐襯底上表面的另一側；以及

絕緣層，設置在所述晶體管單元與所述發光器件單元之間以及所述支撐襯底與所述晶體管單元之間，用于將所述晶體管單元與所述發光器件單元隔離。

10.根據權利要求9所述的發光器件，還包括：

接合層，設置在所述支撐襯底與所述絕緣層之間以及所述支撐襯底與所述發光器件單元之間。

11.根據權利要求10所述的發光器件，還包括：

至少一個溝道層，設置在所述接合層與所述發光器件單元下表面的邊緣之間。

12.根據權利要求11所述的發光器件，其中，所述至少一個溝道層設置在所述接合層與所述絕緣層之間。

13.根據權利要求9所述的發光器件，其中，所述發光器件單元包括依次設置在所述支撐襯底的上表面另一側的第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層。