[發(fā)明專(zhuān)利]一種鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210018209.1
• 申請(qǐng)日: 2012-01-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102543856A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊渝書(shū);李程;陳玉文
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 上海新天專(zhuān)利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明設(shè)計(jì)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其是一種鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法。

背景技術(shù)

后段鋁線布線工藝廣泛被應(yīng)用于線寬0.15um以上的芯片生產(chǎn)工藝中，鋁線刻蝕工藝是其中的關(guān)鍵，這不僅因?yàn)檫@道工藝決定了鋁線圖形的形成，還因?yàn)殇X線刻蝕過(guò)程產(chǎn)生的圖形缺陷（pattern?fail）對(duì)芯片良率的影響非常的大，一般而言，單層的鋁線圖形缺陷良率殺傷率（killer?ratio）在50%，即一個(gè)芯片（die）中有一個(gè)鋁線圖形缺陷，這個(gè)die失效的可能性是50%。后段的鋁線布線重復(fù)堆疊最多可到6次，更大大加大了芯片失效的可能性，所以鋁線刻蝕圖形缺陷也被稱(chēng)為鋁線布線工藝芯片生產(chǎn)的頭號(hào)殺手，特別是邏輯芯片產(chǎn)品，由于沒(méi)有記憶體芯片產(chǎn)品的修復(fù)(repair)功能，而受到的影響更大。在現(xiàn)行的標(biāo)準(zhǔn)八寸邏輯芯片生產(chǎn)廠，一般以整片晶圓一定的受損率（impact?ratio：即整片晶圓受鋁線圖形缺陷影響的芯片數(shù)與總芯片數(shù)的百分比）來(lái)界定，即超過(guò)一定受損率的晶圓（如10%）就整片在線報(bào)廢，這樣會(huì)造成芯片生產(chǎn)的巨大損失。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有鋁線刻蝕工藝中存在的上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法。

本發(fā)明解決技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)手段為：

一種鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法，其中，包括如下具體步驟：

步驟a、于一存在圖形缺陷的鋁互聯(lián)結(jié)構(gòu)表面形成一第一阻擋層；

步驟b、對(duì)所述鋁互聯(lián)結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，直至所述鋁互聯(lián)結(jié)構(gòu)被去除；

步驟c、去除刻蝕后表面的殘留物質(zhì)；

步驟d、使刻蝕后表面平整。

上述鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法，其中，所述鋁互聯(lián)結(jié)構(gòu)從上到下依次為：絕緣抗反射層、第二阻擋層、鋁層、第三阻擋層。

上述鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法，其中，步驟c中去除刻蝕后表面殘留物質(zhì)的方法為化學(xué)清洗。

上述鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法，其中，步驟d中平整刻蝕后表面的方法為化學(xué)機(jī)械研磨。

上述鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法，其中，所述第一阻擋層材質(zhì)為底部抗反射層聚合物。

上述鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法，其中，第二阻擋層材質(zhì)為鈦或氮化鈦，所述第三阻擋層材質(zhì)為鈦或氮化鈦。

上述鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法，其中，所述步驟b中刻蝕所述鋁互聯(lián)結(jié)構(gòu)的具體方法包括如下步驟：

步驟b1、刻蝕所述絕緣抗反射層和第二阻擋層，直至所述絕緣抗反射層與所述第二阻擋層被去除；

步驟b2、刻蝕所述鋁層，直至所述鋁層被去除；

步驟b3、刻蝕所述第三阻擋層，使所述第三阻擋層被去除，并過(guò)刻蝕一定量的第三阻擋層的下層物質(zhì)；

步驟b4、使用刻蝕機(jī)臺(tái)自帶的去膠腔進(jìn)行剩余第一阻擋層和生成聚合物的去除。

上述鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法，其中，所述步驟b1中刻蝕所述絕緣抗反射層采用Cl2氣體和CHF3氣體，刻蝕所述第二阻擋層采用Cl2氣體和BCl3氣體，并采用TixCly離子光譜偵測(cè)刻蝕終點(diǎn)。

上述鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法，其中，所述步驟b2中刻蝕所述鋁層采用Cl2氣體和BCl3氣體，并采用AlxCly離子光譜強(qiáng)度偵測(cè)刻蝕終點(diǎn)。

上述鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法，其中，所述步驟b3中刻蝕所述第三阻擋層采用Cl2氣體和BCl3氣體，并采用TixCly離子光譜強(qiáng)度偵測(cè)刻蝕終點(diǎn)。

本發(fā)明的有益效果是：

采用本法明所提供的方法，可以對(duì)受到鋁線圖形缺陷影響的布線層進(jìn)行重做，從而避免了晶圓的報(bào)廢。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明一種鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法的流程圖；

圖2是本發(fā)明一種鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法刻蝕鋁互聯(lián)結(jié)構(gòu)的流程圖；

圖3是本發(fā)明一種鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法的步驟a完成后的結(jié)構(gòu)狀態(tài)示意圖；

圖4是本發(fā)明一種鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法的步驟b1完成后的結(jié)構(gòu)狀態(tài)示意圖；

圖5是本發(fā)明一種鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法的步驟b2完成后的結(jié)構(gòu)狀態(tài)示意圖；

圖6是本發(fā)明一種鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法的步驟b3完成后的結(jié)構(gòu)狀態(tài)示意圖；

圖7是本發(fā)明一種鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法的步驟b4完成后的結(jié)構(gòu)狀態(tài)示意圖；

圖8是本發(fā)明一種鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法的步驟d完成后的結(jié)構(gòu)狀態(tài)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明，但不作為本發(fā)明的限定。

如圖1所示本發(fā)明一種鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法其中，包括如下具體步驟：