[發明專利]較小等離子損傷的高密度等離子體沉積方法

無效

• 申請號: 201210014804.8
• 申請日: 2012-01-18
• 公開（公告）號: CN102543756A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 徐強;張文廣;鄭春生;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/3105;H01L29/78;C23C16/50;C23C16/04
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種較小等離子損傷的高密度等離子體沉積方法，其特征在于，步驟包括：

步驟1，提供含有NMOS和/或PMOS的襯底，在所述襯底上沉積蝕刻阻擋層；

步驟2，在所述蝕刻阻擋層上沉積HDP保護層；其中，所述HDP保護層材質為富硅二氧化硅

步驟3，在所述HDP保護層上沉積HDP主體層作為前金屬介電層；

步驟4，對前金屬介電層進行化學機械研磨至設計要求厚度。

2.根據權利要求1所述的較小等離子損傷的高密度等離子體沉積方法，其特征在于，沉積溫度均優選為≤500℃。

3.根據權利要求1所述的較小等離子損傷的高密度等離子體沉積方法，其特征在于，所述HDP保護層沉積反應時硅氧流量比優選為≥0.8。

4.根據權利要求1所述的較小等離子損傷的高密度等離子體沉積方法，其特征在于，所述HDP保護層薄膜在633nm波長光波下折射率≥1.5。

5.根據權利要求1中任意一項所述的較小等離子損傷的高密度等離子體沉積方法，其特征在于，所沉積的HDP保護層和HDP主體層厚度比優選為100~200：2000~10000。

6.根據上述任意一項權利要求所述的較小等離子損傷的高密度等離子體沉積方法，其特征在于，所述HDP保護層沉積條件還包括：

底部射頻功率?????3000~5000W；

中部射頻功率?????1000~2000W；

高部射頻功率?????0；

硅烷流量?????????300~500sccm；

氦氣流量?????????200~300sccm；

頂部氧氣流量?????400~600sccm；

側部氧氣流量?????100~300sccm。

7.根據權利要求1~5中任意一項所述的較小等離子損傷的高密度等離子體沉積方法，其特征在于，所述HDP主體層沉積條件包括：

底部射頻功率?????3000~5000W；

中部射頻功率?????1000~2000W；

高部射頻功率?????5000~6000W；

硅烷流量?????????200~300sccm；

氦氣流量?????????200~300sccm；

頂部氧氣流量?????400~600sccm；

側部氧氣流量?????100~300sccm。

8.一種MOS器件，其特征在于，包括襯底，包括襯底，襯底中含有NMOS區域和/或PMOS區域，在襯底上有蝕刻阻擋層，蝕刻阻擋層上沉積有HDP保護層，HDP保護層上為HDP主體層；

其中，所述HDP保護層材質為富硅二氧化硅。

9.根據權利要求8所述的MOS器件，其特征在于，所述襯底還包含硅化鎳和/或硅化鈷等硅化物作為晶體管的金屬電極。

10.根據權利要求8所述的MOS器件，其特征在于，所述HDP保護層薄膜在633nm波長光波下折射率≥1.5。