[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210011940.1
• 申請(qǐng)日: 2007-04-20
• 公開（公告）號(hào): CN102543155A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 都昌鎬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): G11C8/08
• 分類號(hào): G11C8/08;G11C7/02;G11C7/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 黃小臨

1.一種半導(dǎo)體器件，其包含：

常規(guī)線，其配置用于傳輸信號(hào)；

屏蔽線，其配置鄰近于所述常規(guī)線；

電平移位電路，其用于接收在電源電壓電平與接地電壓電平之間擺動(dòng)的輸入信號(hào)，且將該輸入信號(hào)移位為在高于所述電源電壓電平的高電壓電平與所述接地電壓電平之間擺動(dòng)的輸出信號(hào)，以經(jīng)由所述屏蔽線輸出經(jīng)移位的信號(hào)；以及

信號(hào)輸入單元，其用于將該經(jīng)由該屏蔽線提供的信號(hào)傳輸至輸出節(jié)點(diǎn)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述電平移位電路包括：

高電平移位器，其用于電平移位所述輸入信號(hào)的電平以便在所述高電壓與所述接地電壓電平之間擺動(dòng)；以及

驅(qū)動(dòng)器，其用于使用由所述高電平移位器電平移位的信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)所述屏蔽線。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述高電平移位器包括：

第一NMOS晶體管，其具有連接至接地電壓供應(yīng)端的一側(cè)及耦接到所述輸入信號(hào)的柵極；

反相器，其經(jīng)由輸入端接收所述輸入信號(hào)；

第二NMOS晶體管，其具有連接至接地電壓供應(yīng)端的一側(cè)及耦接到所述反相器的輸出的柵極；

第一PMOS晶體管，其具有連接至第一NMOS晶體管的第二側(cè)的一側(cè)、連接至第二NMOS晶體管的第二側(cè)的柵極、以及連接至經(jīng)由其供應(yīng)所述高電壓的高電壓供應(yīng)端的第二側(cè)；以及

第二PMOS晶體管，其具有連接至第二NMOS晶體管的第二側(cè)的一側(cè)、連接至第一NMOS晶體管的第二側(cè)的柵極、以及連接至所述高電壓供應(yīng)端的第二側(cè)。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述驅(qū)動(dòng)器包括：

第三PMOS晶體管，其具有連接至所述高電壓供應(yīng)端的一側(cè)及耦接到所述電平移位器的輸出的柵極；以及

第三NMOS晶體管，其具有連接至第三PMOS晶體管的另一側(cè)的一側(cè)、耦接到所述電平移位器的輸出的柵極、以及連接至所述接地電壓供應(yīng)端的第二側(cè)。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述信號(hào)輸入單元包含上拉電路，該上拉電路用于使用經(jīng)由該屏蔽線傳輸?shù)男盘?hào)上拉所述輸出節(jié)點(diǎn)。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中所述上拉電路具備MOS晶體管，該MOS晶體管具有連接至所述輸出節(jié)點(diǎn)的一側(cè)、連接至所述屏蔽線的柵極、以及連接至所述電源電壓供應(yīng)端的第二側(cè)。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中所述高電壓比該電源電壓高在所述MOS晶體管的閾值電壓之上的電平。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述常規(guī)線分別安置于鄰近于所述屏蔽線的一側(cè)的區(qū)域中以及鄰近于所述屏蔽線的另一側(cè)的區(qū)域中。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述屏蔽線為其中在該半導(dǎo)體器件的初始操作期間設(shè)定預(yù)定電壓電平且該電壓電平在常規(guī)操作期間不變化的線。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中經(jīng)由所述屏蔽線傳輸?shù)男盘?hào)為下列信號(hào)中的至少之一：用于控制半導(dǎo)體器件的脈沖長(zhǎng)度的信號(hào)、用于控制CAS等待時(shí)間的信號(hào)、用于控制延遲鎖定回路的接通/切斷操作的控制信號(hào)、用于控制ODT的控制信號(hào)、用于決定輸出驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)能力的控制信號(hào)、用于控制寫入恢復(fù)的時(shí)序的控制信號(hào)、以及用于控制測(cè)試模式的控制信號(hào)。

11.一種驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體器件的方法，其包含下列步驟：

產(chǎn)生控制信號(hào)以維持電源電壓電平；

使用所述控制信號(hào)將屏蔽線上的電壓電平驅(qū)動(dòng)至比所述電源電壓高預(yù)定電平的高電壓；以及

在所述屏蔽線正被驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)下傳輸所述信號(hào)。

12.如權(quán)利要求11的方法，其中所述驅(qū)動(dòng)步驟包括下列步驟：

將所述控制信號(hào)的信號(hào)電平移位為所述高電壓電平；以及

使用經(jīng)移位的信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)所述屏蔽線。

13.如權(quán)利要求12的方法，其中所述高電壓比所述電源電壓高在接收所述屏蔽線上的信號(hào)的MOS晶體管的閾值電壓之上的電平。

14.如權(quán)利要求11的方法，其中所述屏蔽線為其中在該半導(dǎo)體器件的初始操作期間設(shè)定預(yù)定電壓電平且該電壓電平在常規(guī)操作期間不變化的線。

15.如權(quán)利要求11的方法，其中經(jīng)由所述屏蔽線傳輸?shù)男盘?hào)為下列信號(hào)中的至少之一：用于控制半導(dǎo)體器件的脈沖長(zhǎng)度的信號(hào)、用于控制CAS等待時(shí)間的信號(hào)、用于控制延遲鎖定回路的接通/切斷操作的控制信號(hào)、用于控制ODT的控制信號(hào)、用于決定輸出驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)能力的控制信號(hào)、用于控制寫入恢復(fù)的時(shí)序的控制信號(hào)、以及用于控制測(cè)試模式的控制信號(hào)。