[發明專利]高頻開關

有效

• 申請號: 201210017976.0
• 申請日: 2012-01-19
• 公開（公告）號: CN103219566A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 丹治康紀;杉浦毅
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01P1/15
• 分類號: H01P1/15;H03K17/693
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

技術領域

本發明涉及高頻開關。

背景技術

近來，正在積極進行便攜式電話等無線通信設備的小型化。無線通信設備內部具有多個半導體集成電路，因此如果要實現無線通信設備的小型化，則簡化或縮小這些半導體集成電路變為尤為重要。作為設置在無線通信設備內部的半導體集成電路，包括在天線與發送/接收電路之間切換高頻信號的傳輸路徑的高頻半導體開關(下面稱為高頻開關)。

在無線通信系統中，高頻開關包括分別連接于多個發送/接收電路的多個高頻端口以及連接于天線的共用端口。高頻開關在多個高頻端口與共用端口之間切換高頻信號的傳輸路徑，從而選擇連接于高頻開關的多個發送/接收電路中的一個與天線電連接(參照下面專利文獻1)。根據專利文獻1公開的高頻開關，作為SOI(Silicon?On?Insulator，絕緣體上硅)基板上的開關元件，具有多個MOS型場效應晶體管(下面稱為MOSFET)，以此切換各高頻端口與共用端口之間的高頻信號的傳輸路徑。

專利文獻1：日本專利公開2005-515657號公報

發明內容

本發明的目的在于提供一種高頻開關，利用形成在SOI基板上的MOSFET，維持高頻信號的傳輸路徑上的良好的高頻特性，并且縮小了電路規模。

本發明的上述目的通過以下手段實現。

根據本發明的一個方面的高頻開關包括至少一個發送端口、至少一個接收端口、共用端口、發送側串聯開關、發送側分路開關、接收側串聯開關以及接收側分路開關。發送端口用于輸入發送信號，接收端口用于輸出接收信號，共用端口用于發送發送信號或接收接收信號。發送側串聯開關具有接觸型FET，連接于發送端口與共用端口之間。發送側分路開關具有接觸型FET，連接于發送端口與接地端之間。接收側串聯開關具有接觸型FET，連接于接收端口與共用端口之間。接收側分路開關具有至少一個浮體型FET，連接于接收端口與接地端之間。

根據本發明的高頻開關，能夠維持高頻信號的傳輸路徑上的良好的高頻特性，還能夠縮小電路尺寸。并且能夠提高接收側的隔離特性。

附圖說明

圖1是根據本發明第一實施方式的高頻開關電路圖。

圖2是根據本發明第一實施方式的高頻開關所使用的SOIFET剖面圖。

圖3是根據本發明第一實施方式的變形例中的高頻開關的簡要框圖。

具體實施方式

下面，參照附圖對本發明的高頻開關的第一實施方式進行說明。本發明的高頻開關廣泛應用于UMTS(Universal?Mobile?Telecommunications?System，通用移動通信系統)、GSM(Global?System?for?Mobile?Communications，全球移動通信系統)等無線通信系統的高頻開關。

(一實施方式)

圖1是根據本發明第一實施方式的高頻開關電路圖。在本實施方式的高頻開關電路中，在施加的高頻信號的功率較大的部分配置針對大功率具有良好的高頻特性的FET，且在施加的高頻信號的功率較低的部分配置電路規模小且插入損耗低的FET。

如圖1所示，本實施方式的高頻開關100包括發送端口10、接收端口20、共用端口30、發送側串聯開關40、發送側分路開關50、接收側串聯開關60以及接收側分路開關70。

發送端口10是用于輸入發送信號的端口。發送端口10連接于發送側串聯開關40的信號輸入端子和發送側分路開關50的信號輸入端子。來自發送電路(未圖示)的發送信號通過發送端口10傳輸到發送側串聯開關40和發送側分路開關50。

接收端口20是用于輸出接收信號的端口。接收端口20連接于接收側串聯開關60的信號輸出端子和接收側分路開關70的信號輸入端子。來自接收側串聯開關60的接收信號通過接收端口20傳輸到接收電路(未圖示)。

共用端口30是用于發送發送信號或接收接收信號的端口。共用端口30連接于發送側串聯開關40的信號輸出端子以及接收側串聯開關60的信號輸入端子。并且，在本實施方式中，共用端口30直接連接于天線。但是，共用端口30也可以通過其他結構連接于天線。

發送側串聯開關40用于在發送端口10與共用端口30之間確保或斷開高頻信號的傳輸路徑。發送側串聯開關40具有至少一個接觸型(Body?Contact)FET，連接于發送端口10與共用端口30之間。本實施方式的接觸型FET是由SOI技術形成的N-MOSFET。后面詳細說明接觸型FET的結構以及特性。