[發明專利]半導體結構及其制造方法有效
| 申請號： | 201210021446.3 | 申請日： | 2012-01-31 |
| 公開（公告）號： | CN103227171A | 公開（公告）日： | 2013-07-31 |
| 發明（設計）人： | 陳建志;陳立凡;林正基;連士進;吳錫垣 | 申請（專利權）人： | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 周國城 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體結構，包括：
一第一摻雜區，包括一第一接觸區，其中該第一摻雜區與該第一接觸區具有一第一導電型；以及
一第二摻雜區，包括一第二接觸區，其中該第二摻雜區與該第二接觸區具有相反于該第一導電型的一第二導電型，該第一摻雜區是鄰近該第二摻雜區。
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中該半導體結構為一靜電放電防護裝置。
3.根據權利要求1所述的半導體結構，更包括一第一導電結構，是與該第一接觸區電性連接，其中該第一導電結構是用以將一電流導向該第一接觸區。
4.根據權利要求1所述的半導體結構，更包括一第二導電結構，是與該第二接觸區電性連接，其中該第二導電結構是用以將一電流導離該第二接觸區。
5.根據權利要求1所述的半導體結構，更包括一介電結構，形成于該第一摻雜區上，其中該第一接觸區是由該介電結構所定義出。
6.根據權利要求1所述的半導體結構，更包括一介電結構，形成于該第一摻雜區上，其中該介電結構包括一第一介電部份與一第二介電部份，該第一接觸區是介于該第一介電部份與該第二介電部份之間。
7.根據權利要求1所述的半導體結構，其中該第一摻雜區更包括：
一第一體摻雜部份；以及
一側摻雜部份，其中該第一體摻雜部份與該側摻雜部份具有該第一導電型，該側摻雜部份是鄰近在該第一體摻雜部份與該第二摻雜區之間。
8.根據權利要求1所述的半導體結構，其中該側摻雜部份包括一第一次側部份與一第二次側部份，其中該第一次側部份與該第二次側部份具有該第一導電型，該第二次側部份被形成于該第一次側部份中。
9.根據權利要求1所述的半導體結構，更包括一第一摻雜埋藏區，位于該第二摻雜區下，其中該第一摻雜埋藏區具有該第一導電型。
10.一種半導體結構的制造方法，包括：
于一襯底中形成一第一摻雜區，其中該第一摻雜區包括一第一接觸區，該第一摻雜區與該第一接觸區具有一第一導電型；以及
于該襯底中形成一第二摻雜區，其中該第二摻雜區包括一第二接觸區，該第二摻雜區與該第二接觸區具有相反于該第一導電型的一第二導電型，該第一摻雜區是鄰近該第二摻雜區。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
