[發明專利]一種利用化學腐蝕法制備微細光纖的方法

有效

• 申請號: 201210015000.X
• 申請日: 2012-01-17
• 公開（公告）號: CN102565925A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 邵天敏;劉佳琛;王惠;劉大猛;張少婧
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: G02B6/02
• 分類號: G02B6/02
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 徐寧;關暢

1.一種利用化學腐蝕法制備微細光纖的方法，包括以下步驟：

1)設置一包括有超聲波清洗機、放置有濃硫酸溶液的容器、放置有去離子水的容器和放置有氫氟酸溶液的容器的制備微細光纖的裝置，所述超聲波清洗機包括有清洗槽；

2)對待處理的光纖的樹脂外包層進行腐蝕，具體過程為：將放置有濃硫酸溶液的容器靜置于所述超聲波清洗機的清洗槽中，且將所述清洗槽中加入適量的水，水平面的高度低于所述容器的頂端，將待處理的光纖浸沒在所述濃硫酸溶液中，打開所述超聲波清洗機的開關，將光纖在所述濃硫酸溶液中進行腐蝕后，將去除樹脂外包層后的光纖取出；

3)將所述去除樹脂外包層的光纖在去離子水中進行浸泡，將光纖上殘留的濃硫酸溶液清洗掉后取出；

4)將盛有氫氟酸溶液的容器靜置于超聲波清洗機的清洗槽中，將清洗槽中加入適量的水，水平面的高度要低于容器的頂端，將經過去離子水清洗的光纖浸沒在氫氟酸溶液中，打開超聲清洗機的開關，將光纖在氫氟酸溶液中腐蝕后取出；

5)將經所述氫氟酸溶液腐蝕后的光纖放置于去離子水中浸泡后取出。

2.如權利要求1所述的一種利用化學腐蝕法制備微細光纖的方法，其特征在于：所述光纖為單模光纖、多模光纖中的一種。

3.如權利要求1或2所述的一種利用化學腐蝕法制備微細光纖的方法，其特征在于：所述濃硫酸的濃度、氫氟酸溶液的濃度、濃硫酸的腐蝕時間和氫氟酸的腐蝕時間根據待處理光纖的長度、待處理光纖的直徑、制備光纖的長度和制備光纖的直徑確定。

4.如權利要求3所述的一種利用化學腐蝕法制備微細光纖的方法，其特征在于：所述濃硫酸溶液的濃度采用70％～98％，所述氫氟酸溶液的濃度采用20％～60％。