[發明專利]高穿透率的封裝發光二極管有效
| 申請號: | 201210011125.5 | 申請日: | 2012-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN103208575B | 公開(公告)日: | 2017-02-08 |
| 發明(設計)人: | 蔡凱雄;李建立 | 申請(專利權)人: | 蔡凱雄;李建立 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/56;C08L83/04 |
| 代理公司: | 北京泰吉知識產權代理有限公司11355 | 代理人: | 張雅軍,秦小耕 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 穿透 封裝 發光二極管 | ||
技術領域
本發明涉及一種發光二極管,特別是涉及一種高穿透率的封裝發光二極管。
背景技術
發光二極管(LED)相較于傳統白熾燈光具有多項優勢,省電、體積小、使用壽命長、效率高,及低污染等優點,使發光二極管成為取代現有照明設備的最佳方案。
發光二極管的晶片因為本身不具抗氧化、抗濕氣等保護作用,因此需要先將該晶片封裝才能夠使用。封裝的制程是利用數條金屬線將該晶片的數個電極分別連接到一個基板上,使該晶片能夠利用該基板上的數個焊點與外界形成電路連接進而發光。
如圖1所示,現有的一個封裝發光二極管包含一個基板11、一個晶片12、數條金屬線13,及一個透光層14。該晶片12形成在該基板11上。前述金屬線13分別連接該晶片12及該基板11,使該晶片12的電子回路能夠利用前述金屬線13傳輸到該基板11后與外界電連接。該透光層14形成在該晶片12與該基板11上,該透光層14能使該晶片12發出的光線穿透,達到照明的功能,同時保護該晶片。
然而,該透光層14的成分主要為環氧(Epoxy)樹脂或硅利光(Silicone)樹脂。環氧樹脂本身含有會吸收紫外線的芳香族苯環結構,使用一段時間后該環氧樹脂會因為苯環吸收紫外線(UV)或吸熱老化而產生黃變,造成該透光層14的穿透率衰降,亮度降低。而硅利光樹脂的機械強度低于環氧樹脂,且與該晶片12的粘合性較差,其折射率在1.4至1.5間,因此與該晶片12的折射率差異大,使穿透率較低且亮度也較低。
發明內容
本發明的目的在于提供一種不會黃變的高穿透率的封裝發光二極管。
本發明高穿透率的封裝發光二極管包含一個基板、一個發光元件、一個引線單元,及一個耐熱層。該發光元件形成在該基板上。該引線單元連接該基板與該發光元件。該耐熱層至少形成在該發光元件上且該耐熱層的成分包括硅利光樹脂及0.1%至10%重量百分比的環氧基硅烷(Epoxysilane),該耐熱層因為不具有苯環,因此不會黃變。且該環氧基硅烷是選自于通式(I)或通式(II):
其中,R為CH3烷基。
借此,使該耐熱層有較佳的粘合性及較高的穿透率,能提高該高穿透率的封裝發光二極管的使用壽命。
較佳地,該耐熱層的成分還包括0%至20%重量百分比的納米級二氧化硅或硅氧擴散粉。
較佳地,該耐熱層利用點膠方式形成在該發光元件及該基板上并包覆該引線單元。
較佳地,該發光元件為一個氮化鎵晶片。
較佳地,該引線單元為數條金屬線。
較佳地,該耐熱層僅形成在該發光元件上,且該高穿透率的封裝發光二極管還包含一個形成在該耐熱層及該基板上并包覆該引線單元的透光層。
較佳地,該耐熱層通過濺鍍方式形成。
較佳地,該耐熱層的厚度為0.5um至1mm。
較佳地,該透光層通過射出成型方式形成。
較佳地,該透光層的成分包括聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯。
較佳地,該透光層還包括1ppm至0.1%重量百分比的熒光增白劑。
較佳地,該透光層還包括0.1%至10%重量百分比的環氧基硅烷。
本發明的有益效果在于:通過該環氧基硅烷的鍵結較強且沒有苯環,不易氧化且較耐熱,使該耐熱層不會黃變。同時,該環氧基硅烷使該耐熱層與該發光元件的粘合性較佳且穿透率較高,使該高穿透率的封裝發光二極管發光效率較佳。
附圖說明
圖1是一個剖面圖,說明現有的一個封裝發光二極管;
圖2是一個剖面圖,說明本發明的高穿透率的發光二極管的一個第一較佳實施例;
圖3是一個剖面圖,說明本發明的一個第二較佳實施例;
圖4是一個重量百分比對穿透率的曲線圖,說明本發明的一個制備例所制得的耐熱層材料的環氧基硅烷重量百分比濃度分布與其穿透率關系曲線圖;
圖5是一個濃度對穿透率的曲線圖,說明本發明的另一個制備例所制得的耐熱層材料的納米級二氧化硅濃度分布與其穿透率關系曲線圖。
具體實施方式
下面結合附圖及實施例對本發明進行詳細說明。
有關本發明的前述及其他技術內容、特點與功效,在以下配合參考附圖的兩個較佳實施例、四個制備例,以及兩個具體例的詳細說明中,將能夠清楚的呈現。
在本發明被詳細描述之前,要注意的是,在以下的說明內容中,類似的元件是以相同的編號來表示。
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