[發明專利]基于低溫水熱法實現大長徑比ZnO納米線陣列膜的多次外延生長方法無效
| 申請號： | 201210009418.X | 申請日： | 2012-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN102534780A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 賀永寧;康雪;張雯;彭文博 | 申請（專利權）人： | 西安交通大學 |
| 主分類號： | C30B29/16 | 分類號： | C30B29/16;C30B29/62;C30B19/00 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 徐文權 |
| 地址： | 710049 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 溫水 實現 長徑 zno 納米 陣列 多次 外延 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于低溫水熱法實現大長徑比ZnO納米線陣列膜的多次外延生長方法，其特征在于，包括如下步驟：
1)在基片上進行ZnO納米籽晶層的濺射沉積；
2)以ZnO納米籽晶層作為引導層，利用水熱法實現ZnO納米線垂直取向陣列的生長；
3)清洗試樣，在ZnO納米線陣列單次生長試樣上繼續應用水熱法進行二次外延生長；
4)重復步驟3)，實現多次外延生長。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟1)的工藝參數為：真空度6E-4Pa，氧氣流量：5sccm，氬氣流量：10sccm，射頻功率：120W，濺射氣壓：1.0Pa，基片加熱溫度：250℃，濺射時間：30min。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟2)為，將二水合醋酸鋅溶液和六次甲基四銨溶液按體積比1∶1形成混合溶液，將籽晶底片懸浮生長液中，80℃恒溫生長3小時后，清洗烘干保存。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述基片為硅基片、石英基片或玻璃基片。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟3)中利用摻雜生長實現納米線異質結陣列膜的生長。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟2)和3)中的生長時間為3小時。
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