[發明專利]陰影掩膜及其補償設計方法

無效

• 申請號: 201210021076.3
• 申請日: 2012-01-30
• 公開（公告）號: CN103225059A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 朱啟寶;姜義堂;陳思孝;楊冠懿;陳冠州;李宜憓;溫晉達
• 申請（專利權）人: 群康科技(深圳)有限公司;奇美電子股份有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

技術領域

本發明有關于掩膜的補償設計方法，且特別是有關于陰影掩膜的補償設計方法。

背景技術

現今液晶顯示器的工藝多以微影蝕刻的方式于玻璃基板上成膜，以于玻璃基板上制作主動或被動元件。由于以微影蝕刻的方式成膜的成本相當高且耗時，因此，為加快生產速度及降低制作成本，業界發展出以濺鍍法搭配陰影掩膜的方式成膜，以直接于玻璃基板上制作出圖案化的薄膜。然而，使用陰影掩膜制作出的薄膜圖案具有解析度不高及線寬變異大的缺點，因此只適用于圖樣精細度要求低的保護層及鈍化層。

當應用陰影掩膜成膜的方式于尺寸較小的玻璃基板(小于3.5代)上時，鍍膜誤差尚在可接受范圍。然而，當玻璃基板的尺寸越來越大時(大于3.5代)，鍍膜過程中因機構與溫度造成的玻璃變形量也隨之增加。大尺寸玻璃基板的變形會造成陰影掩膜遮蔽精度下降，以致于薄膜圖案解析度下降且線寬變異升高至超過可容忍值。因此，需要發展新的技術以使大尺寸的玻璃基板也可使用陰影掩膜成膜技術。

發明內容

本發明一實施例提供一種陰影掩膜的補償設計方法，包括：設置一第一陰影掩膜于一基板上，該第一陰影掩膜具有一第一實體圖案以及與該第一實體圖案互補的一第一開口圖案，該第一實體圖案遮蔽該基板的一第一預定鍍膜開口區，該第一預定鍍膜開口區具有在一軸上相對的一第一側與一第二側；以該第一陰影掩膜為遮罩進行一沉積工藝，以于該基板上形成一鍍膜，該鍍膜具有一位于該第一實體圖案下方的第一開口，其中該第一開口具有在該軸上相對的一第三側與一第四側，該第一側與該第三側相鄰，該第二側與該第四側相鄰，其中該第三側相對于該第一側的距離差為一第一偏差，該第二側相對于該第四側的距離差為一第二偏差，該第一開口相對于該第一預定鍍膜開口區的一第一單側擴散距離為該第一偏差與該第二偏差之和的二分之一；以及依照該第一單側擴散距離設計一相似但不同于該第一陰影掩膜的第二陰影掩膜，該第二陰影掩膜具有一第二實體圖案以及與該第二實體圖案互補的一第二開口圖案，其中該第二開口圖案的大小不同于該第一開口圖案。

本發明另一實施例提供一種陰影掩膜，包括：一實體圖案以及一與該實體圖案互補的開口圖案，其中該實體圖案包括呈陣列排列的多個圖案單元，所述圖案單元至少包括一第一圖案單元與一第二圖案單元，該第一圖案單元具有一第一基本圖案以及一自該第一基本圖案的邊緣沿一軸朝向該開口圖案延伸的第一補償圖案，該第二圖案單元具有一第二基本圖案以及一自該第二基本圖案的邊緣沿該軸朝向該開口圖案延伸的第二補償圖案，其中該第一基本圖案與該第二基本圖案的形狀與大小皆相同，該第一補償圖案的延伸距離不等于該第二補償圖案的延伸距離。

本發明的鍍膜可不受薄膜擴散特性的影響，進而具有較佳的圖案解析度與較低的線寬變異。

附圖說明

圖1至圖3繪示本發明多個實施例的陰影掩膜的第一開口圖案與實際成膜圖案的上視圖。

圖4A至圖4D繪示本發明一實施例的陰影掩膜的補償設計方法的流程剖面圖。

圖5A至圖5D分別繪示圖4A至圖4D的陰影掩膜與基板的上視圖。

圖6A至圖6D繪示本發明另一實施例的陰影掩膜的補償設計方法的流程剖面圖。

圖7A至圖7D分別繪示圖6A至圖6D的陰影掩膜與基板的上視圖。

圖8A至圖8C繪示本發明一實施例的鍍膜工藝的示意圖，其中圖8A與圖8C為上視圖，圖8B為剖面圖。

圖9繪示本發明另一實施例的陰影掩膜的上視圖。

附圖標號：

800～陰影掩膜；

A1～第一實體圖案；

A2～第二實體圖案；

A8～實體圖案；

A41～第一實體圖案；

A811、A911～第一基本圖案；

A812、A912～第一補償圖案；

A42～第二實體圖案；

A421、A621、A821～基本圖案、第二基本圖案；

A421a～邊緣；

A422、A622、A822～補償圖案、第二補償圖案；

A61～第一圖案；

A62～第二圖案；

A63～第一邊緣圖案；

A64～第三邊緣圖案；

A65～第二邊緣圖案；

A651～第二基本圖案；

A652～第二補償圖案；

A66～第四邊緣圖案；

A661～第三基本圖案；

A662～第三補償圖案；

AX～軸；

B1、B41、B61～第一側；