[發(fā)明專利]一種鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210018209.1
• 申請(qǐng)日: 2012-01-20
• 公開（公告）號(hào): CN102543856A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊渝書;李程;陳玉文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法，其特征在于，包括如下具體步驟：

步驟a、于一存在圖形缺陷的鋁互聯(lián)結(jié)構(gòu)表面形成一第一阻擋層；

步驟b、對(duì)所述鋁互聯(lián)結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，直至所述鋁互聯(lián)結(jié)構(gòu)被去除；

步驟c、去除刻蝕后表面的殘留物質(zhì)；

步驟d、使刻蝕后表面平整。

2.如權(quán)利要求1所述鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述鋁互聯(lián)結(jié)構(gòu)從上到下依次為：絕緣抗反射層、第二阻擋層、鋁層、第三阻擋層。

3.如權(quán)利要求1所述鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法，其特征在于，步驟c中去除刻蝕后表面殘留物質(zhì)的方法為化學(xué)清洗。

4.如權(quán)利要求1所述鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法，其特征在于，步驟d中平整刻蝕后表面的方法為化學(xué)機(jī)械研磨。

5.如權(quán)利要求2所述鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述第一阻擋層材質(zhì)為底部抗反射層聚合物。

6.如權(quán)利要求5所述鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法，其特征在于，第二阻擋層材質(zhì)為鈦或氮化鈦，所述第三阻擋層材質(zhì)為鈦或氮化鈦。

7.如權(quán)利要求6所述鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述步驟b中刻蝕所述鋁互聯(lián)結(jié)構(gòu)的具體方法包括如下步驟：

步驟b1、刻蝕所述絕緣抗反射層和第二阻擋層，直至所述絕緣抗反射層與所述第二阻擋層被去除；

步驟b2、刻蝕所述鋁層，直至所述鋁層被去除；

步驟b3、刻蝕所述第三阻擋層，使所述第三阻擋層被去除，并過(guò)刻蝕一定量的第三阻擋層的下層物質(zhì)；

步驟b4、使用刻蝕機(jī)臺(tái)自帶的去膠腔進(jìn)行剩余第一阻擋層和生成聚合物的去除。

8.如權(quán)利要求7所述鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述步驟b1中刻蝕所述絕緣抗反射層采用Cl2氣體和CHF3氣體，刻蝕所述第二阻擋層采用Cl2氣體和BCl3氣體，并采用TixCly離子光譜偵測(cè)刻蝕終點(diǎn)。

9.如權(quán)利要求7所述鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述步驟b2中刻蝕所述鋁層采用Cl2氣體和BCl3氣體，并采用AlxCly離子光譜強(qiáng)度偵測(cè)刻蝕終點(diǎn)。

10.如權(quán)利要求7所述鋁刻蝕圖形缺陷的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述步驟b3中刻蝕所述第三阻擋層采用Cl2氣體和BCl3氣體，并采用TixCly離子光譜強(qiáng)度偵測(cè)刻蝕終點(diǎn)。