[發明專利]蝕刻裝置有效
申請號: | 201210008729.4 | 申請日: | 2012-01-12 |
公開(公告)號: | CN103208438B | 公開(公告)日: | 2016-04-06 |
發明(設計)人: | 余端仁 | 申請(專利權)人: | 余端仁 |
主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 蝕刻 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種蝕刻裝置,尤指一種蝕刻裝置。
背景技術
蝕刻為一種通過化學反應或物理撞擊的方式對于材料進行移除的 技術,現有蝕刻技術大致可分為濕蝕刻(wetetching)及干蝕刻(dry etching)兩類,其中濕蝕刻是通過化學溶液進行化學反應而達到蝕刻的 效果,而干蝕刻則是通過一種等離子體蝕刻(plasmaetching),等離子體 蝕刻可能是等離子體中離子撞擊晶片表面的物理作用或者可能是等離 子體中活性自由基與晶片表面原子間的化學反應,也可能是兩者的復 合作用,隨著科技的發展,蝕刻技術已廣泛地應用于航空、機械、化 學及半導體制造過程上;
目前業界所使用的蝕刻機臺80的配置如圖8所示,其主要于中心 處設置一機器手臂81,于該機器手臂81的周圍依序環形間隔設置有數 個傳送室82、一定位室83、數個反應室84及一清潔室85,通過該機 器手臂81將晶圓90于各室間進行移動、定位及蝕刻加工;
然而,現有蝕刻機臺80雖可通過機器手臂81進行移動、定位及 蝕刻加工,但機器手臂81于各室間進行移動需花費不少的時間,且機 器手臂81經長時間的使用后,容易因磨耗或磨損而影響其操作的準確 性,使晶圓90可能于移動的過程中發生掉落而毀損的情形,有加以改 進之處。
發明內容
為了改善上述現有蝕刻機臺通過機器手臂進行移動、定位及蝕刻 加工的缺失及不足,本發明的主要目的在于提供一種蝕刻裝置,其可 使晶圓在不需設置機器手臂的情況下進行移動及加工,從而提供一節 省成本、縮短制造過程時間及提高產能的蝕刻裝置。
基于上述目的,本發明的蝕刻裝置包含有一蝕刻組件、一輸送組 件及一載具組件,其中:
該蝕刻組件設有一蝕刻腔體、一上蓋板及一升降裝置,該上蓋板 可翻轉地設于該蝕刻腔體頂面且設有一電極導入裝置、兩氣孔板及一 遮板,該電極導入裝置固設于該上蓋板頂面且朝內設有一電極,兩氣 孔板間隔地設于該上蓋板底面,該遮板間隔地設于該上蓋板底面且貫 穿設有與該兩氣孔板相對應的穿孔,于兩穿孔間貫穿一供該電極伸入 該遮板的開孔,該升降裝置固設于該蝕刻腔體底面且朝上設有一伸入 該蝕刻腔體的升降桿;
該輸送組件設于該蝕刻組件內且于該蝕刻腔體內間隔設置有多個 具有滾輪的轉動軸;以及
該載具組件于該輸送組件上而可移動地設于該蝕刻腔體內并設有 數個載盤,各載盤與該輸送組件的滾輪相貼靠且于頂面設有一極板, 該極板貫穿設有兩間隔設置并分別與該遮板兩穿孔相對應的承載孔。
進一步,該蝕刻裝置另設有一進料組件、一出料組件及一閥門組 件,其中該進料組件設有一前、后端呈開口狀且與該蝕刻腔體前端相 結合的進料腔體,該出料組件設有一與該蝕刻腔體異于該進料腔體一 端相結合的出料腔體,而該閥門組件設于該進料組件、該蝕刻組件及 該出料組件之間且設有數個閥門裝置,各閥門裝置分別該設于各腔體 之間,該輸送組件于該進料組件及該出料組件的各腔體內間隔設置有 多個具有滾輪的轉動軸,該載具組件設于該輸送組件上而可移動地設 于各腔體之間。
優選地,該進料腔體于內部兩側各設有一第一導軌,該蝕刻腔體 于內部兩側各設有一與該進料腔體第一導軌直線相對的第二導軌,該 升降裝置的升降桿伸設于該蝕刻腔體內且介于兩第二導軌間,而該出 料腔體于內部兩側各設有一與該進料腔體第一導軌及該蝕刻腔體第二 導軌直線相對的第三導軌,該輸送組件的各滾動軸設于各腔體的兩導 軌內側。
優選地,該上蓋板于該遮板周圍的底面設有多個定位桿,各定位 桿在異于該上蓋板的底端設有一套設蓋,而該載具組件的各載盤于該 極板周圍的頂面設有數個定位凸粒,當該載盤移動至該蝕刻腔體內時, 各定位凸粒與該蝕刻組件各定位桿的套設蓋直線相對。
優選地,該上蓋板于兩相對側邊分別設有一與該蝕刻腔體頂面相 固設結合的翻轉壓缸軸,使該上蓋板可相對該蝕刻腔體翻轉,且該上 蓋板于頂面固設有一與該電極導入裝置相連接的輸出功率單元。
優選地,該兩氣孔板分別于該上蓋板頂面設有一用以輸送氣體的 輸送管,使氣體可經由輸送管及氣孔板而進入該蝕刻腔體內。
優選地,該遮板設有數個與該上蓋板相固設結合的固定桿,使該 遮板間隔地設于該上蓋板的底面。
優選地,該蝕刻組件另設有一與該蝕刻腔體相結合的高真空泵浦, 使該蝕刻腔體內部維持于一高真空的狀態。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于余端仁,未經余端仁許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210008729.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種鋁箔碼放輔助裝置
- 下一篇:一種吸噪模塊及隔音墻
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造