[發(fā)明專利]復(fù)合式絕緣層及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210022539.8
• 申請(qǐng)日: 2012-02-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103182809A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭全利;柳朝綸;許枝峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 晟銘電子科技股份有限公司
• 主分類號(hào): B32B15/08
• 分類號(hào): B32B15/08;B32B18/00
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種復(fù)合式絕緣層，其包括：

一插槽基體；

一銜接層，設(shè)置于該插槽基體之上；

一導(dǎo)電金屬層，設(shè)置于該銜接層上；以及

一電著絕緣層，設(shè)置于該導(dǎo)電金屬層上。

2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合式絕緣層，其特征在于：所述電著絕緣層的材料包括環(huán)氧樹(shù)脂、壓克力樹(shù)脂、丙烯酸類化合物、聚氨酯其中之一或其組合。

3.如權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合式絕緣層，其特征在于：

所述復(fù)合式絕緣層進(jìn)一步包括一絕緣金屬層且所述絕緣金屬層設(shè)置于所述導(dǎo)電金屬層及所述電著絕緣層之間。

4.如權(quán)利要求3所述的復(fù)合式絕緣層，其特征在于：所述復(fù)合式絕緣層進(jìn)一步包括一絕緣陶瓷層且所述絕緣陶瓷層設(shè)置于所述絕緣金屬層及所述電著絕緣層之間。

5.如權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合式絕緣層，其特征在于：

所述復(fù)合式絕緣層進(jìn)一步包括一絕緣陶瓷層且所述絕緣陶瓷層設(shè)置于所述導(dǎo)電金屬層及所述電著絕緣層之間。

6.如權(quán)利要求4所述的復(fù)合式絕緣層，其特征在于：所述銜接層的厚度范圍介于大于0μm及小于或等于1μm之間；其中所述導(dǎo)電金屬層、所述絕緣金屬層及所述絕緣陶瓷層其中之一的厚度范圍介于大于0μm及小于或等于3μm之間；其中所述電著絕緣層的厚度范圍介于大于0μm及小于或等于500μm之間。

7.一種復(fù)合式絕緣層的制造方法，包括下列步驟：

設(shè)置一銜接層于一插槽基體上；

設(shè)置一導(dǎo)電金屬層于所述銜接層上；以及

設(shè)置一電著絕緣層于所述導(dǎo)電金屬層上。

8.如權(quán)利要求7所述的復(fù)合式絕緣層的制造方法，其特征在于：所述電著絕緣層是以電著法于所述導(dǎo)電金屬層上形成的，所述電著絕緣層的材料包括環(huán)氧樹(shù)脂、壓克力樹(shù)脂、丙烯酸類化合物、聚氨酯其中之一或其組合。

9.如權(quán)利要求7或8所述的復(fù)合式絕緣層的制造方法，其特征在于：所述復(fù)合式絕緣層進(jìn)一步設(shè)置一絕緣金屬層于所述導(dǎo)電金屬層及所述電著絕緣層之間。

10.如權(quán)利要求9所述的復(fù)合式絕緣層的制造方法，其特征在于：所述復(fù)合式絕緣層進(jìn)一步設(shè)置一絕緣陶瓷層于所述絕緣金屬層及所述電著絕緣層之間。

11.如權(quán)利要求7或8所述的復(fù)合式絕緣層的制造方法，其特征在于：所述復(fù)合式絕緣層進(jìn)一步設(shè)置一絕緣陶瓷層于所述導(dǎo)電金屬層及所述電著絕緣層之間。

12.如權(quán)利要求10所述的復(fù)合式絕緣層的制造方法，其特征在于：所述銜接層的厚度范圍介于大于0μm及小于或等于1μm之間；所述導(dǎo)電金屬層、所述絕緣金屬層及所述絕緣陶瓷層其中之一的厚度范圍介于大于0μm及小于或等于3μm之間；所述電著絕緣層的厚度范圍介于大于0μm及小于或等于500μm之間。