[發(fā)明專利]電容耦合器封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210019307.7
• 申請(qǐng)日: 2012-01-20
• 公開（公告）號(hào): CN102623439A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚皓然;劉建宏;溫英男;李士儀;楊惟中;樓百堯;李宏仁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及封裝技術(shù)，且特別是涉及電容耦合器的封裝技術(shù)。

背景技術(shù)

電容耦合器為一種常用的隔離技術(shù)，其可在不通過任何電流的情況下進(jìn)行信號(hào)交換，減少由接地電位差所導(dǎo)致的雜訊及損害。

傳統(tǒng)的電容耦合器中，由于電容器與接收器及傳送器均是以導(dǎo)線連接。因此，有較高的電阻電容延遲(RC?delay)，導(dǎo)致電容耦合器的整體效能不佳。

系統(tǒng)單芯片型(system?on?chip)的電容耦合器可提供較快的資訊傳輸速度、較低的功率損耗及較高的電磁抗擾性，其為將電容器及接收器設(shè)置于同一基材上，以降低電容器及電阻器之間的阻抗。參見圖1，電容器120直接設(shè)置在接收器芯片130上，且電容器120以焊線190與傳送器芯片140電連接。

然而，為了使系統(tǒng)單芯片型的電容耦合器具有高崩潰電壓(例如大于5kV)例如，需使用較厚的電容介電層(例如1.2μm)，因而易造成晶片翹曲的問題。US?2008/0277761發(fā)表了一種系統(tǒng)單芯片型的電容耦合器，其中的電容器使用多種介電材料的堆疊層以降低電容介電層的厚度。然而，這也造成系統(tǒng)單芯片型的電容耦合器制造成本高昂。

因此，業(yè)界需要的是一種能夠同時(shí)具有較低的電阻電容延遲及低制造成本的電容耦合器。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種電容耦合器封裝結(jié)構(gòu)，以解決上述問題。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種電容耦合器封裝結(jié)構(gòu)，包括：一基材，其上具有至少一電容器及一接收器，此電容器包含一第一電極層及一第二電極層，以及一電容介電層設(shè)置于其間，其中此第一電極層以一焊球與此接收器電連接；以及一傳送器，與此第二電極層電連接。

本發(fā)明的實(shí)施例也提供一種電容耦合器封裝結(jié)構(gòu)，包括：一基材，具有一上表面及一下表面，至少一電容器，設(shè)置于此基材的上表面，此電容器至少包含一第一導(dǎo)電層及一第二導(dǎo)電層，以及一電容介電層設(shè)置于其間；一接收器，位于此基材的下表面；以及一傳遞器，位于此基材的下表面，且與此接收器間隔設(shè)置，其中此第一導(dǎo)電層及此第二導(dǎo)電層各自沿著此基材的兩側(cè)延伸至此接收器及此傳送器作電連接。

為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下：

附圖說明

圖1為傳統(tǒng)系統(tǒng)單芯片型的電容耦合器封裝結(jié)構(gòu)的上視圖；

圖2及圖3為本發(fā)明一實(shí)施例的電容耦合器封裝結(jié)構(gòu)的上視圖及剖視圖；

圖4至圖7為本發(fā)明多個(gè)替代實(shí)施例的電容耦合器封裝結(jié)構(gòu)的多種變化的剖視圖；

圖8及圖9各自為本發(fā)明另一實(shí)施例的電容耦合器封裝結(jié)構(gòu)的上視圖及剖視圖。

主要元件符號(hào)說明

120～電容器?????????????130～接收器

140～傳送器?????????????190～焊線

210～絕緣基材???????????210a～絕緣基材上表面

210b～絕緣基材下表面????220～電容器

230～接收器?????????????240～傳送器

250～焊球???????????????260～第一金屬層

270～第二金屬層?????????280～電容介電層

290～焊線???????????????300～連接墊

310～焊球???????????????320～焊球

330～焊球

具體實(shí)施方式

以下將詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定型式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號(hào)或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地?cái)⑹霰景l(fā)明，不代表所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間必然具有任何關(guān)連性。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時(shí)，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。

本發(fā)明的實(shí)施例關(guān)于一種電容耦合器的封裝結(jié)構(gòu)。圖2及圖3各自繪示本發(fā)明一實(shí)施例的電容耦合器封裝結(jié)構(gòu)的上視圖及剖視圖。圖4至圖7繪示本發(fā)明多個(gè)實(shí)施例的電容耦合器封裝結(jié)構(gòu)的多種變化的剖視圖。圖8及圖9各自繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的電容耦合器封裝結(jié)構(gòu)的上視圖及剖視圖。