[發明專利]高頻開關有效
| 申請號: | 201210017976.0 | 申請日: | 2012-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN103219566A | 公開(公告)日: | 2013-07-24 |
| 發明(設計)人: | 丹治康紀;杉浦毅 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01P1/15 | 分類號: | H01P1/15;H03K17/693 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高頻 開關 | ||
1.一種高頻開關,其特征在于,包括:
至少一個發送端口,所述發送端口用于輸入發送信號;
至少一個接收端口,所述接收端口用于輸出接收信號;
共用端口,所述共用端口用于發送所述發送信號或接收所述接收信號;
發送側串聯開關,具有接觸型場效應晶體管,所述發送側串聯開關連接于所述發送端口與所述共用端口之間;
發送側分路開關,具有接觸型場效應晶體管,所述發送側分路開關連接于所述發送端口與地面之間;
接收側串聯開關,具有接觸型場效應晶體管,所述接收側串聯開關連接于所述接收端口與所述共用端口之間;以及
接收側分路開關,具有至少一個浮體型場效應晶體管,所述接收側分路開關連接于所述接收端口與地面之間。
2.根據權利要求1所述的高頻開關,其特征在于,
所述接收側分路開關具有多個浮體型場效應晶體管,所述多個浮體型場效應晶體管的源極/漏極串聯連接,從而確保高頻信號從所述接收端口傳輸到接地端的傳輸路徑。
3.根據權利要求1所述的高頻開關,其特征在于,
發送所述發送信號時,
連接于輸入所述發送信號的發送端口與所述共用端口之間的發送側串聯開關變為導通,
連接于所述發送端口與接地端之間的發送側分路開關變為截止,
除了所述發送側串聯開關以外的其他發送側串聯開關以及所有所述接收側串聯開關變為截止,
除了所述發送側分路開關以外的其他發送側分路開關以及所有所述接收側分路開關變為導通,
接收所述接收信號時,
連接于輸出所述接收信號的接收端口與所述共用端口之間的接收側串聯開關變為導通,
連接于所述接收端口與接地端之間的接收側分路開關變為截止,
除了所述接收側串聯開關以外的其他接收側串聯開關以及所有所述發送側串聯開關變為截止,
除了所述接收側分路開關以外的其他接收側分路開關以及所有所述發送側分路開關變為導通。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的高頻開關,其特征在于,
所述共用端口連接于天線。
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