[發明專利]一種用于等離子體處理裝置的載片臺

有效

• 申請號: 201210022071.2
• 申請日: 2012-01-31
• 公開（公告）號: CN103227086A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 陶錚;凱文·佩爾斯;松尾裕史;曹雪操
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01J37/20
• 分類號: H01J37/20;H01L21/683
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種用于等離子體處理裝置的載片臺。

背景技術

半導體工藝件的邊緣效應是困擾半導體產業的一個問題。所謂半導體工藝件的邊緣效應是指在等離子體處理過程中，由于等離子體受電場控制，而上下兩極邊緣處的場強會受邊緣條件的影響，總有一部分電場線彎曲，而導致電場邊緣部分場強不均，進而導致該部分的等離子體濃度不均勻。在該種情況下，生產出的半導體工藝件周圍也存在一圈處理不均勻的區域。這一不均勻現象在射頻電場頻率越高時越明顯，在射頻頻率大于60MHZ甚至大于100Mhz時這一等離子濃度的不均勻性程度已經很難再用其它裝置如位于靜電夾盤邊緣的聚集環來調控。

由于半導體工藝件是圓形的，因此愈外圈面積愈大，邊緣部分的各個工藝環節的均一性不佳將導致成品率顯著下降。在普遍采用300mm制程的今天，半導體工藝件邊緣效應帶來的損失更為巨大。

因此，業內需要能夠簡單有效地改善邊緣效應，提高制程均一性。

發明內容

針對背景技術中的上述問題，本發明提出了能夠改善均一性的用于等離子體處理裝置的載片臺。

本發明第一方面提供了一種應用于等離子體處理裝置的用于承載玻璃基片的載片臺，其中，所述玻璃基片位于所述載片臺上方，其特征在于，所述載片臺包括：

第一電極，其與具有第一頻率的射頻電源連接，用于產生等離子體，

靜電吸盤，其位于所述第一電極上方，其中，所述靜電吸盤包括：

電介質層，其位于所述第一電介質層的下方，所述電介質層至少包括對應于玻璃基片中央區域的第一區域，對應于玻璃基片邊緣區域的第三區域，以及位于所述第一區域和所述第三區域之間的第二區域；

驅動裝置，其用于可選地驅動所述第一區域、第二區域和第三區域的其中之一進行垂直方向上的伸縮。

可選地，分別位于所述第一區域、所述第二區域和所述第三區域的電介質的介電值相同。

可選地，所述驅動裝置可選地驅動所述第一區域和第二區域進行垂直方向上的伸縮。

可選地，所述第一區域進行垂直方向上的伸縮產生的位于所述第一區域的真空空洞的體積大于所述第二區域進行垂直方向上的伸縮產生的位于所述第二區域的真空空洞的體積。

可選地，所述第一區域進行垂直方向上的伸縮產生的位于所述第一區域的真空空洞的體積等于所述第二區域進行垂直方向上的伸縮產生的位于所述第二區域的真空空洞的體積。

可選地，分別位于所述第一區域、第二區域和第三區域的電介質的介電值不同。

可選地，位于所述第一區域的電介質的介電值小于所述第二區域的電介質的介電值以及所述第三區域的電介質的介電值。

進一步地，所述驅動裝置包括電機裝置、液壓裝置、氣壓裝置。

其中，所述第一頻率為13M赫茲以上。

本發明第二方面還提供了一種等離子體處理裝置，其中，包括本發明第一方面提供的載片臺。

其中，所述第一頻率為13M赫茲以上。

本發明提供的載片臺及包括該載片臺的等離子體處理裝置能夠簡單有效地改善邊緣效應，提高制程均一性。

附圖說明

圖1是SOG的結構示意圖；

圖2是SOG受熱后表面突起的結構示意圖；

圖3是本發明的第一具體實施例的真空處理裝置的載片臺結構示意圖；

圖4是本發明對玻璃基片進行區域劃分的示意圖；

圖5是本發明的第二具體實施例的真空處理裝置的載片臺結構示意圖；

圖6是本發明的第三具體實施例的真空處理裝置的載片臺結構示意圖；

圖7是本發明的第四具體實施例的真空處理裝置的載片臺結構示意圖；

圖8是本發明的第五具體實施例的真空處理裝置的載片臺結構示意圖；

圖9是本發明的第六具體實施例的真空處理裝置的載片臺結構示意圖；

圖10是本發明發明效果示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖，對本發明的具體實施方式進行說明。

本發明通過將在真空處理裝置的位于下電極和玻璃基片之間的電介質劃分為多個可在垂直方向上伸縮移動的區域，以在對應于玻璃基片的不同位置產生一個或多個空洞，來改變所述下電極和玻璃基片下表面之間等效電容的介電常數，從而進一步改變所述等效電容的大小，以實現對玻璃基片的制程均一性進行優化。