[發(fā)明專利]氣體通道模塊及應(yīng)用其的氣體分配裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210013232.1 | 申請日: | 2012-01-17 |
| 公開(公告)號: | CN103205719A | 公開(公告)日: | 2013-07-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 施玉安;戴陸節(jié) | 申請(專利權(quán))人: | 上海北玻鍍膜技術(shù)工業(yè)有限公司;上海北玻玻璃技術(shù)工業(yè)有限公司;洛陽北方玻璃技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34;C03C17/00 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 胡美強;楊東明 |
| 地址: | 201614 上海市松*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氣體 通道 模塊 應(yīng)用 分配 裝置 | ||
1.一種氣體通道模塊,其特征在于,所述氣體通道模塊總體為一個長方體,其中,
所述長方體水平方向上具有第一端面和第二端面,第一端面設(shè)置有第一長槽,第二端面設(shè)置有第二長槽;
所述長方體頂面設(shè)置有一主進(jìn)氣孔和多個輔進(jìn)氣孔,長方體主體對應(yīng)主進(jìn)氣孔和輔進(jìn)氣孔設(shè)有第一內(nèi)部通道和第二內(nèi)部通道,所述長方體底面設(shè)置有多個主出氣孔和多個輔出氣孔;
所述主進(jìn)氣孔通過第一內(nèi)部通道與第一長槽相通,所述輔進(jìn)氣孔通過第二內(nèi)部通道與第二長槽相通。
2.如權(quán)利要求1所述的氣體通道模塊,其特征在于,所述第一長槽與氣體通道模塊底部通過主出氣孔相通,所述第二長槽被隔離成多個獨立的輔氣長槽,所述多個輔氣長槽依次排列,每個輔氣長槽與氣體通道模塊底部通過輔出氣孔相通。
3.如權(quán)利要求2所述的氣體通道模塊,其特征在于,所述氣體通道模塊的第二端面上還設(shè)置第三長槽,所述第三長槽通過一第三內(nèi)部通道與部分輔進(jìn)氣孔相通,所述第三長槽通過一輔助槽與第二長槽中的部分輔氣長槽相通。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的氣體通道模塊,其特征在于,所述長方體頂部設(shè)置有頂部氣槽,部分輔進(jìn)氣孔與頂部氣槽連接。
5.一種氣體分配裝置,其特征在于,所述裝置包括一氣體通道模塊、頂板、第一側(cè)板、第二側(cè)板、U型蓋板,所述的氣體通道模塊采用如權(quán)利要求3或4所述的氣體通道模塊,其中,
所述頂板密封氣體通道模塊頂面,所述第一側(cè)板密封第一長槽,所述第二側(cè)板密封第二長槽和/或第三長槽。
6.如權(quán)利要求5所述的氣體分配裝置,其特征在于,所述頂板包括注氣接頭,所述注氣接頭與所述主進(jìn)氣孔和輔進(jìn)氣孔對應(yīng)設(shè)置。
7.如權(quán)利要求5所述的氣體分配裝置,其特征在于,所述U型蓋板安裝在氣體通道模塊的底部,與氣體通道模塊底部形成混氣腔。
8.如權(quán)利要求6所述的氣體分配裝置,其特征在于,所述混氣腔內(nèi)部設(shè)置有封板,將混氣腔分割為獨立的幾段。
9.如權(quán)利要求6、7或8所述的氣體分配裝置,其特征在于,所述U型蓋板上設(shè)置有噴氣孔。
10.如權(quán)利要求9所述的氣體分配裝置,其特征在于,所述噴氣孔旁還設(shè)置有導(dǎo)流板。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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