[發明專利]制造半導體器件的方法

無效

• 申請號: 201210020891.8
• 申請日: 2012-01-30
• 公開（公告）號: CN102810557A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 金相憲
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/41
• 分類號: H01L29/41;H01L27/108;H01L21/28;H01L21/8242
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 顧紅霞;何勝勇

1.一種半導體器件，包括：

第一存儲節點觸點插塞，其設置在半導體基板上方的觸點孔中；

第二存儲節點觸點插塞，其為接墊型，形成在所述第一存儲節點觸點插塞上；

第三存儲節點觸點插塞，其為桿型，形成在所述第二存儲節點觸點插塞上；以及

下電極，其為桿型，形成在所述第三存儲節點觸點插塞上。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述第三存儲節點觸點插塞在水平面上占據的面積比所述第二存儲節點觸點插塞占據的面積小。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

沿著與位線平行的方向布置的多個相鄰的第三存儲節點觸點插塞中的每一個第三存儲節點觸點插塞設置在位于下方的所述第二存儲節點觸點插塞的第一部分的正上方。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

沿著與位線平行的方向布置的多個相鄰的第三存儲節點觸點插塞中的每一個第三存儲節點觸點插塞設置在位于下方的所述第二存儲節點觸點插塞的不同部分的正上方。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述下電極在長軸方向上的長度比所述第三存儲節點觸點插塞在長軸方向上的長度長。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述第二存儲節點觸點插塞的寬度大于所述第一存儲節點觸點插塞的寬度。

7.一種制造半導體器件的方法，包括：

在半導體基板上方的觸點孔中形成第一存儲節點觸點插塞；

在所述第一存儲節點觸點插塞上形成接墊型的第二存儲節點觸點插塞；

在所述第二存儲節點觸點插塞上形成桿型的第三存儲節點觸點插塞；以及

在所述第三存儲節點觸點插塞上形成桿型的下電極。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，

所述第三存儲節點觸點插塞在水平面上占據的面積比所述第二存儲節點觸點插塞占據的面積小。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，

沿著與位線平行的方向布置的多個相鄰的第三存儲節點觸點插塞中的每一個第三存儲節點觸點插塞設置在位于下方的所述第二存儲節點觸點插塞的第一部分的正上方。

10.根據權利要求7所述的方法，其中，

沿著與位線平行的方向布置的多個相鄰的第三存儲節點觸點插塞中的每一個第三存儲節點觸點插塞設置在位于下方的所述第二存儲節點觸點插塞的不同部分的正上方。

11.根據權利要求7所述的方法，其中，

所述下電極在長軸方向上的長度比所述第三存儲節點觸點插塞在長軸方向上的長度長。

12.根據權利要求7所述的方法，其中，

所述第二存儲節點觸點插塞的寬度大于所述第一存儲節點觸點插塞的寬度。

13.一種半導體器件，包括：

半導體基板；

位線，其沿著第一方向設置；

觸點孔，其設置在所述半導體基板上；

第一級存儲節點觸點插塞，其設置在所述觸點孔中；

第二級存儲節點觸點插塞，其設置在所述第一級存儲節點觸點插塞上并且與所述第一級存儲節點觸點插塞連接；

第三級存儲節點觸點插塞，其設置在第二級存儲節點觸點插塞上并且與所述第二級存儲節點觸點插塞連接；以及

下電極，其設置在一組第二級存儲節點觸點插塞上并且與所述第三級存儲節點觸點插塞連接，

其中，所述一組第二級存儲節點觸點插塞包括多個第二級存儲節點觸點插塞。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其中，

所述組中的第二級存儲節點觸點插塞沿著所述第一方向設置。

15.根據權利要求13所述的半導體器件，其中，

所述組中的第二級存儲節點觸點插塞沿著與所述第一方向垂直的第二方向設置。

16.根據權利要求13所述的半導體器件，其中，

所述組由五個第二級存儲節點觸點插塞組成。