[發明專利]控制晶圓生產過程異常的自動缺陷掃描抽檢方法及裝置有效
| 申請號: | 201210009226.9 | 申請日: | 2012-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN102709206A | 公開(公告)日: | 2012-10-03 |
| 發明(設計)人: | 王洲男;龍吟;倪棋梁;陳宏璘 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陸花 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 控制 生產過程 異常 自動 缺陷 掃描 抽檢 方法 裝置 | ||
1.一種控制晶圓生產過程異常的自動缺陷掃描抽檢方法,其特征在于包括:在線異常檢測步驟,用于執行顯性異常檢測和隱性異常檢測,從而在晶圓的生產過程中對生產線的顯性異常和隱形異常進行檢查,并記錄出現顯性異常和/或隱形異常的晶圓;以及
固定抽檢步驟,用于在晶圓處理之后執行固定抽檢。
2.根據權利要求1所述的控制晶圓生產過程異常的自動缺陷掃描抽檢方法,其特征在于,所述固定抽檢步驟所抽檢的晶圓包括在所述在線異常檢測步驟記錄的出現顯性異常和/或隱形異常的晶圓。
3.根據權利要求1或2所述的控制晶圓生產過程異常的自動缺陷掃描抽檢方法,其特征在于,在所述在線異常檢測步驟中,利用計時器來記錄工藝處理時間,并判斷工藝處理時間是否異常。
4.根據權利要求1或2所述的控制晶圓生產過程異常的自動缺陷掃描抽檢方法,其特征在于,在所述在線異常檢測步驟中,監控工藝參數,并判斷工藝參數是否異常。
5.根據權利要求1或2所述的控制晶圓生產過程異常的自動缺陷掃描抽檢方法其特征在于,當發現出現顯性異常和/或隱形異常的晶圓時,發出報警。
6.根據權利要求1或2所述的控制晶圓生產過程異常的自動缺陷掃描抽檢方法,其特征在于,當發現出現顯性異常和/或隱形異常的晶圓時,設置以使得保持住當前處理中的晶圓以使當前處理中的晶圓不進入下一步的處理。
7.一種控制晶圓生產過程異常的自動缺陷掃描抽檢裝置,其特征在于包括:在線異常檢測系統,用于執行顯性異常檢測和隱性異常檢測,從而在晶圓的生產過程中對生產線的顯性異常和隱形異常進行檢查,并記錄出現顯性異常和/或隱形異常的晶圓;以及
固定抽檢系統,用于在晶圓處理之后執行固定抽檢。
8.根據權利要求1所述的控制晶圓生產過程異常的自動缺陷掃描抽檢裝置,其特征在于,所述固定抽檢系統所抽檢的晶圓包括在所述在線異常檢測步驟記錄的出現顯性異常和/或隱形異常的晶圓。
9.根據權利要求7或8所述的控制晶圓生產過程異常的自動缺陷掃描抽檢方法,其特征在于,在所述在線異常檢測系統中,利用計時器來記錄工藝處理時間,并判斷工藝處理時間是否異常。
10.根據權利要求7或8所述的控制晶圓生產過程異常的自動缺陷掃描抽檢方法,其特征在于,在所述在線異常檢測系統中,利用處理器監控工藝參數,并判斷工藝參數是否異常。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





