[發明專利]晶棒表面納米化工藝、晶圓制造方法及其晶圓

無效

• 申請號: 201210017290.1
• 申請日: 2012-01-19
• 公開（公告）號: CN103160930A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 錢俊逸;李建志;楊昆霖;徐文慶
• 申請（專利權）人: 昆山中辰矽晶有限公司
• 主分類號: C30B33/00
• 分類號: C30B33/00;C30B33/10
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

技術領域

本發明是有關于一種表面納米化工藝，尤其涉及一種晶棒表面納米化工藝及其晶圓制造方法與所制作的芯片。

背景技術

日常生活中所使用的信息產品、信息家電等，例如手機、計算機的主機板、微處理器、內存、數字相機、PDA等電子產品，均具有由IC半導體所組成的運算單元，而所謂的IC就是利用晶圓經過各種半導體工藝所制作的具有特定電性功能的電路組件。

半導體加工工藝可包含最初的長晶、進而至切片、研磨、拋光、清洗等相關步驟，其中在晶棒切割形成晶圓的過程，就直接決定出所生產的晶圓的數量，其又直接影響到半導體后段工藝所產出的芯片數量，故提升晶棒切割的質量可連帶增加半導體產業的經濟效應。

一般硅晶圓工藝中需先針對晶棒進行機械加工，例如外圓輪磨后再進行切片。然而，前述的機械加工對于脆性較高的晶棒，可能導致較高的不良率，其主要原因在于高脆性的晶棒，切片時刀具造成的應力容易造成晶棒表面的脆裂，并在晶圓邊緣產生微小的裂痕，而使得后續的晶圓工藝中易發生破片現象，嚴重影響晶圓工藝的良率。

再者，切片所得的晶圓在各種加工工藝中可能會受到外力的作用，當外力超出晶圓的最大負載或是應力過度集中時就會造成晶圓裂痕、晶圓破片的問題，導致生產工藝的良率下降。

發明內容

本發明的目的之一，在于提供一種晶棒表面納米化工藝及其晶圓制造方法，以在晶棒進行切片之前針對晶棒表面進行改質，以在晶棒表面制作出具有納米結構的微結構層，所述的具有納米結構的微結構層可強化晶棒表面強度，以降低切片的碎邊率。

為了解決上述問題，本發明提供一種晶棒表面納米化工藝，是在晶棒進行切片步驟之前，先針對晶棒的至少一表面進行一表面處理步驟，以在所述表面形成一具有納米結構的微結構層。

本發明進一步提供一種晶圓制造方法，包括以下步驟：形成一晶棒，所述晶棒是由一初始晶棒所加工形成，所述晶棒具有一黏著面；進行一表面處理步驟，以在所述黏著面形成一具有納米結構的微結構層；提供一載具，并形成一連接層于所述黏著面的微結構層上，以利用所述連接層將所述晶棒固定在所述載具上；進行一切片步驟。請注意，本發明實施例所指的“晶棒”、“初始晶棒”乃為泛指的名詞，實際上針對不同結晶態樣或各階段的加工工藝后，產業界會以特定的名稱加以命名，然本發明可含括各種不同名稱的”晶棒”、“初始晶棒”。

本發進一步提供一種晶圓制造方法，包括以下步驟：形成一晶棒，所述晶棒是由一初始晶棒所加工形成；進行一表面處理步驟，以在所述晶棒的表面上形成一具有納米結構的微結構層；提供一載具，并形成一連接層于所述微結構層上，以利用所述連接層將所述晶棒固定在所述載具上；進行一切片步驟。

本發明進一步提供一種晶圓，其是由一晶棒經過切割所形成，所述晶圓具有至少一個由相鄰兩切割道所界定的側面，所述側面上形成一具有納米結構的微結構層。

本發明具有以下有益的效果：本發明主要利用表面處理方法將晶棒的至少一表面進行表面改質，以在晶棒表面生成淺層的納米結構層，所述納米結構層并不會影響晶棒表面的特性；另外，所述納米結構層可釋放切片時刀具造成的應力，故可有效強化晶棒表面的機械強度，以降低切片時晶棒邊角的崩角問題。

為使能更進一步了解本發明的特征及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說明用，并非用來對本發明加以限制者。

附圖說明

圖1是本發明的晶棒表面納米化工藝的流程圖。

圖2是本發明的晶圓制造方法的流程圖。

圖3A-3C是本發明的多晶棒的工藝示意圖。

圖4A-4D是本發明的單晶棒的工藝示意圖。

圖5是本發明的多晶棒（即晶棒）通過連接層固定在載具上的示意圖。

圖6是本發明的圓棒（即另一態樣的晶棒）通過連接層固定在載具上的示意圖。

圖7A是本發明第一實施例的晶圓的示意圖，其中微結構層形成在單一個側面上。

圖7B是本發明第一實施例的晶圓的示意圖，其中微結構層形成在多個側面上。

圖8A是本發明第二實施例的晶圓的示意圖，其中微結構層形成在一部分的側面上。

圖8B是本發明第二實施例的晶圓的示意圖，其中微結構層形成在全部的側面上。

主要組件符號說明

10A　?　晶錠

10B　?　塊狀晶棒

10C　?　多晶棒

20A　?　粗棒

20B　?　單棒