[發明專利]電容耦合器封裝結構

有效

• 申請號: 201210019307.7
• 申請日: 2012-01-20
• 公開（公告）號: CN102623439A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 姚皓然;劉建宏;溫英男;李士儀;楊惟中;樓百堯;李宏仁
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種電容耦合器封裝結構，包括：

基材，其上具有至少一電容器及一接收器，該電容器至少包含一第一電極層及一第二電極層，以及一電容介電層設置于其間，其中該第一電極層以一第一焊球與該接收器電連接；以及

傳送器，與該第二電極層電連接。

2.如權利要求1所述的電容耦合器封裝結構，其中該第一電極層為上電極層，該第二電極層為下電極層。

3.如權利要求2所述的電容耦合器封裝結構，其中該第一電極層還包含一側向延伸部分，且一部分的該接收器位于該側向延伸部分上。

4.如權利要求3所述的電容耦合器封裝結構，其中該側向延伸部分包含垂直延伸部分及水平延伸部分，且一部分的該接收器位于該水平延伸部分上。

5.如權利要求1所述的電容耦合器封裝結構，其中該第一電極層為下電極層，該第二電極層為上電極層。

6.如權利要求5所述的電容耦合器封裝結構，其中該第二電極層還包含側向延伸部分，且一部分的該傳送器位于該側向延伸部分上。

7.如權利要求1所述的電容耦合器封裝結構，其中該第二電極層以一第二焊球與該傳送器電連接。

8.如權利要求7所述的電容耦合器封裝結構，其中該傳送器設置于該基材上。

9.如權利要求1所述的電容耦合器封裝結構，其中該第二電極層以焊線與該傳送器電連接。

10.如權利要求1所述的電容耦合器封裝結構，其中該接收器設置于該電容器上。

11.如權利要求1所述的電容耦合器封裝結構，其中該電容介電層的厚度為約5～30μm。

12.如權利要求1所述的電容耦合器封裝結構，其中該基材上還包含連接墊，且該連接墊以一第三焊球與該接收器電連接。

13.如權利要求1所述的電容耦合器封裝結構，其中該接收器外側至該傳送器外側的距離大于約9mm。

14.如權利要求1所述的電容耦合器封裝結構，其中該基材為絕緣基材。

15.一種電容耦合器封裝結構，包括：

基材，具有上表面及下表面，

至少一電容器，設置于該基材的上表面，該電容器至少包含一第一導電層及一第二導電層，以及一電容介電層設置于其間；

接收器，位于該基材的下表面；以及

傳遞器，位于該基材的下表面，且與該接收器間隔設置，

其中該第一導電層及該第二導電層各自沿著該基材的兩側延伸至該接收器及該傳送器作電連接。

16.如權利要求15所述的電容耦合器封裝結構，其中該第一導電層為上電極層，該第二導電層為下電極層。

17.如權利要求15所述的電容耦合器封裝結構，其中該第一導電層為下電極層，該第二導電層為上電極層。

18.如權利要求15項所述的電容耦合器封裝結構，其中該電容器具有與該基材大體上相同的水平長度。

19.如權利要求15所述的電容耦合器封裝結構，其中該接收器外側至該傳送器外側的距離大于約9mm。

20.如權利要求15所述的電容耦合器封裝結構，其中該基材為絕緣基材。