[發(fā)明專利]固化代碼參數(shù)表的保存及獲取方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210017067.7
• 申請(qǐng)日: 2012-01-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102623066A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁宏駿;孫紀(jì)坤;李相斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州希圖視鼎微電子有限公司
• 主分類號(hào): G11C29/42
• 分類號(hào): G11C29/42
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 32102
• 代理人: 陸明耀;姚姣陽(yáng)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及SoC從NAND?閃存啟動(dòng)技術(shù)，尤其涉及一種固化代碼參數(shù)表的保存及獲取方法。

背景技術(shù)

隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜，實(shí)際項(xiàng)目對(duì)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求越來(lái)越緊迫。當(dāng)前嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求也致使硬盤(pán)無(wú)法得到廣泛的應(yīng)用，而大容量閃存設(shè)備恰是為了滿足當(dāng)前這一需求而迅速發(fā)展起來(lái)。從閃存設(shè)備裝載代碼來(lái)啟動(dòng)嵌入式系統(tǒng)是一項(xiàng)基本且必要的Soc技術(shù)，如何解決Soc從閃存啟動(dòng)技術(shù)中的一些特定問(wèn)題是目前業(yè)內(nèi)的研究重點(diǎn)。

目前國(guó)際上成熟的Soc從閃存啟動(dòng)技術(shù)通常需要完成四個(gè)部分功能和過(guò)程：

第一步，首先Soc內(nèi)部硬件固化的過(guò)程代碼被執(zhí)行，這段硬件固化的過(guò)程代碼將對(duì)閃存進(jìn)行基本的初始化，然后把閃存中的裝載程序代碼調(diào)入SoC內(nèi)部的高速緩存中（如圖1所示）；

第二步，片內(nèi)高速緩存中的裝載代碼被執(zhí)行，初始化內(nèi)存并將啟動(dòng)代碼從閃存拷貝到內(nèi)存中（如圖2所示）；

第三步，內(nèi)存中的啟動(dòng)代碼被執(zhí)行，初始化外部系統(tǒng)及其相關(guān)設(shè)備，并將操作系統(tǒng)核心代碼從NAND閃存拷貝到內(nèi)存中（如圖3所示）；

第四步，內(nèi)存中的操作系統(tǒng)核心被執(zhí)行，執(zhí)行操作系統(tǒng)的控制任務(wù)（如圖4所示）。

然而，NAND?閃存不同于其它存儲(chǔ)設(shè)備，它的標(biāo)準(zhǔn)定義中允許有局部壞塊，這些壞塊散布在整個(gè)NAND閃存的不同位置，存在壞塊的位置無(wú)法正確的進(jìn)行數(shù)據(jù)訪問(wèn)。同時(shí)，大多數(shù)NAND閃存的硬件存在數(shù)據(jù)不可靠性的特征，不同廠商的不同型號(hào)NAND閃存對(duì)訪問(wèn)它的設(shè)備有數(shù)據(jù)糾錯(cuò)的要求，隨著生產(chǎn)工藝日益發(fā)達(dá)，NAND閃存的容量增加，這種糾錯(cuò)的功能要求也越來(lái)越多。

有鑒于此，?有必要提供一種新的SoC的固化代碼參數(shù)表的保存及讀取方法來(lái)解決上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種固化代碼參數(shù)表的保存及獲取方法。其通過(guò)將固化代碼的參數(shù)表保存在第一個(gè)可使用的存儲(chǔ)頁(yè)中，并采取多個(gè)副本的存儲(chǔ)方式，同時(shí)采用數(shù)據(jù)錯(cuò)誤檢測(cè)及數(shù)據(jù)糾錯(cuò)（ECC）進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取，從而確保了參數(shù)表數(shù)據(jù)的正確性和安全性。

為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供的一種固化代碼參數(shù)表的保存及獲取方法，包括如下步驟：

將固化代碼的參數(shù)表保存于NAND閃存的第一個(gè)可使用的存儲(chǔ)頁(yè)中，其中，所述固化代碼的參數(shù)表保存為多個(gè)副本，且每個(gè)副本內(nèi)容與原參數(shù)表內(nèi)容一致；

采用ECC（Error?Correcting?Code?，數(shù)據(jù)錯(cuò)誤檢測(cè)及數(shù)據(jù)糾錯(cuò)）方式來(lái)讀取參數(shù)表數(shù)據(jù)。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，該方法包括采用MD4或MD5校驗(yàn)方式對(duì)原參數(shù)表及各參數(shù)表副本進(jìn)行校驗(yàn)。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述“采用ECC讀取參數(shù)表數(shù)據(jù)”的步驟具體為：

使用所述ECC方式開(kāi)始讀取參數(shù)表數(shù)據(jù)；

判斷硬件ECC是否失敗，若是，????則關(guān)閉硬件ECC并讀取參數(shù)表數(shù)據(jù)；若否，則采用MD4或MD5校驗(yàn)方式對(duì)原參數(shù)表及各參數(shù)表副本進(jìn)行校驗(yàn)；

判斷校驗(yàn)是否成功，若是，則保存并更新固化代碼的系統(tǒng)參數(shù)表；若否，則

判斷是否完成了所有副本的校驗(yàn)，若是，讀取閃存參數(shù)表結(jié)束；若否，繼續(xù)校驗(yàn)未完成校驗(yàn)的副本。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述固化代碼支持NAND閃存行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)ONFI?2.0（Open?NAND?Flash?Interface?2.0）。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述固化代碼參數(shù)保存于一系統(tǒng)參數(shù)表中，所述系統(tǒng)參數(shù)表的參數(shù)獲取方式包括搜索固化代碼內(nèi)部NAND閃存設(shè)備參數(shù)表、或者從支持ONFI?2.0標(biāo)準(zhǔn)的NAND閃存獲取、或者讀取NAND閃存首頁(yè)保存的參數(shù)表。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述固化代碼中包括一保存多種型號(hào)NAND閃存參數(shù)的設(shè)備參數(shù)表，且固化代碼支持設(shè)備參數(shù)表中保存的各型號(hào)NAND閃存。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述設(shè)備參數(shù)表中為每一種型號(hào)的NAND分別配置唯一的ID。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過(guò)將固化代碼的參數(shù)表保存在第一個(gè)可使用的存儲(chǔ)頁(yè)中，并采取多個(gè)副本的存儲(chǔ)方式，同時(shí)采用數(shù)據(jù)錯(cuò)誤檢測(cè)及數(shù)據(jù)糾錯(cuò)（ECC）進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取，以保證了在出現(xiàn)局部數(shù)據(jù)損壞時(shí)能夠正確讀取數(shù)據(jù)，從而確保參數(shù)表數(shù)據(jù)的正確性和安全性，且實(shí)現(xiàn)方法簡(jiǎn)單。

附圖說(shuō)明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中Soc從閃存啟動(dòng)的步驟一的工作原理示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)中Soc從閃存啟動(dòng)的步驟二的工作原理示意圖；

圖3是現(xiàn)有技術(shù)中Soc從閃存啟動(dòng)的步驟三的工作原理示意圖；