[發明專利]晶棒表面納米化工藝、晶圓制造方法及其晶圓

無效

• 申請號: 201210017290.1
• 申請日: 2012-01-19
• 公開（公告）號: CN103160930A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 錢俊逸;李建志;楊昆霖;徐文慶
• 申請（專利權）人: 昆山中辰矽晶有限公司
• 主分類號: C30B33/00
• 分類號: C30B33/00;C30B33/10
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種晶棒表面納米化工藝，其特征在于，在晶棒進行切片步驟之前，先針對晶棒的至少一表面進行一表面處理步驟，以在所述表面形成一具有納米結構的微結構層。

2.如權利要求1所述的晶棒表面納米化工藝，其特征在于，所述表面處理步驟是針對所述表面進行濕蝕刻。

3.如權利要求2所述的晶棒表面納米化工藝，其特征在于，所述表面處理步驟是將所述表面浸入至少由氫氟酸溶液、硝酸銀溶液、過氧化氫溶液及溶劑依照一預定比例混合所得的酸性蝕刻液。

4.如權利要求3所述的晶棒表面納米化工藝，其特征在于，所述酸性蝕刻液中的氫氟酸溶液、溶劑、硝酸銀溶液及過氧化氫溶液的比例為20:40:1:4。

5.如權利要求2所述的晶棒表面納米化工藝，其特征在于，所述表面處理步驟是將所述表面浸入至少由硝酸、磷酸與溶劑混合所得的蝕刻液。

6.一種晶圓制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

形成一晶棒，所述晶棒是由一初始晶棒所加工形成，所述晶棒具有一黏著面；

進行一表面處理步驟，以在所述黏著面形成一具有納米結構的微結構層；

提供一載具，并形成一連接層于所述黏著面的微結構層上，以利用所述連接層將所述晶棒固定在所述載具上；

進行一切片步驟。

7.如權利要求6所述的晶圓制造方法，其特征在于，所述表面處理步驟是針對所述黏著面進行濕蝕刻或干蝕刻。

8.如權利要求7所述的晶圓制造方法，其特征在于，所述表面處理步驟是將所述黏著面浸入至少由氫氟酸溶液、硝酸銀溶液、過氧化氫溶液及溶劑依照一預定比例混合所得的酸性蝕刻液；或者所述表面處理步驟是將所述黏著面浸入至少由硝酸、磷酸與溶劑混合所得的蝕刻液；或者所述表面處理步驟是利用等離子體將所述黏著面進行改質。

9.如權利要求8所述的晶圓制造方法，其特征在于，所述酸性蝕刻液中的氫氟酸溶液、溶劑、硝酸銀溶液及過氧化氫溶液的比例為20:40:1:4。

10.如權利要求6所述的晶圓制造方法，其特征在于，在進行一表面處理步驟的步驟中，還包括一將所述晶棒的全表面制作出所述具有納米結構的微結構層的步驟。

11.一種晶圓，是由一晶棒經過切割所形成的，所述晶圓具有至少一個由相鄰兩切割道所界定的側面，所述側面上形成一具有納米結構的微結構層。

12.如權利要求11所述的晶圓，其特征在于，所述的具有納米結構的微結構層是形成于所述側面的全部或一部分。

13.一種晶圓制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

形成一晶棒，所述晶棒是由一初始晶棒所加工形成；

進行一表面處理步驟，以在所述晶棒的表面上形成一具有納米結構的微結構層；

提供一載具，并形成一連接層于所述微結構層上，以利用所述連接層將所述晶棒固定在載具上；

進行一切片步驟。

14.如權利要求13所述的晶圓制造方法，其特征在于，所述表面處理步驟是針對黏著面進行濕蝕刻或干蝕刻。

15.如權利要求14所述的晶圓制造方法，其特征在于，所述表面處理步驟是將黏著面浸入至少由氫氟酸溶液、硝酸銀溶液、過氧化氫溶液及溶劑依照一預定比例混合所得的酸性蝕刻液；或者所述表面處理步驟是將黏著面浸入至少由硝酸、磷酸與溶劑混合所得的蝕刻液；或者所述表面處理步驟是利用等離子體將黏著面進行改質。

16.如權利要求15所述的晶圓制造方法，其特征在于，所述酸性蝕刻液中的氫氟酸溶液、溶劑、硝酸銀溶液及過氧化氫溶液的比例為20:40:1:4。