[發明專利]一種用于等離子體處理裝置的載片臺

有效

• 申請號: 201210022071.2
• 申請日: 2012-01-31
• 公開（公告）號: CN103227086A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 陶錚;凱文·佩爾斯;松尾裕史;曹雪操
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01J37/20
• 分類號: H01J37/20;H01L21/683
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種應用于等離子體處理裝置的用于承載玻璃基片的載片臺，其中，所述玻璃基片位于所述載片臺上方，其特征在于，所述載片臺包括：

第一電極，其與具有第一頻率的射頻電源連接，用于產生等離子體，

靜電吸盤，其位于所述第一電極上方，其中，所述靜電吸盤包括：

電介質層，所述電介質層至少包括對應于玻璃基片中央區域的第一區域，對應于玻璃基片邊緣區域的第三區域，以及位于所述第一區域和所述第三區域之間的第二區域，

驅動裝置，其用于可選地驅動所述第一區域、第二區域和第三區域的其中之一進行垂直方向上的伸縮。

2.根據權利要求1所述的載片臺，其特征在于，分別位于所述第一區域、所述第二區域和所述第三區域的電介質的介電值相同。

3.根據權利要求2所述的載片臺，其特征在于，所述驅動裝置可選地驅動所述第一區域和第二區域進行垂直方向上的伸縮。

4.根據權利要求3所述的載片臺，其特征在于，所述第一區域進行垂直方向上的伸縮產生的位于所述第一區域的真空空洞的體積大于所述第二區域進行垂直方向上的伸縮產生的位于所述第二區域的真空空洞的體積。

5.根據權利要求3所述的載片臺，其特征在于，所述第一區域進行垂直方向上的伸縮產生的位于所述第一區域的真空空洞的體積等于所述第二區域進行垂直方向上的伸縮產生的位于所述第二區域的真空空洞的體積。

6.根據權利要求1所述的載片臺，其特征在于，分別位于所述第一區域、第二區域和第三區域的電介質的介電值不同。

7.根據權利要求6所述的載片臺，其特征在于，位于所述第一區域的電介質的介電值小于所述第二區域的電介質的介電值以及所述第三區域的電介質的介電值。

8.根據權利要求1所述的載片臺，其特征在于，所述驅動裝置包括電機裝置、液壓裝置、氣壓裝置。

9.根據權利要求1至8任一項所述的載片臺，其特征在于，所述第一頻率為13M赫茲以上。

10.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括權利要求1至8任一項所述的載片臺。

11.根據權利要求10所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一頻率為13M赫茲以上。