[發(fā)明專(zhuān)利]高穿透率的封裝發(fā)光二極管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210011125.5
• 申請(qǐng)日: 2012-01-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103208575B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡凱雄;李建立
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 蔡凱雄;李建立
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/48
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/48;H01L33/56;C08L83/04
• 代理公司: 北京泰吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11355
• 代理人: 張雅軍,秦小耕

1.一種高穿透率的封裝發(fā)光二極管，包含一個(gè)基板、一個(gè)形成在該基板上的發(fā)光元件、一個(gè)連接該基板與該發(fā)光元件的引線(xiàn)單元、一個(gè)至少形成在該發(fā)光元件上的耐熱層，其特征在于：

該耐熱層的成分包括硅利光樹(shù)脂及0.1％至10％重量百分比的環(huán)氧基硅烷，且該環(huán)氧基硅烷是選自于通式(I)或通式(II)：

其中，R為CH₃烷基。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于：該耐熱層的成分還包括0％至20％重量百分比的納米級(jí)二氧化硅或硅氧擴(kuò)散粉。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于：該耐熱層利用點(diǎn)膠方式形成在該發(fā)光元件及該基板上并包覆該引線(xiàn)單元。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于：該發(fā)光元件為一個(gè)氮化鎵晶片。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于：該引線(xiàn)單元為數(shù)條金屬線(xiàn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于：該耐熱層僅形成在該發(fā)光元件上，且該高穿透率的封裝發(fā)光二極管還包含一個(gè)形成在該耐熱層及該基板上并包覆該引線(xiàn)單元的透光層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于：該耐熱層通過(guò)濺鍍方式形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于：該耐熱層的厚度為0.5um至1mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于：該透光層通過(guò)射出成型方式形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于：該透光層的成分包括聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于：該透光層還包括1ppm至0.1％重量百分比的熒光增白劑。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于：該透光層還包括0.1％至10％重量百分比的環(huán)氧基硅烷。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于：該透光層還包括0.1％至10％重量百分比的環(huán)氧基硅烷。