[發(fā)明專利]一種低壓本征NMOS器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210009713.5
• 申請(qǐng)日: 2012-01-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103050529A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉冬華;石晶;錢文生;胡君;段文婷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種低壓本征NMOS器件，其特征是，包括：硅襯底上部形成有注入?yún)^(qū)，注入?yún)^(qū)旁側(cè)形成有淺溝槽隔離，注入?yún)^(qū)上部形成有N型源漏區(qū)，注入?yún)^(qū)和硅襯底上方形成有柵氧化層，柵氧化層上方形成有柵多晶硅層，柵氧化層和柵多晶硅層的兩側(cè)形成有隔離側(cè)墻，N型源漏區(qū)和柵多晶硅層通過(guò)接觸孔引出連接金屬連線。

2.如權(quán)利要求1所述的本征NMOS器件，其特征是：所述N型源漏區(qū)與柵氧化層、柵多晶硅層不存在重疊區(qū)域。

3.如權(quán)利要求2所述的本征NMOS器件，其特征是：所述柵氧化層厚度為2納米～4納米。

4.一種低壓本征NMOS器件的制造方法，其特征是，包括：

(1)在硅襯底上制作淺溝槽隔離，淀積一層二氧化硅，在二氧化硅上方生長(zhǎng)一層多晶硅，刻蝕后形成柵多晶硅層；

(2)利用高壓輸入輸出PMOS管LDD雜質(zhì)注入，同時(shí)將這道雜質(zhì)注入到低壓本征NMOS器件預(yù)設(shè)計(jì)的源漏區(qū)域形成注入?yún)^(qū)；

(3)刻蝕去除部分二氧化硅，形成柵氧化層，在柵氧化層和柵多晶硅層兩側(cè)制作隔離側(cè)墻；

(4)熱退火，使注入?yún)^(qū)在橫向和縱向推進(jìn)；

(5)在注入?yún)^(qū)進(jìn)行源漏注入，形成N型源漏區(qū)；

(6)將N型源漏區(qū)和柵多晶硅層通過(guò)接觸孔引出連接金屬連線。

5.如權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征是：實(shí)施步驟(1)時(shí)，采用電阻率是1000ohm.com的硅襯底。

6.如權(quán)利要求5述的制造方法，其特征是：實(shí)施步驟(1)時(shí)，淀積二氧化硅厚度為2納米～4納米。